微带线电磁耦合特性的分析与实验验证

简介：
本文针对微带线电磁耦合特性进行深入研究和理论分析，并通过一系列实验进行了充分验证。 本段落研究了微带线的电磁耦合特性，并通过实验验证了分析结果。作者将微带线转换为有损传输线模型，在此基础上计算平面波矢量并求解等效激励源，利用BLT方程（Bramlet-Lewin-Tsai）来确定不同入射模式下电磁波与微带线之间的耦合终端响应。 研究发现，当电场平行于微带线或垂直于PCB时会产生强烈的耦合效应。实验结果表明模拟和实际测试数据一致。此外，文章还指出在平行激发条件下，峰值电压是垂直激发的两倍，并且微带线上产生的电场强度可以达到毫伏级。 关键词包括：微带线耦合特性、BLT方程、终端响应及峰值电压等。实验结果表明，在分析电磁波与微带线之间的相互作用时，BLT方程是一个有效的工具；它可以详细描述不同入射角度下电磁波和微带线的交互过程及其特点。 通过将微带线视作有损传输系统（包含传播损耗和辐射损耗），作者深入探讨了其耦合机制，并得出了终端响应的具体表达式。文章还研究了平面波在各种方向上对微带线耦合特性的影响，指出电场与微带线平行时的耦合力最强而垂直时最弱。 此外，文中提到改变微带线的设计参数（如宽度、高度及介质板厚度等）可以调节其耦合性能。作者通过对比不同入射模式下的模拟和实验结果证明了模型的有效性，并为优化电路设计提供了数据支持。 文章中还讨论了一些影响微带线耦合特性的关键因素，例如相对介电常数εr、宽度W及高度h等参数的变化规律及其对峰值电压与场强分布的影响。这些发现有助于更好地理解并调控高频电路中的微带线性能。 该研究由信息工程大学信息系统工程学院的研究人员完成，表明了其得到了专业机构的支持和认可。这项工作不仅为理论分析提供了依据，也为实际应用中优化微带线设计提出了指导方针，具有重要的学术价值及实用前景。