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Solidigm 第五代 3D NAND (Q5171A) 闪存芯片

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简介：
Solidigm Q5171A是公司第五代3D NAND闪存芯片，采用先进工艺技术，提供卓越的数据传输性能和存储容量，适用于数据中心及企业级应用。 ### Solidigm 3D NAND Gen 5 (Q5171A) Flash Memory Die 知识点解析 #### 一、概述 Solidigm 3D NAND Gen 5（Q5171A）是一款高性能的闪存芯片，适用于各种存储解决方案。本段落将详细解析其规格和技术特性，帮助读者更深入地理解这款产品的功能与优势。 #### 二、关键特性 1. **Open NAND Flash Interface (ONFI) 4.2 合规性：** - 这款芯片遵循最新的 ONFI 标准，确保了与现有系统的兼容性和互操作性。 - 支持高达1.6 GTs的读写吞吐量，大大提高了数据处理速度。 2. **IO性能：** - 时钟速率为1.25 ns。 - 每个引脚可以达到1.6 GTs的数据传输速率。 3. **工作电压范围：** - VCC（核心电压）: 2.35V 至 3.6V - VCCQ（IO电压）: 1.14V 至 1.26V - 宽泛的电压设计保证了芯片在不同环境下的稳定运行。 4. **命令集：** - 支持ONFI NAND Flash协议。 - 具有高级功能，包括页面缓存编程、随机顺序结束读取缓存等。 5. **操作状态字节：** - 提供软件方法来检测操作完成情况及写保护状态。 6. **数据选通信号(DQS)：** - 同步DQ接口中的数据传输，提高准确性和效率。 7. **片上终止(ODT)：** - 减少信号反射和提升信号完整性。 8. **工作温度范围**： - 0°C 至 +70°C - 能在广泛的温度范围内正常运作。 9. **物理规格**: - 尺寸: 10.165 mm × 7.212 mm - 每个晶圆的最大芯片数量为864个。 - 其他详细信息如焊盘位置、标识、钝化开口尺寸及金属成分等参见手册中的表格。 #### 三、订购信息 Solidigm 3D NAND Gen 5（Q5171A）提供两种不同的产品选项： - **171 GB QLC 300 mm晶圆** - MM#：99AJKKX29F01P0U3AQL1 SLNZB - 工作电压：3.3V 和 1.2V - 技术：3D Gen 5 - **171 GB QLC 300 mm晶圆** - MM#：99AJKJX29F01P0C3AQL1 SLNZA - 工作电压：3.3V 和 1.2V - 技术：3D Gen 5 如需其他未列出的产品或晶圆，请联系当地的Solidigm代表。 #### 四、修订记录 - **001版**：初始文档，发布于2022年3月。 - **002版**：更新订购信息，发布于2022年6月。 #### 五、总结 Solidigm 3D NAND Gen 5（Q5171A）以其高性能、宽电压范围和高级命令集，在存储解决方案中表现出卓越的性能与可靠性。无论是消费者级还是企业级应用，这款闪存芯片均提供了可靠的数据存储方案。

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  • Solidigm 第五代 3D NAND (Q5171A) 闪存芯片
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    Solidigm Q5171A是公司第五代3D NAND闪存芯片，采用先进工艺技术，提供卓越的数据传输性能和存储容量，适用于数据中心及企业级应用。 ### Solidigm 3D NAND Gen 5 (Q5171A) Flash Memory Die 知识点解析 #### 一、概述 Solidigm 3D NAND Gen 5（Q5171A）是一款高性能的闪存芯片，适用于各种存储解决方案。本段落将详细解析其规格和技术特性，帮助读者更深入地理解这款产品的功能与优势。 #### 二、关键特性 1. **Open NAND Flash Interface (ONFI) 4.2 合规性：** - 这款芯片遵循最新的 ONFI 标准，确保了与现有系统的兼容性和互操作性。 - 支持高达1.6 GTs的读写吞吐量，大大提高了数据处理速度。 2. **IO性能：** - 时钟速率为1.25 ns。 - 每个引脚可以达到1.6 GTs的数据传输速率。 3. **工作电压范围：** - VCC（核心电压）: 2.35V 至 3.6V - VCCQ（IO电压）: 1.14V 至 1.26V - 宽泛的电压设计保证了芯片在不同环境下的稳定运行。 4. **命令集：** - 支持ONFI NAND Flash协议。 - 具有高级功能，包括页面缓存编程、随机顺序结束读取缓存等。 5. **操作状态字节：** - 提供软件方法来检测操作完成情况及写保护状态。 6. **数据选通信号(DQS)：** - 同步DQ接口中的数据传输，提高准确性和效率。 7. **片上终止(ODT)：** - 减少信号反射和提升信号完整性。 8. **工作温度范围**： - 0°C 至 +70°C - 能在广泛的温度范围内正常运作。 9. **物理规格**: - 尺寸: 10.165 mm × 7.212 mm - 每个晶圆的最大芯片数量为864个。 - 其他详细信息如焊盘位置、标识、钝化开口尺寸及金属成分等参见手册中的表格。 #### 三、订购信息 Solidigm 3D NAND Gen 5（Q5171A）提供两种不同的产品选项： - **171 GB QLC 300 mm晶圆** - MM#：99AJKKX29F01P0U3AQL1 SLNZB - 工作电压：3.3V 和 1.2V - 技术：3D Gen 5 - **171 GB QLC 300 mm晶圆** - MM#：99AJKJX29F01P0C3AQL1 SLNZA - 工作电压：3.3V 和 1.2V - 技术：3D Gen 5 如需其他未列出的产品或晶圆，请联系当地的Solidigm代表。 #### 四、修订记录 - **001版**：初始文档，发布于2022年3月。 - **002版**：更新订购信息，发布于2022年6月。 #### 五、总结 Solidigm 3D NAND Gen 5（Q5171A）以其高性能、宽电压范围和高级命令集，在存储解决方案中表现出卓越的性能与可靠性。无论是消费者级还是企业级应用，这款闪存芯片均提供了可靠的数据存储方案。
     
  • Solidigm 3D NAND Gen5 (Q5171A) Flash Memory Client Datasheet D
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    此文档为Solidigm公司发布的第五代3D NAND闪存（型号Q5171A）客户数据表，详述了该款固态硬盘的性能、规格及应用详情。 NAND闪存技术为需要高密度固态存储的应用提供了经济高效的解决方案。其中，四层单元（QLC）设备类型具有多种存储密度选项。 Solidigm 3D NAND Gen5 (型号Q5171A) 是一款采用先进QLC技术的闪存设备，适用于对成本效益和大容量有需求的应用场景。这款产品完全符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 4.2规范，并支持多种系统级性能优化功能。 ### 主要特点与功能 **兼容性**: Solidigm 3D NAND Gen5 符合 ONFI 4.2 规范，确保了良好的互操作性和广泛的适用性。详细信息可以在官方网站上查阅到。 - **IO性能** - 支持ONFI 4.2时序模式15。 - 操作频率：1.25ns。 - 数据传输速率：每引脚读写吞吐量为1.6GTs。 **电源电压范围**: - VCC: 2.35V 至 3.6V - VCCQ: 1.14V 至 1.26V **命令集** - 支持标准的ONFI NAND Flash协议。 - 高级功能包括页缓存编程、随机顺序结束读取缓存、读取唯一ID和eIMPRO等。 **数据预处理**: 外部主机需要对输入的数据进行随机化处理以确保最佳性能。 **初始化与状态检测** - 设备首次启动时需发送RESET命令。 - 操作状态字提供软件工具来监测操作完成情况，故障条件及写保护状态。 其他特性包括： - 数据选通（DQS）信号为硬件级数据同步机制提供了支持； - 支持On-Die Termination (ODT)； - 工作温度范围：0°C 至 +70°C； - 封装形式采用146球栅阵列(BGA)封装。 **QLC特性** - 页大小（x8）: 18,592字节(含用户数据和冗余数据) - 块大小：包含多个页面，具体数值根据应用而变化 - 平面大小：每个设备内有4个平面，各自由若干超级块组成 - QLC设备容量包括： - 1368Gb: 包含1016个超级块。 - 其它更大尺寸的存储选项。 **QLC阵列性能（VPP启用）** - 快速读取页面：典型值为83μs - 正常读取页面时间：典型值是110μs - 编程操作耗时：约为1400μs (典型) - 擦除甲板所需时间: 大约需要10ms（平均） ### 产品类型标识与密度 - **PF**表示无铅BGA封装。 - **29F**代表Intel® NAND Flash Memory系列 - 密度选项包括： - 01P：对应于QLC的1368 Gbit容量； - 其他更高存储量规格。 ### 总结 Solidigm 3D NAND Gen5（Q5171A）是一款高性能、高密度固态存储解决方案，它采用先进的QLC技术，并支持ONFI 4.2标准。该设备不仅具有强大的性能和可靠性，还具备广泛的接口兼容性，适用于各种需要大规模数据存储的应用场景中。
     
  • NAND闪存仿真模型
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    NAND闪存仿真模型是一种用于模拟和预测NAND闪存行为的计算机模型，有助于研究其性能、寿命及优化存储系统设计。 NAND闪存是一种非易失性存储技术，在智能手机、SSD固态硬盘及嵌入式系统等多种电子设备中有广泛应用。为了设计与验证NAND flash控制器（FC），通常会使用一种能够模拟真实NAND器件行为的仿真模型，帮助开发者在硬件实现之前进行功能测试和性能优化。 NAND闪存的主要特性包括： 1. 页编程：数据必须按页写入，每个页通常包含几千到几万字节。 2. 块擦除：在写入新数据前需先擦除整个块。该操作涉及大量单元。 3. 擦写次数有限：每个存储单元的PE周期是有限制的，超过限制后性能会下降或损坏。 4. 存储单元电荷陷阱效应导致读取错误，需要使用纠错码（ECC）来解决这一问题。 5. 多层次存储能力：现代NAND闪存可能具有多比特存储功能如SLC、MLC、TLC和QLC等，这增加了设计的复杂性。 构建有效的仿真模型需考虑以下主要组件： 1. 单元模型：模拟每个单元电气特性，包括阈值电压分布及老化效应。 2. 块与页管理机制：模拟实际NAND设备中的块和页结构，并处理擦除和编程操作。 3. 缓冲区管理功能：模仿内部缓冲区的读写操作并考虑数据传输速率以及延迟问题。 4. ECC算法集成：确保数据可靠性的纠错码，如BCH、LDPC等被整合进模型内。 5. 坏块处理机制：模拟坏块的存在及其应对措施，并包括预防性检测和动态映射等功能。 6. 接口仿真能力：根据标准接口协议（例如SPI、Parallel、ONFI或DMI）与主机进行通信。 通过NAND flash仿真模型，开发者可以： 1. 验证控制器的正确性：确保其能够妥善处理各种操作如读取、写入和擦除等。 2. 评估性能表现：在不同工作负载下模拟控制器的表现情况，包括速度以及功耗等因素。 3. 故障注入测试：故意引入错误以检验控制器容错机制的有效性。 4. 兼容性验证：确保控制器可以与各种型号的NAND闪存芯片良好配合。 文件名“NAND FLASH 的仿真模型 可以用来作个FC”可能涉及创建或使用此类仿真工具的相关指南，涵盖了从构建步骤到关键模块实现细节以及如何将其集成进设计流程等方面的信息。该资源对于那些从事相关领域工作的人员来说是非常重要的，有助于他们在硬件开发阶段提前发现并解决问题从而降低产品风险和成本。
     
  • Hynix NAND闪存数据手册
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    《Hynix NAND闪存数据手册》提供了关于Hynix公司生产的NAND闪存芯片的技术规格和使用指南，包括存储容量、接口类型及电气特性等信息。 Hynix H27UBG8T2A 数据手册提供了该内存芯片的详细技术规格和操作参数。文档包括了引脚定义、电气特性、时序要求以及应用指南等信息，帮助工程师更好地理解和使用这款存储器产品。
     
  • NAND与NOR闪存的区别详解
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    本文详细解析了NAND和NOR两种类型的闪存技术之间的区别，包括它们的工作原理、性能特点及应用场景。适合需要了解闪存技术差异的技术人员阅读。 本段落将介绍NAND flash和NOR flash的区别。
     
  • 基于FPGA的NAND闪存控制器
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    本项目设计并实现了一种基于FPGA的高效能NAND闪存控制器，旨在优化数据读写性能和延长存储设备寿命。通过硬件加速技术提高系统响应速度与可靠性，在嵌入式及数据中心领域具有广泛应用前景。 在便携式电子产品如U盘、MP3播放器及数码相机中，通常需要大容量且高密度的存储设备。各种类型的闪存（Flash）器件中，NAND Flash因其价格低廉、存储密度高以及效率高等特点而成为理想的选择。然而，NAND Flash具有复杂的控制逻辑和严格的时序要求，并允许存在一定的坏块（使用过程中可能增加），这给检测坏块、标记及擦除操作带来了挑战。因此需要一个控制器来简化用户对NAND Flash的使用体验。本段落提出了一种基于FPGA的NAND Flash控制器设计方法，利用VHDL语言实现该设计方案并通过Modelsim工具进行仿真测试，在ALTERA公司的EP2C系列芯片上验证了其可行性与有效性。
     
  • 闪存芯片规格与容量对照表
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    本资源提供详细的闪存芯片规格与容量对照信息，帮助用户了解不同型号闪存芯片的技术参数和存储能力，适用于硬件工程师和技术爱好者。 闪存芯片型号容量表提供了不同类型的闪存芯片及其对应存储容量的信息。
     
  • CM211-2 MV300芯片朝歌代工作业(不含闪存).rar
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    该文件包含CM211-2及MV300芯片的朝歌代工相关作业资料，内容不涉及闪存信息。适用于从事电子产品研发与制造的专业人士参考使用。 固件介绍： 1. 无需ROOT权限，适用于魔百盒CM211-2及朝歌代工MV300芯片的盒子（不论闪存类型）。 2. 恢复原厂固件屏蔽的Wi-Fi功能，并开放市场安装和U盘安装APK软件的能力。 3. 去除开机广告，取消系统更新提示，避免被强制升级；修改DNS设置以适应三网环境。 4. 精简大量无用内置应用，使运行速度提升超过30%，同时释放更多存储空间。 5. 预装当贝市场，并移除安装第三方软件的限制，实现自由安装所需的应用程序。 6. 支持多种自定义启动设置：开机自动启动、密码锁保护、儿童模式锁定特定应用、隐藏不常用应用以及直接进入HDMI模式等功能。
     
  • NAND闪存LDPC码仿真的Layered-Decoding程序.rar
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    本资源提供了一款用于模拟NAND闪存中LDPC编码性能的分层解码算法程序。该程序帮助研究人员和工程师深入理解并优化纠错编码技术在实际应用中的表现，助力提升数据存储系统的可靠性和效率。 Layered decoding approach for low density parity check codes This phrase describes a method used in the decoding of Low Density Parity Check (LDPC) codes. The layered decoding approach is an efficient technique to decode LDPC codes, which are widely utilized in error correction within digital communication systems and storage devices.
     
  • 魔百盒CM211-2 朝歌代工 MV300芯片 不分闪存版本.zip
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    本产品为魔百盒CM211-2型号，由朝歌公司代工生产，搭载MV300芯片，无区分闪存版本。提供稳定流畅的多媒体播放体验。 1. 无需ROOT权限，在魔百盒CM211-2（朝歌代工3798MV300H/MV310芯片）设备上适用，无论闪存类型如何，使用ttl线连接即可。 2. 开启原厂固件屏蔽的WiFi功能，并开放市场安装和U盘安装APK权限； 3. 去除开机广告及系统更新提示，避免被强制升级。同时修改DNS设置以适应三大运营商网络环境； 4. 精简大量内置无用软件，使运行速度提升超过百分之三十并释放更多存储空间； 5. 预装当贝市场，并取消应用安装限制，允许自由安装第三方软件； 6. 提供开机自启动、开机密码锁、儿童模式等多样化功能配置选项。