结型场效应管（JFET）在元器件应用中的关键参数

简介：
本文章探讨了结型场效应管(JFET)的关键技术参数，并分析了这些参数如何影响其在各种电子元器件及电路设计中的性能和可靠性。 1. 夹断电压VP 当vDS保持为一个固定值（例如10V）时，在漏极电流iD达到一个小数值如50mA的情况下，栅-源之间的电压即称为夹断电压。 2. 饱和漏极电流IDSS 在栅-源间电压vGS等于零的条件下，当场效应管出现预夹断现象时对应的漏极电流被定义为饱和漏极电流IDSS。这是结型场效管所能输出的最大电流值。 3. 直流输入电阻RGS 该参数表示的是，在将漏-源端短路的情况下，栅-源两端施加一定电压之后测得的直流电阻大小。 4. 低频跨导gm 当vDS保持不变时，如果改变栅-源极之间的电压（vGS）导致了漏极电流iD出现微小变化，则该变化量与vGS的变化量之比即为跨导。此参数反映了栅-源电压对漏极电流控制能力的大小，并且是衡量场效应管放大性能的重要指标之一。