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DDR4规范.pdf

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简介:
《DDR4规范》是一份详细介绍第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR4 SDRAM)技术标准的文档,涵盖了其性能参数、电气特性及应用要求等内容。 大家可以参考DDR4 288pin内存封装规格书。

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  • DDR4.pdf
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    《DDR4规范》是一份详细介绍第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR4 SDRAM)技术标准的文档,涵盖了其性能参数、电气特性及应用要求等内容。 大家可以参考DDR4 288pin内存封装规格书。
  • DDR4 JEDECPDF
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    本PDF文档详尽介绍了DDR4内存的标准规范,依据JEDEC组织制定的技术参数和设计指南,适用于技术开发与研究。 DDR4是双倍数据速率第四代同步动态随机存取内存的简称,由JEDEC固态技术协会制定的一套内存规范标准。该组织发布的官方文档包括JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C三个版本,详细阐述了DDR4的技术细节、性能指标以及兼容性要求。 相比前一代的DDR3,DDR4主要改进如下: 1. **更高的频率与带宽**:初始规格为2133 MTs(每秒传输次数),比DDR3的1600 MTs有显著提升,最高可达3200 MTs甚至更高。这提升了系统整体性能,尤其是在处理大量数据时表现更佳。 2. **更低的工作电压**:DDR4的工作电压降至1.2V,相比DDR3的1.5V或1.35V更低,降低了功耗,并有助于节能和散热。 3. **Bank Groups架构**:每个DRAM芯片可以包含多个Bank Group,增强了并发操作能力,提高了内存访问效率。 4. **增加Bank数量**:DDR4内存条的Bank数量从DDR3的8个增至16个,进一步提升了并发处理能力。 5. **On-Die Termination (ODT)**:支持片上终结(On-Die Termination),可以减少信号反射,改善数据传输质量。 6. **命令地址总线的预取位数增加**:DDR4的预取位数从8位增至16位,每个时钟周期可传输更多数据,从而提高内存带宽。 7. **错误校验支持**:DDR4内存支持更高级别的ECC(Error Correction Code)功能,提供更强的数据完整性保护,适合服务器和数据中心应用。 8. **新的引脚定义和物理尺寸**:DDR4内存模块的引脚布局及物理尺寸有所改变,以确保与DDR3互不兼容,避免安装错误。 JESD79-4B、JESD79-4A和JESD79-4C这些文档可能分别代表不同版本或修订的DDR4规范。它们涵盖了技术细节、电气规范、测试方法以及接口定义等内容。对于硬件设计师、系统架构师及内存开发者而言,深入理解这些文档非常重要,有助于设计出符合标准且性能优越的DDR4内存系统。
  • DDR4文档.pdf
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    该文档为DDR4内存技术的标准规范文件,详述了DDR4 SDRAM的设计要求、操作模式及性能参数等关键信息。 此文档定义了DDR4 SDRAM规范,包括其特性、功能、电气特性和封装及引脚/信号分配等内容。该标准的目的是为JEDEC兼容的2Gb至16Gb x4、x8和x16 DDR4 SDRAM设定最低要求。
  • DDR4 JESD79-4解析.pdf
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    本资料深入剖析了DDR4内存技术的JESD79-4标准规范,涵盖其设计原理、性能参数及应用实践等内容。适合工程师和技术爱好者参考学习。 此文档对JESD标准下的DDR4进行中文解读,帮助读者轻松理解DDR4标准。 行业标准:作者拥有数年spec经验,并熟悉JEDEC标准建立的过程。 专业:多年DRAM问题调试及规范解读的专业能力。 咨询:承诺购买者在阅读文档过程中如有疑问,可以每天提出三个免费的问题解答。 退款:如对文档内容质量不满意,可联系作者申请退款。作者对此充满信心并作出此保证。 对于有疑问的内容或希望进一步了解详情的读者,可以直接与作者进行私信咨询。
  • DDR4 SODIMM设计V100 20140701(DDR4协会
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    该文档为DDR4协会制定的SODIMM模块设计标准版本1.0,发布日期为2014年7月1日,旨在指导DDR4 SODIMM的设计与制造。 DDR4_SODIMM_Design_Specification_V100_20140701 这是关于DDR4 SODIMM的设计规范文档版本号为V100,发布日期是2014年7月1日。
  • DDR4 SDRAM UDIMM 设计-4_20_26R29.pdf
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    该PDF文档详细介绍了DDR4 SDRAM UDIMM的设计规范和参数要求,适用于内存模块设计工程师和技术人员参考。 DDR4 SDRAM Unbuffered DIMM(UDIMM)是一种内存模块设计规范,由JEDEC组织发布。该标准文档是一系列标准化文件,规定了DDR4同步动态随机存取内存(SDRAM)非缓冲双内排(DIMM)模块的设计和生产要求。这些规范为制造商提供了一套共同遵循的准则,以确保内存模块具有良好的互操作性和性能。 DDR4 SDRAM UDIMM设计文档主要分为多个部分,包括产品描述、环境需求、连接器引脚布局与信号说明、电源细节、组件详情、DIMM设计规格、网络结构及布线规则等。具体而言: 1. **产品描述**:这部分详细介绍了内存模块的基本特性及其性能参数,如容量和速度等级(例如PC4-1600, PC4-2666)。 2. **环境要求**:该部分规定了不同环境下DDR4 SDRAM UDIMM的运行条件与可靠性需求,包括温度、湿度及静电放电保护等信息。 3. **连接器引脚布局和信号描述**:文档中详细列出了UDIMM模块所有引脚的功能及其配置情况,并提供了288针接口的具体图示说明。 4. **电源细节**:这部分介绍了DDR4 SDRAM的电压需求(如1.2V VDD)、启动顺序规则、馈通电压及需要额外提供的12V供电等信息。 5. **组件详情**:该部分指定了推荐使用的元件类型及其布局,同时提供了去耦合指导原则和具体放置要求。 6. **DIMM设计细节**:这部分涵盖了信号组的详细说明、网络结构解释以及布线规则。此外还包含了高速模式下的特殊规定(如2666Mbps或以上数据传输速率的要求)、地址映射方式及物理布局限制等信息,例如过孔大小和封装尺寸。 7. **阻抗目标**:定义了内存模块在运行时应达到的阻抗标准以确保信号完整性。 8. **SPD-TSE布线与位置说明**:这部分解释了串行存在检测(SPD)芯片的具体布局要求以及温度传感器扩展功能的支持方法。 9. **CRC支持下的DQ映射规则**:描述如何将数据质量映射到循环冗余校验方案中,以提高内存模块的可靠性和性能。 10. **产品标签格式与信息**:提供了DDR4 DIMM产品的标准标签设计和所需包含的信息内容,区分了纯DRAM版本与其他混合类型的不同要求。 11. **JEDEC流程概述**:最后简要介绍了制定这些标准化文档的过程以及获取并应用相关规范的方法。
  • DDR4接口
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    DDR4接口规范是针对新一代内存条设计的标准协议,旨在提供更高的数据传输速率、更低的工作电压以及更强的可靠性与稳定性。 这是一份DDR4标准文档,硬件工程师可能会用到。谢谢。
  • DDR4文档
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    《DDR4规范文档》提供了关于第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器(DDR4 SDRAM)的技术规格和设计指南,是内存制造商、系统设计师及工程师不可或缺的参考资源。 DDR4标准文档 JESD79-4___DDR4_SDRAM.pdf包含了有关DDR4 SDRAM的详细技术规范和参数。这份文件对于了解和应用DDR4内存的技术细节非常有用。
  • DDR4 JedecV4 (SPD)
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    该文档是关于DDR4 JEDEC标准第四个版本(包含SPD信息)的技术规格书,详述了内存模组的设计与操作参数。 DDR4 SPD Jedec规范 V4标准规范文件对编写DDR4内存SPD非常有帮助。
  • DDR4的要求
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    《DDR4的要求规范》一文深入探讨了第四代双倍数据率同步动态随机存取存储器的技术标准与性能要求,涵盖了其在速度、功耗及兼容性方面的革新特点。 1. DDR:动态随机存储器 2. tRC:行循环时间 3. tRCD:从行有效到读/写命令发出的时间间隔 4. tRRD:行激活到激活延迟时间 5. tCK:时钟周期 6. AL(Additive latency):附加的潜伏期 7. RL(Read latency):读选通潜伏期 8. WL(Write latency):写选通潜伏期 9. CL(CAS Latency):列地址脉冲选通潜伏期 10. tAC(Access Time from CLK):时钟触发后的访问时间 11. BL (Burst Lengths) :突发长度 12. tRP(Row Precharge command Period):行预充电有效周期 13. DQS:数据选取脉冲 14. Precharge:预充电 15. Refresh:刷新,包括AR(自动刷新)、SR(自刷新) 16. DLL:延迟锁定回路