DDR4 SDRAM MT40A1G MT40A512M8 MT40A256M16 数据手册

简介：
本数据手册详细介绍了DDR4 SDRAM器件MT40A1、MT40A512M8和MT40A256M16的技术规格，包括电气特性、时序参数及应用指南。 ### DDR4 SDRAM MT40A1G、MT40A512M8与MT40A256M16数据手册关键知识点解析 #### 一、产品概述 本数据手册详细介绍了三种不同规格的DDR4 SDRAM产品：MT40A1G、MT40A512M8和MT40A256M16。这些存储器旨在为高性能计算系统提供强大的内存支持，具有低功耗和高带宽的特点。 #### 二、主要特点 - **供电电压**：工作电压VDD与VDDQ均为1.2V±60mV，而VPP为2.5V，允许范围是–125mV到+250mV。 - **内部VREFDQ生成**：芯片内置可调的VREFDQ生成机制，用于优化信号完整性。 - **伪开漏输出(IO)**：采用1.2V伪开漏IO，适用于高速数据传输。 - **温度控制**：最高工作温度可达95°C。在85°C以下时，使用64ms、8192次刷新周期；超过85°C至95°C，则采用32ms、8192次刷新周期。 - **内部银行结构**： - 对于x4和x8配置，包含16个内部银行，分为四组，每组四个。 - 对于x16配置，则有8个内部银行，分成两组，每组四个。 - **预取架构**：采用8n位预取架构以提高数据传输效率。 - **数据选通前置**：支持可编程的数据选通信号前置以及信号训练功能。 - **命令地址延迟(CAL)**：提供了对命令地址延迟的编程能力。 - **多功能寄存器读写**：具备多种用途寄存器的读写能力。 - **写入校准**：支持写电平校准，确保数据准确性。 - **自刷新模式**：在系统不活跃期间保持数据完整性时提供自刷新功能。 - **低功耗自动自刷新(LPASR)**：能够在系统闲置时节省电力消耗的支持模式。 - **温度控制刷新(TCR)**：能够根据环境温度调整其刷新策略。 - **细粒度刷新**：支持更精细的刷新操作。 - **中断自刷新**：可以在需要时中止正在进行中的自动刷新过程。 - **最大功率节省**：采用多种技术最大限度地减少功耗。 - **输出驱动器校准**：具备对输出驱动器进行校准的功能。 - **片上终止(ODT)**：支持名义、停放和动态片上终止功能，以优化信号完整性。 - **数据总线反转(DBI)**：提供数据总线反转功能，有助于降低功耗。 - **命令地址(CA)奇偶校验**：具备命令地址奇偶校验能力增强传输可靠性。 - **写CRC保护**：支持数据总线的循环冗余检验以确保数据的一致性和完整性。 - **每个DRAM可寻址**：允许单独访问每一个DRAM设备。 - **连接性测试**：提供诊断和维护所需的连接性测试功能。 - **sPPR和hPPR能力**：支持标准及高级性能配置参数报告的能力。 - **JEDEC JESD-79-4合规性**：符合JEDEC JESD-79-4规范的要求。 #### 三、选项 - **标记方式**：不同的产品型号对应特定的标记，例如1Gx4表示1GB x 4bit配置。 - **封装类型**：采用FBGA无铅封装形式，尺寸和修订版本有所不同。 - **时序规格**：根据工作频率的不同，周期时间也不同。如0.625ns @ CL=22适用于DDR4-3200速率的内存条。 #### 四、总结 MT40A1G、MT40A512M8和MT40A256M16采用了高级设计和技术，满足高性能计算系统的内存需求。这些产品不仅具备出色的性能指标，如高速数据传输率及低功耗特性等，并且提供了多种功能选项以适应不同的应用场景需要。通过学习本手册内容，工程师们可以更好地了解产品的特性和规格，在构建高性能计算机平台时加以应用。