Silvaco-Atlas操作指南文档
5星
- 浏览量: 0
- 大小:None
- 文件类型：DOCX
简介：
本手册提供详尽的操作步骤和实用技巧，旨在帮助用户熟练掌握Silvaco-Atlas软件的各项功能，适用于半导体器件建模与仿真领域。
《Silvaco Atlas 操作文档》是一份关于如何使用二维半导体器件模拟软件Silvaco Atlas的详细指南，旨在帮助用户理解并能够独立定义器件以及进行仿真工作。该软件基于物理模型，可以模拟半导体结构中的电学特性，并揭示在实际操作中内部的工作机制。
ATLAS仿真的过程中需要两个主要输入文件：一个是包含执行指令的文本段落件；另一个是描述模拟结构的结构文件。完成仿真后，ATLAS会生成三类输出文档：记录运行过程及可能出现错误和警告的日志文件、保存端电压与电流数据的数据记录以及特定偏置点下的二维或三维变量解的结果文件。
使用Silvaco Atlas进行仿真的步骤如下：
1. 启动Exceed XDMCP Broadcast，选择ASIC-V890并输入用户名和密码。
2. 在终端窗口中输入“deckbuild –as&”以启动ATLAS软件。
以下是一个NMOS结构仿真操作的具体例子：
1. 创建NMOS结构。用户需要依次定义网格、材料区域、电极、掺杂类型、物理模型及接触种类等信息。
2. 生成Vds=0.1V时的Id-Vgs曲线，以确定器件参数如阈值电压（Vt）、载流子迁移率（Beta）和表面态密度（Theta）。
3. 改变Vgs值至不同的数值（例如：1.1V、2.2V 和 3.3V），生成不同条件下的Id-Vds曲线。
在创建NMOS结构的过程中，用户需要进行以下步骤：
1. 在“ATLAS Mesh”界面中选择构造新网格，并定义X和Y方向的网格位置与间距，确保整个结构都被覆盖。
2. 接下来定义材料区域。利用`region`命令将网格划分为具有不同材料属性的不同部分，例如氧化层、GaN 层以及 AlxGa1-xN 层。
通过以上详细的步骤说明，用户可以逐步掌握Silvaco Atlas的操作方法，并实现对半导体器件的精确建模和仿真工作，从而优化器件设计及性能。在实际应用中，可以根据自己的需求调整参数进行各种复杂的器件特性和行为研究。
全部评论 (0)
