N-MOSFET高端驱动自举电路。

简介：
一、电容自举驱动的NMOS电路中，VCC通过二极管D2、电容C2和电阻R1依次连接到地，因此电容C2两端的电压约为14伏特。如图1所示，电容自举驱动NMOS电路的示意图。当V1输入高电平时，Q1和Q4导通，B通道输出高电平信号，而Q2截止，同时C通道输出高电平信号，Q3也导通，并产生48伏特的D通道高电平输出。由于C2两端电压维持在14伏特，Q3的导通使得电容C2的电压提升至VDD的约62伏特。随后，通过三极管Q4、二极管D1将此电压传递至Q3的栅极，从而电容C2有效地起到了抬升电压的作用。具体而言，电容C2的正极电压位达到约62伏特。当V1输入低电平时，Q1和Q4截止，B通道输出低电平信号；Q2导通后为Q3的栅极提供放电回路（通过Q2和电阻R1实现），从而使电容C2的负极电压接近于0伏特。最终导致D通道输出低电平信号。如图2所示为该电路的仿真结果。 二、MOSFET驱动电路图。当V1和V2均等于5伏特时（如图3所示），Q1和Q4导通状态下，Q2处于截止状态；VCC通过D2、Q4、D1和R4依次连接到Q3的栅极后，使得Q3持续导通；同时，Q6和Q7截止状态下，而Q8则导通状态下为 Q5 提供放电回路, Q5 保持截止状态.