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Matlab忆阻器GUI_memristor.m

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简介：
本GUI程序Matlab忆阻器_memristor.m用于模拟和可视化忆阻器特性，支持用户自定义参数，便于研究非线性系统与神经网络应用。 作为Matlab初学者，我有许多东西需要学习。当前的源代码可以实现忆阻器的I-V曲线绘制功能，但是不够灵活，参数如ratio、v0、ω0必须手动调整。我希望将这些参数设置为可调节范围，并且不知道如何操作。如果直接在方程中使用变量替换参数的话，能否成功求解呢？若能够求解，在得到结果s后，又该如何将参数替换成具体的数值？似乎subs函数只能用于替换t。我希望能够扩展这个程序的功能，并参考网上的Mathematica实现的例子来改进我的代码。下一步是创建GUI并加入动画效果，希望可以做得更好一些。

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  • Matlab忆阻器GUI_memristor.m
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    本GUI程序Matlab忆阻器_memristor.m用于模拟和可视化忆阻器特性，支持用户自定义参数，便于研究非线性系统与神经网络应用。 作为Matlab初学者，我有许多东西需要学习。当前的源代码可以实现忆阻器的I-V曲线绘制功能，但是不够灵活，参数如ratio、v0、ω0必须手动调整。我希望将这些参数设置为可调节范围，并且不知道如何操作。如果直接在方程中使用变量替换参数的话，能否成功求解呢？若能够求解，在得到结果s后，又该如何将参数替换成具体的数值？似乎subs函数只能用于替换t。我希望能够扩展这个程序的功能，并参考网上的Mathematica实现的例子来改进我的代码。下一步是创建GUI并加入动画效果，希望可以做得更好一些。
     
  • 忆阻器仿真的Mfile-Matlab: 忆阻器仿真开发(matlab)
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    本资源提供了一套用于Matlab环境下的忆阻器仿真代码（M-file），旨在帮助科研人员和学生快速搭建并研究忆阻器电路模型及其特性。 使用 MATLAB 对纳米级 ReRAM 单元进行操作分析。
     
  • Matlab忆阻器(Memristor)-Matlab_memristor2.pdf
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    本PDF文档深入探讨了在MATLAB环境下模拟和分析忆阻器（Memristor）的方法和技术，提供了详细的编程实例与理论讲解。 作为Matlab初学者，我有很多东西需要学习。现有的源代码可以实现忆阻器的I-V曲线绘制功能，但不够灵活，必须手动调整参数。我希望将其中的参数ratio、v0、ω0变成可调节范围内的，并且不知道如何操作。如果直接将这些参数放入方程中求解的话，是否可行？若能成功求解，在得到结果s后，又该如何把参数替换成具体的数值呢？我听说subs函数只能替换t变量，但似乎不适用于这种情况。 此外，我在网上找到了一个Mathematica实现忆阻器I-V特性的例子。接下来的计划是创建GUI界面，并尝试加入动画效果。希望有人能帮助扩展这个程序，以便能够更好地完成我的目标。
     
  • 忆阻器模型：用MATLAB进行的记忆电阻器模拟
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    本简介探讨了利用MATLAB软件工具对记忆电阻器（忆阻器）建模与仿真研究，旨在深入理解其工作原理和特性。 记忆电阻器（忆阻器）是继传统元件R、L 和 C之后的第四种基本无源非线性元件。忆阻器的概念由LO Chua在1971年提出，但直到最近才被HP实验室的研究人员重新发现并引起关注。预计其将在理论研究和纳米电子行业中产生重大影响。本段落是在Simulink/Matlab环境中对忆阻器进行模拟，并采用了Dmitri B. Strukov等人及自然杂志与Yogesh N. Joglekar等人的研究成果中的参数值构建模型。
     
  • Matlab忆阻器模拟-memristor-memristor.m
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    本资源提供了一个MATLAB脚本memristor.m，用于模拟和分析忆阻器（memristor）的行为特性。通过该工具可以深入研究忆阻器在不同条件下的电阻变化规律及其应用潜力。 作为Matlab初学者，我有很多东西要学习。现在我在使用一个名为memristor-memristor.m的源代码来实现忆阻器的I-V曲线功能，但这个程序不够灵活，需要手动调整参数ratio、v0 和 ω0。我想将这些参数设置为可调节范围内的值，但是不知道如何操作。如果直接把参数放入方程中能否求解也是一个疑问，在获得结果s后，我还想知道怎样将参数替换为具体的数值，我听说可以使用subs函数来实现这一点，但该函数似乎只能替换单个变量t。我希望有人能帮助扩展这个程序，并且在网上找到了一个Mathematica的实现例子（关于忆阻器I-V特性的演示）。我的下一步是创建GUI并添加动画功能，希望能把这个项目做得更好。
     
  • memristive_MNNs_code.zip_忆阻_忆阻matlab_忆阻器模型_忆阻神经网络同步性的实现
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    本资源包包含用于研究和仿真基于忆阻器的神经网络（MNN）的相关MATLAB代码，重点在于实现忆阻器模型及其在神经网络同步性中的应用。 构建了一个简单的忆阻神经网络的MATLAB模型，并设计了自适应控制器以实现驱动-响应同步。
     
  • 忆阻器及其工作原理（MATLAB）
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    本文介绍了忆阻器的基本概念和工作原理，并通过MATLAB进行了模拟分析，帮助读者理解其在电路设计中的应用。 忆阻器（Memory Resistor）是一种具备非易失性存储功能的电子元件，其特性是电阻值可以依据之前流过的电流历史进行改变并保持不变。这种能力使得忆阻器在数据存储、神经网络模拟及高速计算等领域展现出巨大的潜力。 该概念最初由IBM科学家于20世纪70年代提出，但直到近年来随着微纳米技术的进步，忆阻器才开始进入实际应用的研究阶段。其工作原理基于内部的物理机制：通常使用电导突变材料（如氧化物）作为核心组件，在施加电压时这些材料的电导状态会发生变化。这种变化可以是可逆或不可逆的，“记忆”住过去的状态。 在MATLAB环境下，可以通过电路仿真工具Simulink或SPICE模型来模拟忆阻器的V-I特性曲线。通过调整参数生成不同的V-I曲线，并分析其工作模式如线性区和非线性区等。首先需要建立数学模型描述电导与电压的关系式（例如霍尔效应忆阻器方程I = G(V) * (V - Vt)，其中G是电导，V为电压，Vt为阈值电压），然后在MATLAB中设置参数运行仿真，并绘制出结果的V-I图。 忆阻器的应用前景广阔。它可以用于制造下一代非易失性存储器如ReRAM（忆阻式随机访问存储器），具有高速、低功耗和高密度的特点；同时，由于其非线性和动态行为特性，在神经网络模拟中表现出色，有助于实现高效的机器学习与人工智能算法。此外，它还能构建新型计算架构解决传统冯·诺依曼架构中的瓶颈问题。 总而言之，忆阻器是一种创新的电子元件，为信息处理和存储提供了新的可能性。通过MATLAB等工具进行仿真研究可以加深对其工作原理的理解，并探索更多潜在应用领域。
     
  • MATLAB.zip_忆阻与混沌电路_忆阻器_MATLAB仿真
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    本资源包提供了关于忆阻器及其在混沌电路应用中的MATLAB仿真代码。通过这些材料，用户能够深入理解忆阻器的工作原理，并探索其在复杂系统建模和分析方面的潜力。 关于基于忆阻器的混沌电路设计的MATLAB程序。