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该文件包含STM32G070xx微控制器的内部FLASH读写驱动程序。

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简介：
通过对STM32G070xx芯片的内部FLASH读写操作，我本人实践表明，该芯片已经通过使用LL库进行了充分的调优，并且能够正常运行。由于配置主要集中在寄存器层面，因此即使在采用HAL库时，通过对相关宏定义进行调整也能保证其可用性。 总体而言，其配置方式与STM32L4xx芯片的配置高度相似，只需要进行少量寄存器的修改便可实现相同的功能。

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  • STM32 内部 FLASH 读写
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    本教程详解如何在STM32微控制器上进行内部FLASH存储器的读取与写入操作，涵盖配置步骤及代码示例。适合嵌入式开发人员参考学习。 ### STM32内部FLASH详解 #### 一、概述 STM32是一款广泛应用的微控制器，以其高性能、低功耗及丰富的外围设备而受到青睐。在众多STM32系列中，STM32F103（俗称“蓝胖”）更是因其良好的性价比而成为开发者的首选。其中，内部FLASH作为STM32的重要组成部分之一，对于存储代码和数据至关重要。 #### 二、内部FLASH的作用 内部FLASH主要负责存储用户编写的程序代码，并通过下载器将编译后的代码烧录到内部FLASH中。当STM32上电或复位时，可以从内部FLASH加载并执行代码。此外，内部FLASH还支持运行时的读写操作，可用于存储掉电后需要保留的关键数据。 #### 三、内部FLASH的结构 STM32的内部FLASH由以下三个部分组成： 1. **主存储器**：这是最主要的存储区域，用于存放用户程序代码。根据不同的STM32型号，主存储器的容量也会有所不同。例如，STM32F103ZET6（大容量hd版本）拥有512KB的FLASH，分为256个页，每个页大小为2KB。在写入数据之前，需要先进行擦除操作，这一特性与常见的外部SPI-FLASH类似。 2. **系统存储区**：这部分位于地址范围0x1FFFF000至0x1FFFF7FF之间，共2KB，主要用于存储固化的启动代码，负责实现诸如串口、USB以及CAN等ISP（In-System Programming）烧录功能。这部分内容用户通常无法访问和修改。 3. **选项字节区域**：这部分位于地址范围0x1FFFF800至0x1FFFF80F之间，共有16字节。主要用于配置FLASH的读写保护、待机停机复位、软件硬件看门狗等相关设置。 #### 四、内部FLASH的管理 内部FLASH的管理涉及以下几个方面： - **页擦除**：在向内部FLASH写入新数据之前，必须先执行擦除操作。擦除操作是以页为单位进行的，这意味着如果需要修改某个位置的数据，则必须擦除整个页，并重新写入数据。 - **数据写入**：数据写入也需按照页进行。需要注意的是，一旦数据写入，除非执行擦除操作，否则无法修改该页中的数据。 - **数据读取**：读取操作则不受上述限制，可以直接访问任意地址的数据。 #### 五、读写内部FLASH的应用场景 1. **存储关键数据**：由于内部FLASH的访问速度远高于外部SPI-FLASH，在紧急状态下存储关键记录是非常实用的选择。 2. **加密与安全**：为了保护应用程序不被盗版或破解，可以在第一次运行时计算加密信息并记录到内部FLASH的特定区域，之后删除部分加密代码，以此来增强程序的安全性。 3. **配置存储**：可以将一些经常需要读取但很少更改的配置信息存储在内部FLASH中，以减少对外部存储器的依赖，并提高系统响应速度。 #### 六、注意事项 - 在进行内部FLASH操作时，务必确保遵循正确的操作流程，避免误操作导致的数据丢失。 - 对于不同型号的STM32，其内部FLASH的具体配置（如页大小、总容量等）可能有所差异，在具体操作前应仔细查阅相应的规格书或参考手册。 STM32内部FLASH不仅承担着存储程序代码的任务，还能在运行时提供灵活的数据存储解决方案，是STM32强大功能不可或缺的一部分。
     
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    本项目提供基于Cortex-M3微控制器的Flash存储器读写驱动程序，支持高效的数据操作和保护机制，适用于嵌入式系统的数据管理。 在基于STM32固件库的COMTEX M3内部Flash读写驱动开发过程中，遵循“先擦除后写入”的原则是必要的。闪存操作涉及字（Word）和半字（Half Word）的概念：一个字为32位，而半字则为16位。尽管STM32 FLASH由8位的字节构成，编程时却以16位的半字单位进行，并且要求地址必须是偶数，否则可能导致错误。 在执行读写操作之前，需要解除相应的保护机制；完成操作后，则需重新上锁。
     
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    本资源包含STM32F103C8T6微控制器内部Flash读写操作详细说明及示例代码，适用于需要对该芯片进行程序存储和数据管理的开发者。 STM32F103C8T6 读写内部FLASH.zip 这个文件包含了关于如何使用STM32F103C8T6微控制器进行内部Flash存储器的读取和写入操作的相关资料。
     
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    本资源包含STM32L4xx系列微控制器内部Flash存储器的读写操作详细介绍及示例代码，适用于嵌入式开发人员学习和参考。 使用STM32L4xx读写内部FLASH时，本人采用的是STM32L452RET6芯片，并且已经通过LL库成功配置了寄存器；由于大部分代码都是基于寄存器的设置，因此在切换到HAL库后只需稍作修改即可继续使用。后来调试了一款新的STM32L471VETx芯片时发现擦除页操作无法正常进行，经过排查最终确定问题是该系列芯片内部FLASH页面编号不连续导致的问题；解决方法是需要调整擦除函数中的页码参数设置后才能成功执行擦除操作。需要注意的是此解决方案并不适用于STM32L4x1系列的其他型号（因为它们可能有不同的内存布局），所以在使用时需针对特定型号进行相应的代码修改。