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Matlab忆阻器(Memristor)-Matlab_memristor2.pdf

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简介:
本PDF文档深入探讨了在MATLAB环境下模拟和分析忆阻器(Memristor)的方法和技术,提供了详细的编程实例与理论讲解。 作为Matlab初学者,我有很多东西需要学习。现有的源代码可以实现忆阻器的I-V曲线绘制功能,但不够灵活,必须手动调整参数。我希望将其中的参数ratio、v0、ω0变成可调节范围内的,并且不知道如何操作。如果直接将这些参数放入方程中求解的话,是否可行?若能成功求解,在得到结果s后,又该如何把参数替换成具体的数值呢?我听说subs函数只能替换t变量,但似乎不适用于这种情况。 此外,我在网上找到了一个Mathematica实现忆阻器I-V特性的例子。接下来的计划是创建GUI界面,并尝试加入动画效果。希望有人能帮助扩展这个程序,以便能够更好地完成我的目标。

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客服
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  • Matlab(Memristor)-Matlab_memristor2.pdf
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    本PDF文档深入探讨了在MATLAB环境下模拟和分析忆阻器(Memristor)的方法和技术,提供了详细的编程实例与理论讲解。 作为Matlab初学者,我有很多东西需要学习。现有的源代码可以实现忆阻器的I-V曲线绘制功能,但不够灵活,必须手动调整参数。我希望将其中的参数ratio、v0、ω0变成可调节范围内的,并且不知道如何操作。如果直接将这些参数放入方程中求解的话,是否可行?若能成功求解,在得到结果s后,又该如何把参数替换成具体的数值呢?我听说subs函数只能替换t变量,但似乎不适用于这种情况。 此外,我在网上找到了一个Mathematica实现忆阻器I-V特性的例子。接下来的计划是创建GUI界面,并尝试加入动画效果。希望有人能帮助扩展这个程序,以便能够更好地完成我的目标。
  • Matlab模拟-memristor-memristor.m
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    本资源提供了一个MATLAB脚本memristor.m,用于模拟和分析忆阻器(memristor)的行为特性。通过该工具可以深入研究忆阻器在不同条件下的电阻变化规律及其应用潜力。 作为Matlab初学者,我有很多东西要学习。现在我在使用一个名为memristor-memristor.m的源代码来实现忆阻器的I-V曲线功能,但这个程序不够灵活,需要手动调整参数ratio、v0 和 ω0。我想将这些参数设置为可调节范围内的值,但是不知道如何操作。如果直接把参数放入方程中能否求解也是一个疑问,在获得结果s后,我还想知道怎样将参数替换为具体的数值,我听说可以使用subs函数来实现这一点,但该函数似乎只能替换单个变量t。我希望有人能帮助扩展这个程序,并且在网上找到了一个Mathematica的实现例子(关于忆阻器I-V特性的演示)。我的下一步是创建GUI并添加动画功能,希望能把这个项目做得更好。
  • MatlabGUI_memristor.m
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    本GUI程序Matlab忆阻器_memristor.m用于模拟和可视化忆阻器特性,支持用户自定义参数,便于研究非线性系统与神经网络应用。 作为Matlab初学者,我有许多东西需要学习。当前的源代码可以实现忆阻器的I-V曲线绘制功能,但是不够灵活,参数如ratio、v0、ω0必须手动调整。我希望将这些参数设置为可调节范围,并且不知道如何操作。如果直接在方程中使用变量替换参数的话,能否成功求解呢?若能够求解,在得到结果s后,又该如何将参数替换成具体的数值?似乎subs函数只能用于替换t。我希望能够扩展这个程序的功能,并参考网上的Mathematica实现的例子来改进我的代码。下一步是创建GUI并加入动画效果,希望可以做得更好一些。
  • Matlab蔡氏混沌电路仿真代码-基于MATLAB仿真:Memristor-Simulation-via-MATLAB
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    本项目提供了一套使用MATLAB编写的蔡氏混沌电路和忆阻器仿真的代码,适用于研究非线性动力学系统及忆阻器特性。 在MATLAB中使用蔡氏混凝土仿真代码进行忆阻器仿真的过程中,我基于提供的数学方程模拟了称为“忆阻器”的第四种基本电路元件的效果。1971年,Leon Chua提出了这种假设性的非线性设备以尝试建立电荷和磁通量之间的缺失关系,并以此完成对称性。Chua将该器件命名为忆阻器(记忆+电阻),因为它展示了类似铁磁中心存储器的滞后特性和电阻器的耗散特性。简单来说,忆阻器中的非线性电阻可以通过控制电流或磁场来不确定地保存其状态。 建议忆阻器具有一个称为M的参数,并且定义了dM=Mdq的关系函数。这个“忆阻”是描述这种元件的一个关键属性:当电荷沿某一方向通过电路时,该元件的电阻会增加;如果电荷反向流动,则电阻减小。一旦施加电压被关闭并停止电流流动后,该组件将“记住”其上次的状态,并在再次有电流流过时保持之前确定的阻值。 忆阻器有两种运行模式:线性和非线性。这两种模式提供了不同的特性与应用潜力。我还撰写了一些关于忆阻器的基础论文,深入探讨了它们的工作原理和潜在用途。
  • 仿真的Mfile-Matlab: 仿真开发(matlab)
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    本资源提供了一套用于Matlab环境下的忆阻器仿真代码(M-file),旨在帮助科研人员和学生快速搭建并研究忆阻器电路模型及其特性。 使用 MATLAB 对纳米级 ReRAM 单元进行操作分析。
  • MATLAB代码与界面连接-Memristor CNN:结合CNN和ConvLSTM的1T1R阵列
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    本项目探讨了基于Memristor技术的卷积神经网络(CNN)及集成ConvLSTM模型的设计,通过MATLAB实现代码与用户界面间的交互连接,并展示如何在1T1R忆阻器阵列架构中优化CNN性能。 MATLAB代码与界面连接忆阻器用于手稿的5级CNN和3级ConvLSTM的MATLAB框架由Wang, Z.等人开发。文章探讨了使用忆阻器进行原位训练的前馈和循环卷积网络的方法。 这些代码已经在Mathworks MATLAB R2017b上进行了测试,演示脚本在“脚本”文件夹中运行。没有提供与硬件接口的代码。 操作说明:real_array2_conv后端取决于测量系统和硬件配置。实验数据将在合理要求下提供。 授权声明 麻省大学阿默斯特分校电气和计算机工程系版权所有(c)2018年,保留所有权利。 许可协议: MIT许可证 (MIT) 此软件及其相关文档文件 (软件) 的副本的任何人均可获得无限制处理该软件的权利,包括但不限于使用、复制、修改、合并发布分发再授权/或出售本软件副本,并允许具备该软件的人这样做。但需满足以下条件:
  • 模型:用MATLAB进行的记模拟
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    本简介探讨了利用MATLAB软件工具对记忆电阻器(忆阻器)建模与仿真研究,旨在深入理解其工作原理和特性。 记忆电阻器(忆阻器)是继传统元件R、L 和 C之后的第四种基本无源非线性元件。忆阻器的概念由LO Chua在1971年提出,但直到最近才被HP实验室的研究人员重新发现并引起关注。预计其将在理论研究和纳米电子行业中产生重大影响。本段落是在Simulink/Matlab环境中对忆阻器进行模拟,并采用了Dmitri B. Strukov等人及自然杂志与Yogesh N. Joglekar等人的研究成果中的参数值构建模型。
  • memristive_MNNs_code.zip__matlab_模型_神经网络同步性的实现
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    本资源包包含用于研究和仿真基于忆阻器的神经网络(MNN)的相关MATLAB代码,重点在于实现忆阻器模型及其在神经网络同步性中的应用。 构建了一个简单的忆阻神经网络的MATLAB模型,并设计了自适应控制器以实现驱动-响应同步。