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火电厂工艺仿真软件

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简介:
火电厂工艺仿真软件是一款专为火力发电厂设计的专业模拟工具,通过高度仿真的操作环境和流程优化功能,帮助技术人员进行设备调试、人员培训及事故分析等。 火电厂仿真软件有兴趣的可以体验一下,该软件采用flash格式,方便后期自行修改,并包含公式和语音播报功能。希望各位师傅多提宝贵意见。

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  • 仿
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    火电厂工艺仿真软件是一款专为火力发电厂设计的专业模拟工具,通过高度仿真的操作环境和流程优化功能,帮助技术人员进行设备调试、人员培训及事故分析等。 火电厂仿真软件有兴趣的可以体验一下,该软件采用flash格式,方便后期自行修改,并包含公式和语音播报功能。希望各位师傅多提宝贵意见。
  • 仿考试题库
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    火电厂仿真考试题库是一套专为火电行业从业人员设计的学习资源,包含大量针对火电厂运行、维护及安全管理等方面的模拟试题,旨在帮助考生深入理解专业知识,提升实际操作能力。 ### 火电厂仿真机试题库知识点概览 #### 一、循环水系统注水操作 **背景介绍:** 火电厂中的循环水系统是保证发电机组稳定运行的关键部分之一,其主要功能是通过循环水对发电设备进行冷却。在火电厂仿真机的学习过程中,掌握循环水系统的启动操作是非常重要的一个环节。 **关键步骤:** 1. **准备工作**: - 在值长指挥下进行操作。 - 清扫循环水冷却塔内部,确保无泄漏。 - 检查塔内配水系统、淋水装置等完整性。 - 关闭补水门及循环水管放水门,开启电动门并确保送电。 - 清洁出水口和清污机滤网。 - 准备好循环水泵出口蝶阀及凝汽器循环水室放空气门。 2. **注水操作**: - 确认补给系统正常,并开启补水门。 - 联系化学部门启动工业泵,向塔内和压力回水管注水至所需水平。 - 根据需要调整防冻阀门的状态。 - 当水位达到高限但不溢出时,停止水泵并关闭补水门。 3. **注意事项**: - 循环系统可在单台循环泵或半侧凝汽器运行下低负荷运转。 - 水泵允许反转速为额定转速的125%,反转时间不超过两分钟。 - 泵电机能在非正常情况下短时闭阀运行,但时间不得超过十秒。 - 夏季通常使用双泵运行,冬季则根据实际情况决定单台或多台组合。 #### 二、循环水系统运行监视 **关键指标:** 1. **水泵及电动机状态**: - 检查振动和声音是否正常。 - 若出现异常情况,立即启动备用循环泵,并停用有问题的泵。 2. **压力与温度监控**: - 循环水母管压力保持在0.2至0.35MPa之间。 - 凝汽器循环水进出口压差不超过55kPa。 - 电机电流不应超过391.2A,电动机线圈温度应在设定值以内。 - 水泵及电动机电流振动范围应控制在规定范围内。 - 推力轴承温度不得超过90℃。 - 冷却水和机械密封水压力为0.3MPa。 3. **其他监控点**: - 系统是否存在泄漏现象。 - 凝汽器入口二次滤网前后压差不超过10kPa。 - 循环水泵进水口清污机前后水位差应控制在合理范围内。 - 维持冷却塔水位在1.8至2.0米之间。 #### 三、机组运行中一台凝汽器停止恢复操作 **关键步骤:** 1. **凝汽器停运操作**: - 收到检修工作指令后,按值长指示降低负荷至60%-70%额定水平。 - 关闭待修侧空气门及入口、出口电动阀门,并进行放水等操作。 - 监视真空变化情况,确保安全。 2. **凝汽器恢复操作**: - 检修完成后关闭放水阀并准备重新启动。 - 向凝汽器充水并监测放空气门状态。 - 根据实际情况启动循环泵,并逐步恢复正常运行状态。 #### 四、第一台循环水泵启动操作 **操作流程:** 1. **准备阶段**: - 接受启动指令。 - 检查冷却塔水位和出口蝶阀控制油站状态。 - 开启循环水泵出口蝶阀进行注水管路工作。 - 启动冷却泵并确认各项参数正常。 2. **启动循环水泵**: - 顺控或手动开启出口蝶阀至一定角度。 - 检查循环泵的运行参数,如电流和出口压力等。 3. **后续操作**: - 切换润滑冷却水为泵自身供给。 - 关闭放空气门并检查淋水情况。 通过上述知识点梳理可以看出火电厂仿真机试题库涵盖了从注水、运行监控到凝汽器停止恢复及循环水泵启动等多个重要环节。这些内容对于日常操作和学习考试复习都非常重要,熟悉掌握有助于更好地理解和应对实际工作场景中的问题。
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    《半导体工艺仿真软件TSUPREM-4中文指南》是一本详细介绍TSUPREM-4软件使用方法和技术原理的专业书籍,旨在帮助读者掌握先进的半导体器件建模与仿真技能。 TSUPREM-4是一款用于硅基集成电路及分立器件制造工艺仿真的计算机程序。它能够模拟杂质在垂直于硅晶圆表面的二维横截面上的注入与再分布情况,并提供不同材料层边界、各层中杂质浓度以及由氧化、热处理和薄膜沉积产生的应力等信息。 该工具支持多种工艺步骤,如离子注入、惰性环境下杂质扩散、各种半导体材料(包括单晶硅和多晶硅)及其化合物生成过程的模拟。此外还涵盖了外延生长及低温条件下不同材料沉积与刻蚀操作的仿真需求。TSUPREM-4中的结构定义可以覆盖多个区域,并且每个区域内可包含一种或多种具有特定杂质掺杂类型的材料。 在该工具中,用户可以选择单晶硅、多晶硅、二氧化硅等多种基础材料以及钛等金属和它们形成的化合物(如硅化物)。可用的杂质类型包括硼、磷及砷等。TSUPREM-4还能够模拟点缺陷(例如间隙原子或空位)对扩散过程的影响,并且可以计算氧化层中的再分布情况以确定相应的速率。 基本命令介绍如下: 1. 格式与变量说明: 使用{},()和[]来分隔不同类型的变量 “|”符号用于表示在这些选项中必须选择一个值 “”内的项目代表同一语句的关键字部分 2. 命令类型包括但不限于以下几类: - 文件控制命令:COMMENT、SOURCE、RETURN、INTERACTIVE、PAUSE、STOP等。 - 结构定义命令:MESH(网格)、LINE(线条绘制)、ELIMINATE(消除)、BOUNDARY(边界条件设置)等等。 - 工艺步骤相关指令:DEPOSITION(沉积)、EXPOSE(曝光处理)、ETCH(蚀刻工艺实施),以及其他如IMPLANT、DIFFUSION和EPITAXY等命令用于模拟不同制造过程中的具体操作。 - 输出报告及图形展示功能的命令,例如SELECT、PRINT.1D、PLOT.2D等指令用来生成详细的分析结果或者可视化图像文件。 - 模型设置与参数调整相关的命令:METHOD(方法选择)、MATERIAL(材料设定)等等。