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DDR4的要求规范

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简介：
《DDR4的要求规范》一文深入探讨了第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器的技术标准与性能要求，涵盖了其在速度、功耗及兼容性方面的革新特点。 1. DDR：动态随机存储器 2. tRC：行循环时间 3. tRCD：从行有效到读/写命令发出的时间间隔 4. tRRD：行激活到激活延迟时间 5. tCK：时钟周期 6. AL（Additive latency）：附加的潜伏期 7. RL（Read latency）：读选通潜伏期 8. WL（Write latency）：写选通潜伏期 9. CL（CAS Latency）：列地址脉冲选通潜伏期 10. tAC（Access Time from CLK）：时钟触发后的访问时间 11. BL (Burst Lengths) ：突发长度 12. tRP（Row Precharge command Period）：行预充电有效周期 13. DQS：数据选取脉冲 14. Precharge：预充电 15. Refresh：刷新，包括AR（自动刷新）、SR（自刷新） 16. DLL：延迟锁定回路

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  • DDR4的要求规范
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    《DDR4的要求规范》一文深入探讨了第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器的技术标准与性能要求，涵盖了其在速度、功耗及兼容性方面的革新特点。 1. DDR：动态随机存储器 2. tRC：行循环时间 3. tRCD：从行有效到读/写命令发出的时间间隔 4. tRRD：行激活到激活延迟时间 5. tCK：时钟周期 6. AL（Additive latency）：附加的潜伏期 7. RL（Read latency）：读选通潜伏期 8. WL（Write latency）：写选通潜伏期 9. CL（CAS Latency）：列地址脉冲选通潜伏期 10. tAC（Access Time from CLK）：时钟触发后的访问时间 11. BL (Burst Lengths) ：突发长度 12. tRP（Row Precharge command Period）：行预充电有效周期 13. DQS：数据选取脉冲 14. Precharge：预充电 15. Refresh：刷新，包括AR（自动刷新）、SR（自刷新） 16. DLL：延迟锁定回路
     
  • DDR4规范.pdf
    优质
    《DDR4规范》是一份详细介绍第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器（DDR4 SDRAM）技术标准的文档，涵盖了其性能参数、电气特性及应用要求等内容。 大家可以参考DDR4 288pin内存封装规格书。
     
  • DDR4 SODIMM设计规范V100 20140701（DDR4协会规范）
    优质
    该文档为DDR4协会制定的SODIMM模块设计标准版本1.0，发布日期为2014年7月1日，旨在指导DDR4 SODIMM的设计与制造。 DDR4_SODIMM_Design_Specification_V100_20140701 这是关于DDR4 SODIMM的设计规范文档版本号为V100，发布日期是2014年7月1日。
     
  • JEDEC规范的DDR4 DIMM
    优质
    JEDEC规范的DDR4 DIMM是一种遵循JEDEC标准设计的内存模块，提供更高的数据传输速率和更低的功耗，广泛应用于高性能计算和服务器领域。 设计DDR4内存走线时可以参考相关资料，其中包含管脚序列定义及走线拓扑的指导。
     
  • DDR4接口规范
    优质
    DDR4接口规范是针对新一代内存条设计的标准协议，旨在提供更高的数据传输速率、更低的工作电压以及更强的可靠性与稳定性。 这是一份DDR4标准文档，硬件工程师可能会用到。谢谢。
     
  • DDR4规范文档
    优质
    《DDR4规范文档》提供了关于第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器（DDR4 SDRAM）的技术规格和设计指南，是内存制造商、系统设计师及工程师不可或缺的参考资源。 DDR4标准文档 JESD79-4___DDR4_SDRAM.pdf包含了有关DDR4 SDRAM的详细技术规范和参数。这份文件对于了解和应用DDR4内存的技术细节非常有用。
     
  • DDR4 JEDEC规范PDF
    优质
    本PDF文档详尽介绍了DDR4内存的标准规范，依据JEDEC组织制定的技术参数和设计指南，适用于技术开发与研究。 DDR4是双倍数据速率第四代同步动态随机存取内存的简称，由JEDEC固态技术协会制定的一套内存规范标准。该组织发布的官方文档包括JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C三个版本，详细阐述了DDR4的技术细节、性能指标以及兼容性要求。 相比前一代的DDR3，DDR4主要改进如下： 1. **更高的频率与带宽**：初始规格为2133 MTs（每秒传输次数），比DDR3的1600 MTs有显著提升，最高可达3200 MTs甚至更高。这提升了系统整体性能，尤其是在处理大量数据时表现更佳。 2. **更低的工作电压**：DDR4的工作电压降至1.2V，相比DDR3的1.5V或1.35V更低，降低了功耗，并有助于节能和散热。 3. **Bank Groups架构**：每个DRAM芯片可以包含多个Bank Group，增强了并发操作能力，提高了内存访问效率。 4. **增加Bank数量**：DDR4内存条的Bank数量从DDR3的8个增至16个，进一步提升了并发处理能力。 5. **On-Die Termination (ODT)**：支持片上终结（On-Die Termination），可以减少信号反射，改善数据传输质量。 6. **命令地址总线的预取位数增加**：DDR4的预取位数从8位增至16位，每个时钟周期可传输更多数据，从而提高内存带宽。 7. **错误校验支持**：DDR4内存支持更高级别的ECC（Error Correction Code）功能，提供更强的数据完整性保护，适合服务器和数据中心应用。 8. **新的引脚定义和物理尺寸**：DDR4内存模块的引脚布局及物理尺寸有所改变，以确保与DDR3互不兼容，避免安装错误。 JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C这些文档可能分别代表不同版本或修订的DDR4规范。它们涵盖了技术细节、电气规范、测试方法以及接口定义等内容。对于硬件设计师、系统架构师及内存开发者而言，深入理解这些文档非常重要，有助于设计出符合标准且性能优越的DDR4内存系统。
     
  • DDR4 Jedec规范V4 (SPD)
    优质
    该文档是关于DDR4 JEDEC标准第四个版本（包含SPD信息）的技术规格书，详述了内存模组的设计与操作参数。 DDR4 SPD Jedec规范 V4标准规范文件对编写DDR4内存SPD非常有帮助。
     
  • DDR4规范文档.pdf
    优质
    该文档为DDR4内存技术的标准规范文件，详述了DDR4 SDRAM的设计要求、操作模式及性能参数等关键信息。 此文档定义了DDR4 SDRAM规范，包括其特性、功能、电气特性和封装及引脚/信号分配等内容。该标准的目的是为JEDEC兼容的2Gb至16Gb x4、x8和x16 DDR4 SDRAM设定最低要求。
     
  • DDR4 SDRAM JEDEC SPD规范
    优质
    《DDR4 SDRAM JEDEC SPD规范》详细介绍了JEDEC为DDR4内存制定的标准参数配置描述（SPD）规范，指导内存模块与系统的兼容性和优化。 JEDEC DDR4 SDRAM SPD规范定义了DDR4 SPD每个字节的含义。