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计算机组成原理中静态随机存储器实验.doc

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简介:
本文档详细介绍计算机组成原理课程中的静态随机存储器实验内容,包括实验目的、原理、操作步骤及注意事项等。 静态随机存储器(SRAM)实验是计算机组成原理教学中的重要环节之一,其目的是让学生掌握SRAM的工作特性和数据读写的操作方法。 在该实验中使用的设备包括TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统一套以及若干导线。6116型半导体静态存储器被用于本实验,它由2K×8构成,并且它的地址线与地址锁存器(74LS273)连接在一起;数据线则接至数据总线上。 SRAM的控制信号包括CE、OE和WE三个引脚。当片选有效(即CE=0),并且读取操作时,需要使能OE信号(此时为0)。而写入操作则是通过将WE置为低电平来完成的,在本实验中则设定为保持OE接地,因此6116的引脚信号在WE=1时进行读取操作,在WE=0时执行写入。具体来说,当CE和WE都设置成相应的值,并且有T3脉冲到来的时候,可以对存储器进行数据存取。 实验内容主要包括以下两个方面: - 向指定地址单元输入数据 - 从指定地址中读出数据 在实际操作过程中,需要按照一定的步骤来完成上述任务。比如向00号位置写入11的数据时,首先设置SW-B为1,并将二进制数“00”通过开关送至寄存器;然后打开输入三态门(即令SW-B变为0),接着把地址值加载到锁存器中并触发T3脉冲。接下来,同样地准备写入数据11:设置好相应的输入条件后,使CE和WE分别变成低电平,并且再次发送一个T3脉冲以将信息存储至内存单元。 通过这个实验,学生能够深入理解SRAM的工作机制及其实际应用中的操作方式。

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    本文档详细介绍计算机组成原理课程中的静态随机存储器实验内容,包括实验目的、原理、操作步骤及注意事项等。 静态随机存储器(SRAM)实验是计算机组成原理教学中的重要环节之一,其目的是让学生掌握SRAM的工作特性和数据读写的操作方法。 在该实验中使用的设备包括TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统一套以及若干导线。6116型半导体静态存储器被用于本实验,它由2K×8构成,并且它的地址线与地址锁存器(74LS273)连接在一起;数据线则接至数据总线上。 SRAM的控制信号包括CE、OE和WE三个引脚。当片选有效(即CE=0),并且读取操作时,需要使能OE信号(此时为0)。而写入操作则是通过将WE置为低电平来完成的,在本实验中则设定为保持OE接地,因此6116的引脚信号在WE=1时进行读取操作,在WE=0时执行写入。具体来说,当CE和WE都设置成相应的值,并且有T3脉冲到来的时候,可以对存储器进行数据存取。 实验内容主要包括以下两个方面: - 向指定地址单元输入数据 - 从指定地址中读出数据 在实际操作过程中,需要按照一定的步骤来完成上述任务。比如向00号位置写入11的数据时,首先设置SW-B为1,并将二进制数“00”通过开关送至寄存器;然后打开输入三态门(即令SW-B变为0),接着把地址值加载到锁存器中并触发T3脉冲。接下来,同样地准备写入数据11:设置好相应的输入条件后,使CE和WE分别变成低电平,并且再次发送一个T3脉冲以将信息存储至内存单元。 通过这个实验,学生能够深入理解SRAM的工作机制及其实际应用中的操作方式。
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    本文档介绍了计算机组成原理课程中关于静态随机存储器(SRAM)的实验内容。通过该实验,学生可以深入了解SRAM的工作机制及特性,并掌握其基本设计方法。 静态随机存储器实验是计算机组成原理课程中的一个重要部分。该实验旨在帮助学生理解并实践静态随机存取内存(SRAM)的工作机制和技术细节,通过实际操作加深对相关理论知识的理解与掌握。在实验中,学生们将学习如何设计和测试简单的SRAM单元,并探索其在现代计算系统中的应用。
  • ——取内.doc
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    本实验文档深入探讨了计算机组成原理中的静态随机存取内存(SRAM)相关知识,通过实际操作帮助学生理解SRAM的工作机制与应用。 在计算机组成原理的静态随机存储器实验中,所用半导体静态存储器电路如图所示。实验采用一片6116(2K*8)芯片构成静态存储器,其数据线连接到数据总线,地址线由地址锁存器(74LS273)提供。地址灯AD0—AD7与地址线相连,用于显示地址内容。通过三态门(74LS245),数据开关分时向数据总线输出地址和数据信息。
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    本实验资源为《计算机组成原理》课程中关于静态随机存取内存(SRAM)的学习材料,包含详细的实验指导和操作指南。 计算机组成原理-静态随机存储器实验报告,仅供学习交流使用。
  • 074-王楠-.doc
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    本文档为《计算机组成原理》课程中关于静态随机存储器实验的教学材料,由作者王楠编写,旨在指导学生理解并实践SRAM的工作原理与设计方法。 计算机组成及汇编原理实验报告——静态随机存储器实验 本次实验旨在掌握静态随机存储器(SRAM)的工作特性以及数据的读写方法。
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    《计算机组成原理实验之存储器》是一篇介绍如何通过实践操作理解计算机内存工作方式的文章。读者将学习设计、构建和测试存储系统,掌握其核心概念与应用技巧。 掌握半导体静态随机存储器(SRAM)的特性和使用方法。理解地址和数据在计算机总线上的传输关系。了解运算器与存储器如何协同工作。
  • 报告——
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    本实验报告针对《计算机组成原理》课程中的存储器部分进行详细探讨与实践验证,涵盖存储器基本概念、操作方式及性能测试等内容。 计算机组成原理实验报告——存储器实验 本次实验的主要目的是通过实践操作加深对计算机存储系统构成的理解,并掌握基本的测试方法与技巧。在实验过程中,我们学习了如何搭建一个简单的内存模型,并进行了多种读写操作以验证其功能是否正常。 首先,在理论知识的学习阶段,小组成员共同查阅相关文献资料,了解了各种类型的存储器(如RAM、ROM等)的工作原理和特点;接着按照指导书的要求准备所需的硬件设备及软件工具。实验过程中遇到的问题我们都积极讨论解决,并详细记录每一步的操作流程以及最终的结果。 通过本次实践环节的学习与锻炼,不仅提升了我们的动手能力和团队协作精神,还使我们更加深刻地理解了存储器在计算机系统中的重要性及其工作原理。
  • 报告.docx
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    本实验报告详细探讨了计算机组成原理课程中的存储器相关实验。通过理论与实践相结合的方式,深入研究了存储体系结构、性能优化以及数据访问机制等内容。 MIPS计算机组成原理存储器实验报告非常详细。
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    本实验为《计算机组成原理》课程中关于存储器设计的部分,旨在通过实践加深学生对存储系统架构、工作原理及优化方法的理解。 存储设计实验是指针对不同的数据存储需求进行的设计与实现过程,旨在优化数据的读取、写入及管理效率,同时确保数据的安全性和可靠性。这类实验通常包括但不限于关系型数据库设计、NoSQL 数据库选择以及分布式文件系统的搭建等环节。 在实施过程中,参与者需要理解各种存储技术的特点和应用场景,并通过实际操作来掌握如何根据具体业务需求进行合理的架构选型和技术实现。此外,还需要关注性能优化策略的制定与应用,比如索引使用规则、数据冗余控制方法及缓存机制设计等方面的知识点。 总的来说,这样的实验对于提升数据库管理员或软件开发工程师在处理大规模复杂系统时的数据管理能力具有重要意义,并且能够帮助他们更好地应对未来工作中可能出现的各种挑战。
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    本实验为《计算机组成原理》课程中的第三部分,专注于存储器的工作机制和性能测试,通过实践加深学生对数据存储与访问的理解。 ### 计算机组成原理多思实验3存储器实验知识点解析 #### 一、实验目的与背景 在本次实验中,学生将通过一系列的操作实践掌握静态随机存储器(Static Random Access Memory, SRAM)的工作原理及其读写方法。SRAM是一种重要的内存类型,广泛应用于计算机系统中作为主存储器的一部分,其主要特点是即使在断电后,只要电源持续供应,它就能保持数据不丢失。 #### 二、实验原理详解 **1. 静态随机存储器(SRAM)简介** - **结构**: SRAM通常由多个基本单元组成,每个基本单元可以存储一位数据。 - **访问方式**: SRAM支持随机访问,即可以通过地址直接读取或写入数据。 - **优点**: 速度快,因为无需刷新周期。 - **缺点**: 成本较高,功耗较大。 **2. 实验电路设计** 实验中使用的半导体静态存储器电路主要包括以下几个部分: - **数据开关**: 数据开关 (SW7~ SW0) 用于设置读写地址和欲写入存储器的数据。 - **三态门 74LS245**: 该元件的作用是根据控制信号选择性地将数据开关上的数据传递到总线上,或者阻止数据传输。 - **地址寄存器 AR**: 用于存储当前被访问的地址。 - **存储器芯片 6116**: 具有2K×8位的存储容量。在这个实验中,由于A8~A10引脚接地,实际可用的存储空间为256字节。 - **控制线**: 包括片选线(CE)、读线(OE)和写线(WE)。这些控制线决定了存储器何时执行读写操作。 **3. 控制信号解释** - **CE(Chip Enable)**: 片选信号,当CE为低电平时,表示选中了存储器芯片。 - **OE(Output Enable)**: 输出使能信号,当CE和OE同时为低电平时,存储器进行读操作。 - **WE(Write Enable)**: 写使能信号,当CE和WE同时为低电平时,存储器进行写操作。 **4. 读写操作流程** - **写操作** - 设置地址: 将数据开关设置为相应的地址值,打开三态门,通过P2脉冲将地址送入地址寄存器AR。 - 设置数据: 将数据开关设置为要写入的数据值,打开三态门,通过P1脉冲将数据写入指定地址。 - **读操作** - 设置地址: 同写操作。 - 读取数据: 当CE和OE同时为低电平时,存储器进行读操作,并将数据输出到总线上。 #### 三、实验内容与步骤 **1. 实验设备准备** - 选择所需的组件并构建实验电路。 - 进行电路预设置: - MR置1,AR不清零。 - CE=1,RAM6116未被选中。 - SW-BUS=1,关闭三态门。 **2. 存储器写操作** - 设置地址和数据,并通过P2脉冲将地址送入AR;随后使用P1脉冲将数据写入指定地址。例如向01H单元写入11H的数据。 **3. 存储器读操作** - 设置地址,然后当CE和OE同时为低电平时进行读取,并观察输出是否正确。 #### 四、实验结果与分析 完成上述步骤后,应能够验证存储器读写操作的正确性。通过观察地址灯和数据灯的变化可以确认数据被成功写入和读出。此外还可以利用虚拟实验系统的“存储器芯片设置”功能来查看存储器中的实际内容。 通过本次实验不仅加深了对SRAM工作原理的理解,还熟悉了其实验电路的设计与调试过程,对于计算机硬件的学习具有重要意义。