具有高电源抑制比的无片外电容LDO设计

简介：
本研究提出了一种新型低-dropout调节器(LDO)设计方案，在无需外部电容的情况下实现了高效的电源噪声抑制性能，适用于对稳定性有较高要求的应用场景。 本段落设计了一种高电源抑制比（PSR）的无片外电容CMOS低压差线性稳压器（LDO），适用于射频前端芯片供电。通过对全频段电源抑制比进行详细分析，提出了一种增强电路模块，使得在100 kHz和1 MHz处的PSR分别提高了40 dB和30 dB。此外，加入串联RC补偿网络以确保电路稳定性，并且在LDO输出至误差放大器输入的反馈回路中引入低通滤波模块，从而减少了由于不同负载引起的反馈回路影响。 该设计采用UMC 65 nm RF CMOS工艺进行实现和仿真。整个芯片面积为0.028 mm²。仿真结果显示，所提出的LDO具有86.8°的相位裕度，在100 kHz处PSR达到-84.4 dB且输出噪声为8.3 nV/√Hz；在1 MHz频率点上，则能达到-50.6 dB PSRR和6.9 nV/√Hz输出噪声水平。这些性能指标表明该LDO非常适合用于供电对噪声敏感的射频电路。