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定时器计数器的结构与工作原理

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简介：
本文章主要介绍定时器计数器的基本概念、内部结构以及工作原理，帮助读者理解其在数字系统中的应用和重要性。适合初学者和技术爱好者阅读。 80C51单片机内部配置了两个可以编程的16位定时器/计数器。这些定时器的功能可以根据指令进行设定和调整，包括工作模式、定时时间范围以及启动方式等。每个定时器由一个16位计数器组成，并且还配有控制寄存器和方式寄存器。 从结构上看，这两个16位的定时/计数器各包含两个8位专用寄存器：T0 由 TH0 和 TL0 构成；T1 则由 TH1 和 TL1 组成。这些寄存器可以通过地址 8AH 至 8DH 访问，并且可以单独操作，用于存储定时或计数的初始值。 除此之外，还有两个重要的寄存器：一个是方式寄存器 TMOD，另一个是控制寄存器 TCON。TMOD 主要用来选择定时器的工作模式；TCON 则主要用于启动和停止定时器的操作，同时也能保存溢出标志及中断标志。当定时计数器工作于计数模式时，外部事件可以通过引脚 T0（P3.4） 和 T1（P3.5） 输入。 简而言之，16位的定时/计数器本质上是一个加一计数器，其操作受软件控制。

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  • 定时器计数器的结构与工作原理
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    本文章主要介绍定时器计数器的基本概念、内部结构以及工作原理，帮助读者理解其在数字系统中的应用和重要性。适合初学者和技术爱好者阅读。 80C51单片机内部配置了两个可以编程的16位定时器/计数器。这些定时器的功能可以根据指令进行设定和调整，包括工作模式、定时时间范围以及启动方式等。每个定时器由一个16位计数器组成，并且还配有控制寄存器和方式寄存器。 从结构上看，这两个16位的定时/计数器各包含两个8位专用寄存器：T0 由 TH0 和 TL0 构成；T1 则由 TH1 和 TL1 组成。这些寄存器可以通过地址 8AH 至 8DH 访问，并且可以单独操作，用于存储定时或计数的初始值。 除此之外，还有两个重要的寄存器：一个是方式寄存器 TMOD，另一个是控制寄存器 TCON。TMOD 主要用来选择定时器的工作模式；TCON 则主要用于启动和停止定时器的操作，同时也能保存溢出标志及中断标志。当定时计数器工作于计数模式时，外部事件可以通过引脚 T0（P3.4） 和 T1（P3.5） 输入。 简而言之，16位的定时/计数器本质上是一个加一计数器，其操作受软件控制。
     
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    本文介绍了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的基本结构和工作机理，探讨了其在电子设备中的应用价值。 ### MOSFET的结构与工作原理 #### 一、MOSFET概述 金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，简称MOSFET）是现代电子设备中广泛应用的一种半导体元件。根据其工作机制的不同，可以分为结型和绝缘栅型两大类，其中以绝缘栅型最为常见，并在功率电子产品领域应用广泛。 #### 二、功率MOSFET的结构与分类 ##### 2.1 功率MOSFET的结构 功率MOSFET主要分为P沟道和N沟道两种类型，而后者更常被使用。根据栅极电压的不同，可以进一步将它们划分为耗尽型和增强型。 - **耗尽型**：当栅极电压为零时，漏源之间已经存在导电通道。 - **增强型**：对于N沟道器件而言，在栅极施加正向电压后才会形成导电通道。相比之下，这种类型的MOSFET更为常见。 在内部结构上，功率MOSFET与小型的MOSFET有明显的区别。小型的通常是横向导通设计，而功率型则采用垂直导通架构，这使其能在较小的空间内承受更高的电压和电流负载。常见的垂直导电类型包括VVMOSFET（V形槽结构）和VD-MOSFET（垂直双扩散MOSFET）。 ##### 2.2 多元集成设计 为了提高功率MOSFET的性能，制造商采用多种单元设计方案： - 国际整流器公司使用的HEXFET采用了六边形单元； - 西门子公司则使用了正方形单元SIPMOSFET； - 摩托罗拉公司的TMOS则是矩形单体按“品”字型排列。 这些设计有助于提升导电能力和散热性能，满足更高功率应用需求。 #### 三、功率MOSFET的工作原理 MOSFET有截止状态和导通状态两种工作模式： - **截止状态**：当漏源之间施加正向电压且栅极与源极之间的电压为零时，P型基区与N漂移区域的PN结处于反偏置，此时没有电流通过。 - **导通状态**：如果在栅极和源极间应用了足够的正电压，则会在栅电场的作用下于P区内形成一个N型反转层（即沟道），当此电压超过阈值时，该通道将短路PN结并允许较大的漏源电流流通。 #### 四、功率MOSFET的基本特性 ##### 4.1 静态性能指标 - **转移曲线**：描述了栅源电压与漏极电流之间的关系。当流经器件的电流较大时，这种关系呈现线性趋势，其斜率被称为跨导。 - **输出特性**：包括截止区、饱和区和非饱和区域三部分，在实际应用中电力MOSFET通常工作在截止区及非饱和区间。 ##### 4.2 动态性能指标 - **开启过程**：涉及开通延迟时间td(on)、上升时间和总的开启时间ton。 - **关闭过程**：包括关断延时td(off)，下降时间和总体的关闭时间toff。 #### 五、功率MOSFET的应用领域 凭借其独特的优点，如高速开关能力、低驱动电源需求和良好的热稳定性等特性，功率MOSFET在众多应用中扮演着关键角色。例如，在开关电源、逆变器以及电机控制设备等领域内作为核心的开关元件发挥重要作用。 ### 结论 作为一种重要的电子元器件，MOSFET不仅具有理论研究上的重要性，并且在实际的应用场景下也起到了不可或缺的作用。通过深入了解其结构和工作原理有助于更好地利用这些优势并避免设计过程中的潜在问题。
     
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  • 微机原理中的定时器/计数器（8253）
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