这份文档《信号与系统课程期末复习题》包含了该课程的关键知识点和习题，旨在帮助学生巩固所学内容，为考试做好准备。
在常温条件下，硅二极管的门槛电压约为0.5伏特；导通后，在较大电流下其正向压降为大约0.7伏特。锗二极管的门槛电压约为0.1伏特，且当它导通并流过较大的电流时，它的正向压降为约0.2伏特。
二极管在正偏置条件下的电阻较小；而在反偏置条件下其电阻较大。
二极管最重要的特性是单向导电性。PN结加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，并且耗尽层变窄。
二极管的主要电气特性包括单向导电性和稳压功能。当使用稳压二极管进行电路设计时，它通常与负载并联连接；同时，在输入电源和稳压二极管之间必须加入一个电阻器以提供适当的限制作用。
电子技术主要分为模拟电子技术和数字电子技术两大类，前者专注于研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的各种电路及其相关技术应用领域。
PN结反向偏置时会增强其内电场强度；该结构还具有单向导电特性。硅二极管一旦开启工作状态后，它的压降值将保持恒定且不受通过此器件的电流变化影响，典型值为0.7伏特左右；而门槛电压V约为0.5伏特。
当二极管处于正偏置模式下时，其导通电流是由多数载流子进行扩散运动形成的。P型半导体中多以空穴作为主要载流子存在；而在N型半导体里，则是自由电子占据主导地位；至于本征半导体材料内则同时包含等量的电子和空穴对。
根据所掺入杂质的不同种类，可以将杂质半导体分为两种类型：一类是以产生额外正电荷（即“P”）为主的物质体系结构；另一类则是以形成多余负电荷载流子（即“N”）为特征。
5星
