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Solidigm 3D NAND Gen5 (Q5171A) Flash Memory Client Datasheet D

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简介:
此文档为Solidigm公司发布的第五代3D NAND闪存(型号Q5171A)客户数据表,详述了该款固态硬盘的性能、规格及应用详情。 NAND闪存技术为需要高密度固态存储的应用提供了经济高效的解决方案。其中,四层单元(QLC)设备类型具有多种存储密度选项。 Solidigm 3D NAND Gen5 (型号Q5171A) 是一款采用先进QLC技术的闪存设备,适用于对成本效益和大容量有需求的应用场景。这款产品完全符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 4.2规范,并支持多种系统级性能优化功能。 ### 主要特点与功能 **兼容性**: Solidigm 3D NAND Gen5 符合 ONFI 4.2 规范,确保了良好的互操作性和广泛的适用性。详细信息可以在官方网站上查阅到。 - **IO性能** - 支持ONFI 4.2时序模式15。 - 操作频率:1.25ns。 - 数据传输速率:每引脚读写吞吐量为1.6GTs。 **电源电压范围**: - VCC: 2.35V 至 3.6V - VCCQ: 1.14V 至 1.26V **命令集** - 支持标准的ONFI NAND Flash协议。 - 高级功能包括页缓存编程、随机顺序结束读取缓存、读取唯一ID和eIMPRO等。 **数据预处理**: 外部主机需要对输入的数据进行随机化处理以确保最佳性能。 **初始化与状态检测** - 设备首次启动时需发送RESET命令。 - 操作状态字提供软件工具来监测操作完成情况,故障条件及写保护状态。 其他特性包括: - 数据选通(DQS)信号为硬件级数据同步机制提供了支持; - 支持On-Die Termination (ODT); - 工作温度范围:0°C 至 +70°C; - 封装形式采用146球栅阵列(BGA)封装。 **QLC特性** - 页大小(x8): 18,592字节(含用户数据和冗余数据) - 块大小:包含多个页面,具体数值根据应用而变化 - 平面大小:每个设备内有4个平面,各自由若干超级块组成 - QLC设备容量包括: - 1368Gb: 包含1016个超级块。 - 其它更大尺寸的存储选项。 **QLC阵列性能(VPP启用)** - 快速读取页面:典型值为83μs - 正常读取页面时间:典型值是110μs - 编程操作耗时:约为1400μs (典型) - 擦除甲板所需时间: 大约需要10ms(平均) ### 产品类型标识与密度 - **PF**表示无铅BGA封装。 - **29F**代表Intel® NAND Flash Memory系列 - 密度选项包括: - 01P:对应于QLC的1368 Gbit容量; - 其他更高存储量规格。 ### 总结 Solidigm 3D NAND Gen5(Q5171A)是一款高性能、高密度固态存储解决方案,它采用先进的QLC技术,并支持ONFI 4.2标准。该设备不仅具有强大的性能和可靠性,还具备广泛的接口兼容性,适用于各种需要大规模数据存储的应用场景中。

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  • Solidigm 3D NAND Gen5 (Q5171A) Flash Memory Client Datasheet D
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    此文档为Solidigm公司发布的第五代3D NAND闪存(型号Q5171A)客户数据表,详述了该款固态硬盘的性能、规格及应用详情。 NAND闪存技术为需要高密度固态存储的应用提供了经济高效的解决方案。其中,四层单元(QLC)设备类型具有多种存储密度选项。 Solidigm 3D NAND Gen5 (型号Q5171A) 是一款采用先进QLC技术的闪存设备,适用于对成本效益和大容量有需求的应用场景。这款产品完全符合Open NAND Flash Interface (ONFI) 4.2规范,并支持多种系统级性能优化功能。 ### 主要特点与功能 **兼容性**: Solidigm 3D NAND Gen5 符合 ONFI 4.2 规范,确保了良好的互操作性和广泛的适用性。详细信息可以在官方网站上查阅到。 - **IO性能** - 支持ONFI 4.2时序模式15。 - 操作频率:1.25ns。 - 数据传输速率:每引脚读写吞吐量为1.6GTs。 **电源电压范围**: - VCC: 2.35V 至 3.6V - VCCQ: 1.14V 至 1.26V **命令集** - 支持标准的ONFI NAND Flash协议。 - 高级功能包括页缓存编程、随机顺序结束读取缓存、读取唯一ID和eIMPRO等。 **数据预处理**: 外部主机需要对输入的数据进行随机化处理以确保最佳性能。 **初始化与状态检测** - 设备首次启动时需发送RESET命令。 - 操作状态字提供软件工具来监测操作完成情况,故障条件及写保护状态。 其他特性包括: - 数据选通(DQS)信号为硬件级数据同步机制提供了支持; - 支持On-Die Termination (ODT); - 工作温度范围:0°C 至 +70°C; - 封装形式采用146球栅阵列(BGA)封装。 **QLC特性** - 页大小(x8): 18,592字节(含用户数据和冗余数据) - 块大小:包含多个页面,具体数值根据应用而变化 - 平面大小:每个设备内有4个平面,各自由若干超级块组成 - QLC设备容量包括: - 1368Gb: 包含1016个超级块。 - 其它更大尺寸的存储选项。 **QLC阵列性能(VPP启用)** - 快速读取页面:典型值为83μs - 正常读取页面时间:典型值是110μs - 编程操作耗时:约为1400μs (典型) - 擦除甲板所需时间: 大约需要10ms(平均) ### 产品类型标识与密度 - **PF**表示无铅BGA封装。 - **29F**代表Intel® NAND Flash Memory系列 - 密度选项包括: - 01P:对应于QLC的1368 Gbit容量; - 其他更高存储量规格。 ### 总结 Solidigm 3D NAND Gen5(Q5171A)是一款高性能、高密度固态存储解决方案,它采用先进的QLC技术,并支持ONFI 4.2标准。该设备不仅具有强大的性能和可靠性,还具备广泛的接口兼容性,适用于各种需要大规模数据存储的应用场景中。
  • Solidigm 第五代 3D NAND (Q5171A) 闪存芯片
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    Solidigm Q5171A是公司第五代3D NAND闪存芯片,采用先进工艺技术,提供卓越的数据传输性能和存储容量,适用于数据中心及企业级应用。 ### Solidigm 3D NAND Gen 5 (Q5171A) Flash Memory Die 知识点解析 #### 一、概述 Solidigm 3D NAND Gen 5(Q5171A)是一款高性能的闪存芯片,适用于各种存储解决方案。本段落将详细解析其规格和技术特性,帮助读者更深入地理解这款产品的功能与优势。 #### 二、关键特性 1. **Open NAND Flash Interface (ONFI) 4.2 合规性:** - 这款芯片遵循最新的 ONFI 标准,确保了与现有系统的兼容性和互操作性。 - 支持高达1.6 GTs的读写吞吐量,大大提高了数据处理速度。 2. **IO性能:** - 时钟速率为1.25 ns。 - 每个引脚可以达到1.6 GTs的数据传输速率。 3. **工作电压范围:** - VCC(核心电压): 2.35V 至 3.6V - VCCQ(IO电压): 1.14V 至 1.26V - 宽泛的电压设计保证了芯片在不同环境下的稳定运行。 4. **命令集:** - 支持ONFI NAND Flash协议。 - 具有高级功能,包括页面缓存编程、随机顺序结束读取缓存等。 5. **操作状态字节:** - 提供软件方法来检测操作完成情况及写保护状态。 6. **数据选通信号(DQS):** - 同步DQ接口中的数据传输,提高准确性和效率。 7. **片上终止(ODT):** - 减少信号反射和提升信号完整性。 8. **工作温度范围**: - 0°C 至 +70°C - 能在广泛的温度范围内正常运作。 9. **物理规格**: - 尺寸: 10.165 mm × 7.212 mm - 每个晶圆的最大芯片数量为864个。 - 其他详细信息如焊盘位置、标识、钝化开口尺寸及金属成分等参见手册中的表格。 #### 三、订购信息 Solidigm 3D NAND Gen 5(Q5171A)提供两种不同的产品选项: - **171 GB QLC 300 mm晶圆** - MM#:99AJKKX29F01P0U3AQL1 SLNZB - 工作电压:3.3V 和 1.2V - 技术:3D Gen 5 - **171 GB QLC 300 mm晶圆** - MM#:99AJKJX29F01P0C3AQL1 SLNZA - 工作电压:3.3V 和 1.2V - 技术:3D Gen 5 如需其他未列出的产品或晶圆,请联系当地的Solidigm代表。 #### 四、修订记录 - **001版**:初始文档,发布于2022年3月。 - **002版**:更新订购信息,发布于2022年6月。 #### 五、总结 Solidigm 3D NAND Gen 5(Q5171A)以其高性能、宽电压范围和高级命令集,在存储解决方案中表现出卓越的性能与可靠性。无论是消费者级还是企业级应用,这款闪存芯片均提供了可靠的数据存储方案。
  • Inside NAND Flash Memory Technologies
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    《Inside NAND Flash Memory Technologies》深入探讨了NAND闪存技术的工作原理、发展历程及未来趋势,是了解固态存储器技术不可多得的专业书籍。 书中详细介绍了与NAND Flash相关的内容。
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    可靠性是三维NAND闪存技术发展中最关键的问题之一。随着市场需求对存储密度增长提出了要求,但对存储介质面积的需求却保持不变,这就要求内存设备的存储容量在不增加面积占用的前提下持续提升。因此,在二维(2D)NAND闪存技术向三维(3D)架构转型的过程中,以电荷陷阱(Charge Trap, CT)技术为基础的NAND存储单元被认为是最具前景的技术之一,因为它比浮栅(Floating Gate, FG)技术在可扩展性上具有优势。然而,CT存储单元在理论上显示出了巨大的潜力,但这一技术也面临着若干可靠性问题。值得注意的是,从二维到三维过渡不仅保留了一些已知的可靠性问题,还引入了新的挑战。在研究三维NAND闪存可靠性的领域中,主要影响机制已经被广泛探讨。其中包括从基础的可靠性问题开始,深入分析影响NAND闪存性能的物理和架构因素。为了确保数据存储的正确性和稳定性,NAND技术必须能够保证即使经历了大量写入操作并长期存储后,所存储的信息不会发生改变。本章将围绕影响三维NAND闪存可靠性的机制展开研究,并对3DFG和3DCT设备在可靠性和预期性能方面进行详细比较。通过分析基本的可靠性问题,包括物理和架构方面的问题,将具体探讨影响二维记忆体和CTNAND存储单元可靠性的物理机制。此外,在实验中发现的主要问题也将被回顾总结。为了应对这些挑战,研究人员提出了基于三维垂直浮栅型NAND存储单元的新设计阵列。这类创新性设计不仅性能表现优异,而且能够有效克服三维NAND闪存可靠性方面存在的主要问题。值得注意的是,在本书的讨论中,还提到了文章作者A. Grossi、C. Zambelli和P. Olivo的名字,他们分别在意大利费拉拉大学工程系任职并通过电子邮件保持联系。此外,本书名为《3D闪存》,由Springer Science+Business Media出版,并将在本章深入分析影响三维NAND闪存记忆体的主要可靠性问题,以及基于这些分析如何通过比较不同技术(如3DFG和3DCT)来预估未来性能的表现。这些内容无疑为理解三维NAND闪存技术的可靠性问题提供了坚实的基础理论和丰富的实践经验。
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    本文深入浅出地解析了Nor Flash和NAND Flash两种闪存技术的区别,旨在帮助读者理解其特性、应用场景及优缺点。 作者:刘洪涛,华清远见嵌入式培训中心高级讲师。 FLASH存储器又称闪存,主要有两种类型:NorFlash和NandFlash。下面我们将从多个角度来对比介绍这两种类型的闪存,在实际开发中设计者可以根据产品需求合理选择适合的闪存种类。 1. 接口对比 NorFlash采用了通用SRAM接口,可以方便地连接到CPU的地址、数据总线上,对CPU接口的要求较低。由于其芯片内执行(XIP,eXecute In Place)的特点,应用程序可以直接在flash存储器中运行,无需再将代码读入系统RAM中。例如,在uboot中,ro段可以在NorFlash上直接运行,只需把rw和zi段复制到RAM并重写即可。
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    《NAND Flash数据表》提供详细的技术参数和规格说明,包括存储容量、读写速度、耐用性指标等信息,是设计与应用开发的重要参考。 Nand Flash datasheet包括Hynix、Samsung、Numonyx B.V. 和Toshiba等厂家的Nand Flash IC芯片的技术文档。这些资料对于设计Nand Flash控制器等工作非常有帮助。