
基于仿真的槽栅结构SiC IGBT优化分析(2011年)
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简介:
本文发表于2011年,采用仿真技术对槽栅结构的SiC IGBT进行深入研究和优化分析,以提升器件性能。
通过运用半导体物理理论及功率器件模拟软件(SILVACO-TCAD)对新型宽禁带材料SiC槽栅结构IGBT功率半导体器件的电学特性进行了研究,分析了不同厚度与掺杂浓度漂移层和缓冲层下的IGBT器件阈值电压、开关特性和导通特性曲线。结果表明,当SiC-IGBT功率器件中漂移层和缓冲层分别达到65μm及2.5μm的厚度,并且其掺杂浓度分别为1×10^15 cm^-3 和 5×10^15 cm^-3时,该器件可以实现击穿电压为3400V、阈值电压为8V的最佳性能。
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