2.45GHz 0.18μm CMOS高性能线性功率放大器设计

简介：
本研究专注于在0.18微米CMOS工艺下设计一款高效能的2.45GHz线性功率放大器，旨在优化无线通信中的信号传输性能。 为了在更高的电源电压下运行并简化匹配网络的设计，电路采用了两级共源共栅架构。通过自偏置技术放宽了功放的热载流子退化限制，并减小了使用厚栅晶体管所带来的较差射频性能的影响。同时利用带隙基准生成一个稳定且独立于工艺和温度变化的直流基准。 该功率放大器采用SMIC 0.18 μm RF CMOS工艺设计，中心工作频率为2.45 GHz，并通过Cadence公司的spectreRF进行仿真。仿真结果显示，在3.3 V的工作电压下，最大输出功率达到30.68 dBm；在1 dB压缩点处的输出功率为28.21 dBm；功率附加效率PAE为30.26%。所设计版图面积为1.5 mm×1 mm。