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JESD规范(涵盖DDR3和DDR4标准)

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简介:
该压缩文件囊括了JESD标准规范的JESD79-3F(针对DDR3标准规范)以及JESD79-4A(适用于DDR4标准规范),为希望更全面地掌握DDR3和DDR4技术的读者提供了有益的参考资料。

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  • JEDECDDR3DDR4
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    本资料详细介绍了由JEDEC组织制定的DDR3和DDR4内存技术的标准规范,包括电压、频率、时序等参数要求。 压缩文件包含了JESD标准规范中的JESD79-3F(DDR3标准规范)和JESD79-4A(DDR4标准规范),对于深入了解DDR3和DDR4具有一定的参考价值。
  • DDR2、DDR3DDR4DDR5
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    本文介绍四种内存标准(DDR2至DDR5)的技术特点和发展历程,分析它们之间的差异及应用场景。 这段文字涵盖了DDR2、DDR3、DDR4以及DDR5的规范,并且还包括了测试指导、布局指南以及硬件设计指导。
  • DDR4-JEDEC79-4
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    《DDR4标准规范-JEDEC79-4》是美国电子设备工程师协会(JEDEC)制定的数据传输标准,详细规定了DDR4内存的技术规格与性能参数。 本段落介绍了JEDEC协会于2012年发布的DDR4 SDRAM标准协议JESD79-4。该协议经过了JEDEC董事会层级的准备、审查和批准,并进行了后续的审查工作。作为一种高速内存技术,DDR4 SDRAM具备更高的带宽以及更低的功耗,适用于各类计算机与服务器应用中。此标准详细规定了DDR4 SDRAM在物理特性、电气性能及时间规范方面的具体要求,并阐述了其功能特点。此外,该协议还涵盖了DDR4 SDRAM的相关测试和可靠性需求,确保其能够在各种应用场景下保持稳定且可靠的表现。
  • DDR3协议
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    《DDR3协议标准规范》是一部详尽阐述了DDR3内存技术规格与操作要求的技术文档,旨在指导硬件设计师正确实施并优化DDR3内存模块的应用。 DDR3的协议规范描述了DDR3内存的标准协议。这段文字无需包含任何联系信息或网站链接。
  • JESD-DDR4 注册时钟驱动器 PDF
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    本PDF文档详细介绍了JESD-DDR4注册时钟驱动器的设计与实现标准,包含参数设置、性能评估及兼容性要求等内容。 本段落介绍了2016年8月发布的JEDEC标准JESD82-31,即DDR4 Registering Clock Driver。该标准经过JEDEC董事会的审查,并包含了DDR4 Registering Clock Driver的相关规范和要求。文章还提供了下载JESD-DDR4 Registering Clock Driver Spec PDF文档的信息。
  • DDR5, DDR4, LPDDR5, LPDDR4 及 JEDEC
    优质
    本资源深入解析了DDR5、DDR4、LPDDR5及LPDDR4等内存技术,并详述JEDEC标准规范,适用于存储器技术和硬件开发人员。 最新的协议标准可以在JEDEC官网查阅,仅供学习使用。那些出售这些资料的人良心何在?等到JEDEC的律师函来了就开始收割利润了。相关的文档包括DDR5 JESD79-5.pdf、DDR4 JESD79-4C.pdf、LPDDR5 JESD209-5B.pdf和LPDDR4 JESD209-4D.pdf,其中JESD79-5的价格为369美元。
  • DDR3解析,依据JESD79-3F
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    本文章深入剖析DDR3内存技术规范,全面解读JESD79-3F标准,旨在帮助读者理解其工作原理、性能特点及应用优势。 ### DDR3协议解读基于JESD79-3F规范 #### 一、概述 DDR3内存技术作为计算机系统中的重要组成部分,其规范由JEDEC(电子器件工程联合委员会)发布并维护。本段落将依据JESD79-3F规范对DDR3内存的关键特性和行为进行深入解读。 #### 二、基本信息 DDR3是一种高速动态随机访问存储器(SDRAM),具有以下特点: 1. **Bank结构**:包含8个bank。 2. **预取架构**:采用8n预取,意味着每八个数据位被预取一次。 3. **数据传输**:每个时钟周期可传输两个数据单位。 4. **突发长度**:可以是固定的8、固定为4或根据命令控制。 #### 三、操作机制 1. **行激活**:在读写之前,需要先激活要访问的行,并同时选择对应的bank。 2. **刷新操作**:完成读写后需进行刷新以关闭已打开的行并准备新的行访问。 #### 四、刷新机制 DDR3内存定期执行刷新来维持数据完整性。包括以下两种类型: - **自刷新**:由芯片自动处理。 - **控制器发送命令**:通过外部控制器发出指令完成刷新任务。 利用刷新计数器记录每次的刷新次数,确保所有行在规定时间内(例如64ms)至少被刷新一次。如需在64ms内完成8192次刷新,则每一次间隔为7.8us。当内存中的行数量较多时,单次操作可能涉及多个bank。 #### 五、状态机 DDR3的操作可通过状态机模型描述: - **空闲**:等待命令。 - **读写**:执行数据的读取或写入。 - **激活**:选择要访问的行和bank。 - **刷新**:进行内存刷新操作以保持数据完整性。 #### 六、上电初始化 DDR3内存的启动过程包括以下几个步骤: 1. 上电后: - RESET#需要持续低电压至少200us,CKE需在10ns内维持低电平状态。 - 供电电压从300mV升至VDD的时间不超过200ms。同时保证VDD和VDDQ由同一电源提供。 2. 内部初始化: - RESET#释放后,在500us之后CKE变为有效(高电位)以启动DRAM内部状态机的初始化过程。 3. 时钟与命令同步: - 在CKE激活前,确保CK和CK#信号稳定至少10ns或五个周期。地址线必须保持NOP或DES指令模式。 4. 终端管理: - DDR3 SDRAM将片内终端置于高阻态;ODT输入状态在上电序列完成且tDLLK及tZQinit期满后确定。 5. 模式寄存器初始化: - 通过发送MRS命令来设置模式寄存器的初始值。 6. ZQ校准启动: - 发送ZQCL指令开始ZQ校准过程。 #### 七、复位初始化 复位流程类似于上电初始化,包括以下步骤: 1. 触发重置信号:将RESET#拉至0.2VDD电压之下,并保持低电平至少100ns。 2. 管理CKE以确保在有效之前维持低电平状态。 3. 执行与上电类似的操作流程。 #### 八、模式寄存器 DDR3内存中的四个模式寄存器用于配置工作参数。需要通过MRS命令初始化这些寄存器,且不能仅修改部分位域值。 ### 结论 本段落详细解释了依据JESD79-7F规范的DDR3内存操作方式及其状态转换规则。理解并遵循此规范对于确保系统性能和稳定性至关重要,特别是在高性能计算环境中使用时更是如此。
  • JESD与MSL测试
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    本文将详细介绍JEDEC标准和MSL测试规范的相关内容,包括其定义、应用范围以及在电子制造业中的重要性。通过深入解析这些行业标准,帮助读者理解如何确保产品的可靠性和兼容性。 JESD规范-MSL测试规范!JESD规范-MSL测试规范!JESD规范-MSL测试规范!JESD规范-MSL测试规范!
  • JESD 204B 详解
    优质
    《JESD 204B规范详解》深入剖析了该标准的关键技术细节,涵盖数据转换器与数字信号处理器之间的高速接口设计,旨在帮助工程师理解并有效应用这一重要通信协议。 随着转换器分辨率与速度的提升,对更高效接口的需求也日益增长。JESD204接口能够满足这一需求,在速度、尺寸及成本方面相较于CMOS和LVDS等传统接口拥有显著优势。采用该标准的设计可以实现更高的接口速率,并支持更高采样率的模数转换器(ADC)。此外,引脚数量减少有助于减小封装面积并简化布线设计,从而降低电路板复杂度与整体系统的制造成本。JESD204标准具备灵活性和可扩展性,能够适应未来技术的发展趋势。 最初版本于2006年4月发布,该版定义了转换器与接收设备(如FPGA或ASIC)之间高速串行数据链路的通信协议。
  • DDR2、DDR3DDR4、DDR5及测试、布局硬件设计指南
    优质
    本书提供了关于DDR2到DDR5内存技术的全面指南,包括规范解析、测试方法、布局建议以及硬件设计策略,是工程师和技术爱好者的理想参考。 DDR2、DDR3、DDR4 和 DDR5 规范以及相关的测试指导、布局指南和硬件设计指导。