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功率MOSFET的雪崩击穿问题分析.pdf

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简介:
本文档深入探讨了功率MOSFET在遭遇高电压瞬态时面临的雪崩击穿现象,通过理论分析与实验验证相结合的方法,揭示其内在机制并提出相应的优化策略。 功率MOSFET雪崩击穿问题分析探讨了导致该现象的原因,并研究了在故障情况下能量耗散与器件温度升高的关系。相较于传统的双极性晶体管,在反向偏置状态下,MOSFET的雪崩击穿过程不依赖于“热点”,但电气量的变化却非常复杂。寄生元件在MOSFET雪崩击穿过程中扮演关键角色,其中寄生晶体管被激活导通是主要原因之一。当发生雪崩击穿时,器件内部能量耗散会导致温度急剧上升。

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  • MOSFET穿.pdf
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    本文档深入探讨了功率MOSFET在遭遇高电压瞬态时面临的雪崩击穿现象,通过理论分析与实验验证相结合的方法,揭示其内在机制并提出相应的优化策略。 功率MOSFET雪崩击穿问题分析探讨了导致该现象的原因,并研究了在故障情况下能量耗散与器件温度升高的关系。相较于传统的双极性晶体管,在反向偏置状态下,MOSFET的雪崩击穿过程不依赖于“热点”,但电气量的变化却非常复杂。寄生元件在MOSFET雪崩击穿过程中扮演关键角色,其中寄生晶体管被激活导通是主要原因之一。当发生雪崩击穿时,器件内部能量耗散会导致温度急剧上升。
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