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Xilinx AXI存储映射到流Mapper v1.1产品指南

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简介:
本产品指南详述了使用Xilinx AXI存储映射至流Mapper v1.1的方法与技巧,旨在帮助开发者高效地实现数据传输及处理。 本段落档详细介绍了Xilinx公司开发的AXI Memory Mapped to Stream Mapper v1.1的核心特性和应用方法。该工具用于将AXI4内存映射事务封装到两个AXI4-Stream接口,以及将AXI4-Stream事务扩展回AXI4内存映射主接口事务。它支持AXI4协议,并可以在单模块中同时执行封装和扩展操作,便于不同AXI设备间的跨通信。文档涵盖了从硬件特性、时钟复位、协议描述到实例设计、仿真测试等多个方面的技术指导。 本段落档适合熟悉FPGA开发流程和技术标准的研发人员,尤其是从事基于Xilinx FPGA平台的系统设计师使用。

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客服
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  • Xilinx AXIMapper v1.1
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    本产品指南详述了使用Xilinx AXI存储映射至流Mapper v1.1的方法与技巧,旨在帮助开发者高效地实现数据传输及处理。 本段落档详细介绍了Xilinx公司开发的AXI Memory Mapped to Stream Mapper v1.1的核心特性和应用方法。该工具用于将AXI4内存映射事务封装到两个AXI4-Stream接口,以及将AXI4-Stream事务扩展回AXI4内存映射主接口事务。它支持AXI4协议,并可以在单模块中同时执行封装和扩展操作,便于不同AXI设备间的跨通信。文档涵盖了从硬件特性、时钟复位、协议描述到实例设计、仿真测试等多个方面的技术指导。 本段落档适合熟悉FPGA开发流程和技术标准的研发人员,尤其是从事基于Xilinx FPGA平台的系统设计师使用。
  • MyBatis Mapper文件用法详解
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    本篇文章详细解析了MyBatis中Mapper映射文件的使用方法,帮助开发者理解如何配置和操作这一重要组件。 本段落详细介绍了Mybatis中Mapper映射文件的使用方法,并通过示例代码进行了深入讲解。对于学习或工作中遇到相关问题的人来说具有一定的参考价值,希望需要的朋友能从中获益。
  • TI出的电子手册
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    本手册由TI公司编制,旨在指导消费者了解其电子产品可能产生的电磁辐射情况,并提供相关安全使用建议。 《电子产品辐射手册-TI》是德州仪器(TI)发布的一份详尽文档,主要针对电子设备在空间、工业及地面应用中的辐射问题进行了深入探讨。这份手册不仅适用于航天领域,也对地面和工业环境中的电子设计者极具价值。 手册共分为八章,内容涵盖广泛的辐射知识: **第一章:辐射环境** 1.1 航天辐射环境:介绍了太空中各种辐射源,如太阳粒子事件、银河宇宙射线和地球辐射带,以及它们对电子设备的影响。 1.2 地球辐射环境:讨论了地球大气层对不同能量辐射的吸收和散射情况,以及地表的辐射状况。 1.3 人工辐射环境:关注由核设施、医疗设备或高能粒子加速器等产生的辐射环境。 **第二章:物质中的辐射效应** 2.1 辐射基础:解释了辐射的基本概念,包括类型、能量和剂量。 2.2 物质中的粒子相互作用:阐述了辐射粒子与物质相互作用的机制,如电离、激发等。 2.3 线性能量转移(LET):定义了LET并探讨其在评估辐射损伤中的重要性。 2.4 辐射屏蔽:讨论了不同材料对辐射的屏蔽效果及其选择原则。 **第三章:剂量效应下的电子设备辐射效应** 3.1 总电离剂量效应:讨论了长期累积辐射剂量对电子元器件性能的影响。 3.2 撞击位移损伤:讲述了原子在高能辐射下被撞击出原有位置导致的材料性能变化。 **第四章:单事件效应** 4.1 破坏性和非破坏性单事件效应:区分了两种不同类型的效果,包括对电路功能的暂时或永久影响。 4.2 单事件瞬变:详细解释了所有单事件效应的基础——瞬态现象。 4.3 数字和模拟单事件瞬变:比较了这两种系统中的瞬变响应差异。 4.4 单事件翻转:讨论了存储元件由于单个粒子引发的状态变化。 4.5 单事件功能中断:阐述了辐射导致的系统级功能中断。 4.6 单事件锁定(SEL):解释了如何防止和处理SEL,以保护电路不受损害。 4.7 单事件门破裂和单事件烧断:分析了这些可能导致设备失效的现象。 4.8 立即剂量效应:探讨了高剂量率辐射的即时影响。 **第五章:按技术划分的辐射敏感性** 5.1 总电离剂量:根据不同的半导体工艺和技术评估电子设备对总电离剂量的敏感度。 5.2 单事件效应:讨论了各种技术在抵抗单事件效应方面的表现。 **第六章:减轻辐射效应的方法** 6.1 偶然的辐射坚固性:探讨了设计过程中不可预见的辐射防护特性。 6.2 工艺级别的辐射硬化:介绍通过改进制造过程来提高电子设备的抗辐射能力。 6.3 设计层面的辐射硬化 - 组件配置解决方案:讨论了通过优化组件组合来增强系统抗辐射性。 6.4 设计层面的辐射硬化 - 布局解决方案:强调布局设计在减少辐射影响中的作用。 6.5 设计层面的辐射硬化 - 电路冗余解决方案:介绍了通过冗余设计提高系统的可靠性。 **第七章:辐射测试与资格认证** 7.1 总电离剂量测试:描述了测试电子设备耐受总电离剂量的方法和标准。 7.2 单事件效应测试:涵盖了检测和量化单事件效应的技术。 7.3 撞击位移剂量测试 - 中子测试:讨论了中子引起的位移损伤的测试手段。 7.4 剂量率或立即剂量测试:分析这些测试对于评估高速辐射影响的重要性。 7.5 地球表面中子和α粒子测试:介绍了地面环境下的特定测试条件。 7.6 德州仪器的辐射测试哲学:阐述了TI在辐射测试方面的方法和理念。 **第八章:德州仪器的辐射硬化产品** 本章详细介绍了TI提供的各种辐射硬化产品,包括芯片、模块和系统解决方案及其在实际应用中的表现与优势。 《电子产品辐射手册-TI》是一份全面而实用的参考资料,为电子工程师提供了理解和应对辐射影响的知识,确保设备在各种环境下的稳定性和可靠性。无论是设计、测试还是选型,手册都提供了宝贵的指导。
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    本课程深入讲解Xilinx AXI和AXI-4协议在Verilog硬件描述语言中的实现方法与技巧,适合FPGA开发者学习。 Xilinx官网提供了AXI-4协议的Master/Slave代码(Verilog)。这些资源可以帮助开发者更好地理解和实现基于AXI-4总线接口的设计。
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  • 与主器之间全相联、直接及组相联的差异分析
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    本文章深入探讨了计算机系统中缓存与主存储器之间的三种主要映射方式——全相联、直接映射和组相联的特点及其性能差异,为优化内存访问提供理论基础。 本段落详细介绍了cache缓存与主存之间的三种映射方式及其区别。这三种方式分别是直接映射、全相联映射以及组相连映射。每种方法都有其独特的特点,适用于不同的应用场景和技术需求。 1. **直接映射**:在这种模式下,每个cache行只对应一个特定的内存块位置。这种方式简单高效,但可能会导致较高的冲突丢失率。 2. **全相联映射**:这种情况下,主存中的每一个块都可以被放置在缓存的任何一个位置上。这极大地减少了直接映射中可能发生的替换问题,但是会增加硬件复杂度和成本。 3. **组相连映射**:这是直接映射与全相联映射之间的一种折衷方案。它将cache划分为多个小组,并且每个主存储块只可以被放入特定的几个缓存行内,这在一定程度上减少了冲突丢失的同时保持了硬件实现上的相对简单性。 每种方法都有其适用场景和优缺点,在实际应用中需要根据具体情况进行选择。
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