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2014年电子束蒸发法制备ZnS薄膜的物相与光学特性研究

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简介:
本研究专注于利用电子束蒸发技术制备ZnS薄膜,深入探讨其晶体结构及光学性能,并分析不同条件下物相和光吸收特性的变化。 采用电子束蒸发法在不同衬底温度下制备了厚度约为100nm的ZnS薄膜,并利用X射线衍射(XRD)和紫外-可见光分光光度计(UV-vis Spectrophotometer)研究了这些薄膜的晶体结构与光学性能,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构及光学特性的影响。结果表明,在不同衬底温度下制备的所有ZnS薄膜均表现出闪锌矿结构中(111)晶面优先生长的特点;当衬底温度为200℃时所制得的ZnS薄膜,其(111)晶面衍射峰强度最大、半高宽最小且晶体尺寸较大。此外,所有制备出的ZnS薄膜对可见光具有良好的透过性,并由于量子尺寸效应表现出特定光学特性。

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  • 2014ZnS
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    本研究专注于利用电子束蒸发技术制备ZnS薄膜,深入探讨其晶体结构及光学性能,并分析不同条件下物相和光吸收特性的变化。 采用电子束蒸发法在不同衬底温度下制备了厚度约为100nm的ZnS薄膜,并利用X射线衍射(XRD)和紫外-可见光分光光度计(UV-vis Spectrophotometer)研究了这些薄膜的晶体结构与光学性能,分析了衬底温度对ZnS薄膜结构及光学特性的影响。结果表明,在不同衬底温度下制备的所有ZnS薄膜均表现出闪锌矿结构中(111)晶面优先生长的特点;当衬底温度为200℃时所制得的ZnS薄膜,其(111)晶面衍射峰强度最大、半高宽最小且晶体尺寸较大。此外,所有制备出的ZnS薄膜对可见光具有良好的透过性,并由于量子尺寸效应表现出特定光学特性。
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