
射频MOS管的非线性特性分析及线性度提升技术研究。
5星
- 浏览量: 0
- 大小:None
- 文件类型:None
简介:
通过对射频(RF) MOS管的等效电路以及其非线性等效模型进行研究,并借助Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device(SDD)工具,对RF MOS管的非线性特性进行了全面的评估与分析。在此基础上,针对栅源电容(Cgs)、跨导(gm)、输出导纳(gds)和漏极结电容(Cjd)这四个关键的非线性参数,提出了一系列旨在提升线性度的技术方案,包括多栅晶体管补偿、PMOS管补偿、NMOS管补偿、共栅管栅电容补偿以及深N阱和二次谐波短路等措施。将这些优化技术应用于射频功率放大器(PA)的设计中,该PA采用了TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺进行制备。仿真实验结果显示,在应用了这些线性度提升技术后,该功率放大器的线性度得到了显著的改善,具体而言,线性度提升幅度达到了4~10 dB。
全部评论 (0)
还没有任何评论哟~


