
基于CMOS的全集成LDO线性稳压器设计
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简介:
本研究专注于开发一种新型全集成低 dropout (LDO) 线性稳压器,采用互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,旨在提供高效稳定的电压调节解决方案。
设计了一种基于0.25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。该电路采用电阻电容反馈网络在输出端引入零点,以补偿误差放大器的极点,避免了需要大容量外部电容或复杂补偿电路的情况。这种方法使电路结构简单、占用芯片面积小,并且无需使用片外电容。Spectre仿真结果显示,在工作电压为2.5 V的情况下,该LDO在较宽频率范围内具有约78 dB的电源抑制比;当负载电流从1 mA变化至满载状态(即100 mA)时,相位裕度大于40°;同时,LDO和带隙基准源的总静态电流为390 μA。
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