IR2110——结合了光耦隔离与电磁隔离优势的中低功率转换驱动器.pdf

简介：
本文档深入探讨了IR2110芯片，一种集成了光耦合器和电磁隔离技术优点的高效能器件，特别适用于中低功率应用中的开关电源和电机控制电路。文档详细分析其工作原理、性能特点及实际应用案例。 在功率变换装置的主电路结构设计中，通常采用直接驱动或隔离驱动两种方式来控制功率开关器件的工作状态。IR2110 驱动器由美国 IR 公司生产，它结合了光耦合器与电磁隔断的优点，在中小规模功率转换设备中的应用广泛。 IR2110 的引脚配置如下： - LO（第 1 引脚）：低端输出 - COM（第 2 引脚）：公共端 - Vcc（第 3 引脚）：低端固定电源电压 - Nc（第 4、8 和 14 引脚）：空置引脚，不使用 - Vs（第 5 引脚）：高端浮置电源偏移电压 - VB（第 6 引脚）：高端浮置电源电压 - HO（第 7 引脚）：高端输出 - VDD（第 9 引脚）：逻辑电源电压 - HIN（第 10 引脚）：逻辑高端输入信号端口 - SD（第 11 引脚）：保护信号输入端，高电平使驱动器停止工作，低电平时正常响应HIN和LIN的控制指令。 - LIN（第 12 引脚）：逻辑低端输入信号端口 - Vss（第 13 引脚）：逻辑电路地电压 IR2110 的特性包括： - 具备独立的高端与低端驱动通道，确保了良好的隔离效果； - 高压自举技术实现高达500V的工作环境适应性； - 对于Vcc引脚支持宽范围电源输入（10至20伏）； - 逻辑电压供电区间为5到15伏特，并且其地电位允许与功率地之间存在一定的偏移，方便兼容TTL和CMOS标准信号。 - 支持高达500kHz的工作频率。 - 高效的开关响应时间（开通延时：120纳秒；关闭延时：94纳秒）； - 输出峰值电流可达2安培。 IR2110 的内部结构及工作原理图展示了其复杂而精密的功能布局，其中HIN和LIN分别对应逆变桥中同一臂的上下两个功率MOSFET驱动信号输入端；SD则为保护电路输出与之连接。HO与LO作为两路独立且同步工作的驱动信号出口，直接控制与其对应的MOSFET开关状态。