MOS管驱动电路的设计经验分享

简介：
本文章详细介绍了设计MOS管驱动电路的经验与技巧，涵盖驱动方式、信号完整性及EMI等关键问题，适合电子工程师参考学习。 在设计开关电源并选用MOSFET时，人们通常关注其导通电阻、电压及电流特性。然而，仅考虑这些因素可能不足以实现最佳性能的设计方案。更深入地讲，在选择特定的MOSFET时，还应考虑到它的寄生参数的影响。对于选定的MOSFET而言，驱动电路中电源IC输出的最大峰值电流以及上升速率等因素都会影响其开关特性。 当确定了合适的电源IC和MOS管之后，选取恰当的驱动电路来连接二者就变得至关重要。优秀的MOSFET驱动电路需满足以下条件：在开关管启动瞬间，该驱动电路应提供充足的充电电流以使栅源极间的电压迅速达到所需水平，从而确保快速开通且无高频振荡现象发生。 当电源IC与MOS管选定之后，选择合适的驱动电路来连接二者显得尤为重要。一个优秀的MOSFET驱动电路应该能够保证在开关导通瞬间有足够的峰值电流供给，并且上升速度要快，以避免出现不必要的高频振荡和延迟问题。