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AlGaN/GaN HEMT-Silvaco代码

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简介：
本项目为基于Silvaco软件开发的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）仿真模型与设计代码，适用于器件性能优化及研究。 关于AlGaN/GaN HEMT器件的Silvaco仿真代码的相关内容可以进行讨论和分享。如果有兴趣了解或探讨相关的技术细节、应用案例或者遇到的具体问题，欢迎交流。不过，请注意在提问时尽量提供具体的问题描述以及已尝试的方法，以便更有效地获得帮助。

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  • AlGaN/GaN HEMT-Silvaco代码
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    本项目为基于Silvaco软件开发的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）仿真模型与设计代码，适用于器件性能优化及研究。 关于AlGaN/GaN HEMT器件的Silvaco仿真代码的相关内容可以进行讨论和分享。如果有兴趣了解或探讨相关的技术细节、应用案例或者遇到的具体问题，欢迎交流。不过，请注意在提问时尽量提供具体的问题描述以及已尝试的方法，以便更有效地获得帮助。
     
  • AlGaN/GaN HEMT-Silvaco代码
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    这段简介可以描述为：“AlGaN/GaN HEMT-Silvaco 代码”是一个用于模拟和设计高性能AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的Silvaco工具集。该代码帮助科研人员优化器件性能，缩短研发周期。 关于AlGaN/GaN HEMT器件的Silvaco仿真代码的相关内容进行了讨论。
     
  • 关于高κ栅AlGaN/GaN MOS-HEMT中势垒层掺杂浓度与栅极金属功函数影响的论文研究.pdf
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    本文探讨了在高κ栅AlGaN/GaN MOS-HEMT结构中，不同势垒层掺杂浓度及栅极金属功函数对器件性能的影响，为优化器件设计提供了理论依据。 本段落分析了HEMT器件的工作机理及基本物理模型，并进行了二维数值仿真以研究其特性。重点探讨了势垒层掺杂浓度与栅极金属功函数对高κ栅AlGaN/GaN MOS-HEMT的影响。
     
  • 基于GaN/InAlGaN且具备双沟道层的高性能新型GaN基HEMT
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    本研究提出了一种创新的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMT)，通过引入双沟道层结构于GaN/InAlGaN材料体系中，显著提升了器件性能。 本段落报道了具有两个沟道层的GaN/InAlGaN基高电子迁移率晶体管（HEMT）的潜在影响。通过二维和双载流子器件仿真技术，我们研究了该器件性能，并重点关注电势、电子浓度、击穿电压以及跨导（gm）。同时，我们将结果与传统的AlGaN/GaN HEMT结构进行了对比分析。我们的仿真结果显示，所提出的新型结构能够增加电子浓度、提高击穿电压和跨导值，并且有效减少泄漏电流。此外，在InAlGaN材料中优化铝的摩尔分数以进一步提升器件性能至最佳状态。
     
  • AlGaN/GaN异质结中极化效应的仿真分析
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    本研究通过仿真技术深入探讨了AlGaN/GaN异质结构中的极化效应，分析其对器件性能的影响，并提出了优化策略。 AlGaN/GaN异质结中极化效应的模拟研究
     
  • 基于GaN HEMT Doherty的宽带功率放大器——程知群
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    程知群专注于研究基于GaN HEMT技术的Doherty宽带功率放大器，致力于提升无线通信系统的效率与性能。 本段落探讨了宽带Doherty功率放大器设计的相关问题，并提出了一种新型负载调制网络以拓宽其带宽。采用CREESemiconductor公司的GaNHEMT功放管CGH40010F，应用该新方案设计并制造了一款宽带Doherty功率放大器进行了测试。主放大器在AB类工作状态下，直流偏置为Vds=28V和Vgs=-2.7V；辅助放大器则在C类下运行，其直流偏置设定为Vds=28V,Vgs=-5.5V。 实验结果显示，在1.5到2.3GHz的频段范围内（带宽达800MHz），该新型宽带Doherty功率放大器展示了良好的性能：饱和输出功率范围在42.66至44.39dBm之间，效率则介于52%和66%，当回退到6dB时，效率保持在46%-50%。此外，其相对带宽达到了42.1％且增益平坦。这些测试结果验证了该设计方案的可行性。 关键词：Doherty功率放大器；宽带；负载调制网络
     
  • GAN网络代码
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    本项目包含多种深度学习模型的实现代码，重点聚焦于基于GAN（生成对抗网络）的各种变体和应用。适合对图像生成、风格迁移等方向感兴趣的开发者研究与实践。 使用深度对抗网络可以实现马和斑马的互换图像处理任务，也可以应用于打码或者去除马赛克。
     
  • PN结Silvaco Atlas TCAD代码_PNsilvaco_tcad
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    本资源提供了基于Silvaco Atlas软件进行PN结仿真与分析的TCAD（Technology Computer Aided Design）代码。适合半导体器件设计者和研究者使用，用于模拟PN结特性和优化工艺参数。 在电子工程领域，器件建模与仿真对半导体器件的设计和优化至关重要。TCAD（Technology Computer-Aided Design）软件通过数值模拟研究并预测半导体器件的行为，Silvaco公司的Atlas是其中一款广泛使用的工具，专门用于模拟半导体物理过程。 本段落将深入探讨如何使用Silvaco Atlas进行PN结的TCAD模拟。PN结由P型和N型半导体接触形成，具有能带结构、载流子扩散与漂移以及电荷分布等特性。通过Atlas强大的数学求解器可以准确地研究这些现象，并优化PN结性能。 在利用Atlas进行PN结模拟时，需要构建器件模型，包括定义材料属性（如掺杂浓度和禁带宽度）、设定边界条件及初始状态。这些参数可以通过图形用户界面或直接编写输入文件来设置。同时，Silvaco TCAD套件中的athena工具用于几何建模与过程模拟，在创建PN结时设计半导体结构。 在实际操作中会涉及多种子文件（如材料库、工艺步骤和模拟参数等），共同构成完整的PN结模拟项目。这些代码包括载流子输运方程、电荷守恒及热力学方程，用户可根据需求调整以实现特定的模拟场景。 Silvaco Atlas提供了一个强大的平台来研究PN结在不同条件下的电气与热学特性，并预测潜在问题。掌握TCAD工具特别是Silvaco Atlas的应用对于提升研发能力至关重要，在半导体技术发展中发挥着关键作用。
     
  • 针对GaN HEMT的80nm非对称T型栅极的纳米制造技术
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    本研究专注于开发一种创新性的80nm非对称T型栅极工艺，专门用于氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT），旨在提升器件性能和制造效率。 本段落探讨了基于AlGaN/GaN的高电子迁移率晶体管（HEMT）中的电流崩溃问题，该现象通常由栅极边缘附近表面峰值电场引起，并且在缩小至100nm以下的栅长时，在高频运行中会变得更加严重。为了改善器件性能，我们根据仿真结果提出了一种新的T形栅极配置，它具有不对称臂结构。通过开发3D灰度电子束光刻技术来制造各种形状的非对称T形栅极，证明了这种门配置在技术上的可行性。 实验结果显示，新设计的非对称T形栅极能够有效地减少栅边电场，并降低源漏之间的寄生电容效应。因此，在高频操作条件下实现了更高的性能表现。我们期待将此新型结构应用于基于GaN材料的HEMT器件中，以期实现高击穿电压和高性能频率工作的目标。