芯片测试涉及的若干术语及其说明。

简介：
CP涉及从坏的Die中筛选，从而降低封装和测试过程中的成本，并能更准确地评估Wafer的良率。FT则专注于从坏的Chip中筛选，以检验封装后的良率。在常规Wafer工艺中，许多公司倾向于省略CP步骤，以进一步降低成本。CP主要针对整片Wafer上每个Die进行测试，而FT则侧重于对封装好的Chip进行测试。只有当CP测试通过后，才会进行封装，随后FT确保封装后的Chip也符合标准。WAT（Wafer Acceptance Test）是一种专门针对测试图形（test key）进行的测试，通过电参数来监控各阶段工艺的正常性和稳定性。CP是Wafer级别的芯片探针技术，贯穿整个Wafer工艺流程，包括背面研磨和背面金属化（如果需要），用于对一些基本器件参数的评估，例如vt（阈值电压）、Rdson（导通电阻）、BVdss（源漏击穿电压）、Igss（栅源漏电流）和Idss（漏源漏电流），通常使用的测试设备电压和功率相对较低。FT则是封装后的Chip级别的最终测试，主要集中在IC或Device芯片的应用方面，有时甚至包括待机状态下的测试。即使FP通过了测试，仍需进行process qual和product qualCP 测试。对于内存而言，CP还具有至关重要的作用：通过MRA计算出Chip级别的修复地址（Repair address），并通过Laser Repair将CP测试中标记为可修复的Die进行修补，从而有效提升了Yield和可靠性。简而言之, CP是对Wafer进行的测试, 旨在评估制造厂所采用工艺的水平；而FT是对Package进行的测试, 旨在评估封装厂所采用工艺的水平.