Micron-MT41J256M16HA-093 J.pdf

简介：
Micron-MT41J256M16HA-093 J.pdf这是一份DDR3 SDRAM数据手册，详细介绍了 Micron公司MT41J256M16HA-093 J型号的特性与规格。该文档是Micron公司发布的一份详细的技术手册，专门对型号MT41J256M16HA-093 J的DDR3 SDRAM芯片的性能参数和规格要求进行了全面阐述。该型号DDR3 SDRAM芯片的数据手册包含了其特性、timing参数、addressing参数和Refresh参数等详细信息。Micron公司提供的数据手册具体说明了该芯片型号MT41J256M16HA-093 J的特性参数及其规格要求。 详细说明具体内容特性 VDD等于VDDQ，并其值为1.5伏特±75毫伏。该系统采用1.5伏特中心终止的双向推挽输入接口，配备双端差分数据捕获器。8位预取架构设计用于提升性能。系统支持差分时钟输入（CK, CK#）。内部配置有8个存储单元 bank。数据、脉冲和掩模信号均采用可编程的同轴终止技术以确保稳定传输。基于时钟周期的延迟控制参数包括可编程的CAS读取 lat (CL)、累加式写入lat (AL)以及可编程的CAS写入latency (CWL)。系统支持固定长度为8个脉冲和4位分段间隔（通过MRS寄存器设置）的自刷新模式，可在运行时灵活切换BC和BL参数。系统具备自启动功能，在温度范围内提供稳定的性能表现。 该DDR3 SDRAM芯片的timing参数具体说明了其各项性能指标。包括：最长有效周期、最大运行频率、电压波动范围等关键数据。每周期时长：938皮秒（在CL=14的环境下）运行于DDR3-2133内存总线）。访问持续时间：30纳秒。总环路时长：13.09ns（相同通道内完成各项操作）。刷新次数：8千次。行寻址范围：32位（数据总线高位端），对应地址宽度为A[14:0]。列和字列设定：列地址宽度为8位（数据总线低位端）；每行存储容量达到1千K个字块。页尺寸：2千字节，确保高效的数据组织与访问速度。DDR3 SDRAM芯片被广泛应用在多种不同的电子设备领域，包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑以及服务器等设备中使用。这份PDF文件是 Micron 公司发布的技术资料，详细阐述了 Micron-MT41J256M16HA-093 J 型号 DDR3 SDRAM 芯片的关键特性及其规格参数。该技术手册指出，Micron-MT41J256M16HA-093 J 型号的 DDR3 SDRAM 芯片具有高性能、低功耗和快速的数据传输能力，并在多种电子设备领域均有广泛应用。