量子效率与响应度在显示及光电技术中的应用
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简介：
本研究探讨了量子效率和响应度在现代显示技术和光电设备领域的关键作用，分析其优化方法及其对提高图像质量、能源效率的影响。
量子效率可以分为内量子效率ηi和外量子效率ηo，这是半导体光电探测器最重要的性能指标之一。
内量子效率定义为吸收一个入射光子能够产生的电子-空穴对的数量。它与材料的吸收系数α以及吸收层的厚度W有关，并且可以用以下公式表示：
\[ \eta_i = 1 - e^{-\alpha W} \]
式中，a(λ)是对应波长λ的吸收系数。从这个表达式可以看出，当材料的吸收系数越大或者吸收层越厚时，光电探测器的量子效率越高。
然而，在实际应用中的光电探测器里，并非所有入射光都能直接到达吸收区域；部分光线会经过重掺杂接触区并在此过程中损失掉一部分光子。此外，由于表面反射作用也会导致部分入射光丢失。因此定义了外量子效率ηo为：
\[ \eta_o = \frac{\eta_i}{1 - e^{-\alpha d}} \]
式中，d表示前端接触层的厚度。
以上就是内、外量子效率的基本概念和计算方法。
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