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白皮书：英飞凌如何通过/+SiC+/实现对功率半导体器的控制与保障.pdf

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简介：
本文深入探讨了英飞凌如何通过创新的方法来实现对基于SiC功率半导体器件可靠性的有效管理与保障。文中不仅阐述了基于SiC器件为何需要执行与硅器件不同的可靠性测试程序这一关键问题，并且详细分析了工业级SiC MOSFET栅极氧化层的可靠特性及其失效率与寿命特征。随后的部分深入探讨了这种新型半导体材料在实际应用中的独特优势及其在提升设备稳定运行能力方面所发挥的作用。最后部分总结了英飞凌在确保这种复杂材料性能方面所积累的经验与策略。

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