
用于安全芯片的低功耗高精度基准源
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简介:
本项目致力于开发适用于安全芯片的低功耗、高精度基准电压源,旨在提升芯片在能量有限条件下的性能与安全性。
利用亚阈值CMOS管的I-V指数工作特性对三级管VBE电压的负温度系数进行补偿,设计了一种适用于安全芯片应用需求的新基准源。该基准源的核心结构是使用亚阈值CMOS管构建缓冲运算放大器,实现了六级温度补偿,并输出1伏特的基准电压。采用SMIC 180纳米工艺制造并利用Spectre仿真验证了其性能:在全温区(-40℃到125℃)内,基准电压的变化范围小于1毫伏;该基准源的标准功耗为4.5安培。这项研究对低功耗高精度基准源的应用和开发具有重要的实用性和指导意义。
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