(完整版)《模拟电子技术基础》知识点总结.doc

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本文档为《模拟电子技术基础》课程的知识点总结，全面覆盖了教材中的核心概念和应用实例，适合学生复习及巩固知识使用。 ### 模拟电子技术基础知识点总结 #### 第一章 半导体二极管 ##### 一、半导体的基础知识 1. **定义**: 半导体是一种介于导体和绝缘体之间的材料，常见的半导体包括硅（Si）和锗（Ge）。 2. **特性**: - 光敏性: 在光的作用下其电性能会发生变化。 - 热敏性: 温度的变化会影响它的电性能。 - 掺杂性: 可以通过掺入特定杂质来改变导电能力。 3. **本征半导体**: 是指纯净且具有单晶体结构的半导体材料。 4. **载流子**: - 电子: 带负电荷。 - 空穴: 实际上是由于缺少一个电子而形成的正电荷载体。 5. **杂质半导体**: 在本征半导体中掺入微量杂质形成，主要通过掺杂特性实现。 - P型半导体: 掺入三价元素（如硼），多子为**空穴**，少子为**电子**。 - N型半导体: 掺入五价元素（如磷），多子为**电子**，少子为**空穴**。 6. **杂质半导体的特性** - 载流子浓度：多子浓度由掺杂决定，而少子则随温度变化。 - 体电阻：指材料自身的电阻值。 - 结构转变: 改变掺杂类型可以实现从P型到N型的变化。 7. **PN结** - 接触电位差: 硅约为0.6~0.8V，锗为0.2~0.3V。 - 单向导通性：正偏时导通，反偏时截止。 - 伏安特性 - 正向压降: 硅管约0.6-0.7V, 锗管约0.2-0.3V。 - 死区电压: 硅管约为0.5V，锗为0.1V。 8. **二极管的分析方法** - 图解法：通过伏安特性曲线确定静态工作点。 - 微变等效电路法：适用于小信号分析, 考虑动态电阻的影响。 9. **稳压二极管及其应用** - 特性: 稳定电压，一般用于电源中的稳定元件，在反向击穿区运作。 #### 第二章 三极管和基本放大电路 ##### 一、三极管的结构与类型 1. 类型：NPN 和 PNP 型。 2. 结构特点： - **基区**薄，掺杂浓度低； - **发射区**高且接触面积小; - **集电区**也较高但接触面积大。 ##### 二、三极管的工作原理 1. 组态：共射（最常用）、共基和共集。 2. 内部电流分布： - 输入特性曲线: 类似于PN结的伏安特性； - 输出特性曲线: 描述不同发射极电流下的集电极电压与电流关系。 3. 共射电路 - 特性：输入、输出和温度影响。 ##### 三、低频小信号等效模型 1. **参数**： - 输入电阻（hie）； - 正向传输比（hfe，β值）； 2. 简化分析方法：适用于小信号的简化电路图。 ##### 四、基本放大电路组成及其原则 1. 组成元件: - VT: 三极管。 - VCC: 工作电压； - Rb, Rc : 偏置电阻和负载电阻; - C1，C2：耦合电容。 2. 设计原则： - 放大信号而不失真 - 确保信号传输到负载 3. 分析方法: - 直流通路与静态分析: 静态工作点。 - 交流通路与动态分析：放大过程； 通过以上总结，可以了解到《模拟电子技术基础》主要涵盖了半导体基础知识、二极管特性及应用、三极管结构和运作原理以及基本放大电路的设计等方面的内容。这些知识是理解并掌握模拟电子技术的基础。