本数据手册详细介绍了DDR4 SDRAM器件MT40A1、MT40A512M8和MT40A256M16的技术规格,包括电气特性、时序参数及应用指南。
### DDR4 SDRAM MT40A1G、MT40A512M8与MT40A256M16数据手册关键知识点解析
#### 一、产品概述
本数据手册详细介绍了三种不同规格的DDR4 SDRAM产品:MT40A1G、MT40A512M8和MT40A256M16。这些存储器旨在为高性能计算系统提供强大的内存支持,具有低功耗和高带宽的特点。
#### 二、主要特点
- **供电电压**:工作电压VDD与VDDQ均为1.2V±60mV,而VPP为2.5V,允许范围是–125mV到+250mV。
- **内部VREFDQ生成**:芯片内置可调的VREFDQ生成机制,用于优化信号完整性。
- **伪开漏输出(IO)**:采用1.2V伪开漏IO,适用于高速数据传输。
- **温度控制**:最高工作温度可达95°C。在85°C以下时,使用64ms、8192次刷新周期;超过85°C至95°C,则采用32ms、8192次刷新周期。
- **内部银行结构**:
- 对于x4和x8配置,包含16个内部银行,分为四组,每组四个。
- 对于x16配置,则有8个内部银行,分成两组,每组四个。
- **预取架构**:采用8n位预取架构以提高数据传输效率。
- **数据选通前置**:支持可编程的数据选通信号前置以及信号训练功能。
- **命令地址延迟(CAL)**:提供了对命令地址延迟的编程能力。
- **多功能寄存器读写**:具备多种用途寄存器的读写能力。
- **写入校准**:支持写电平校准,确保数据准确性。
- **自刷新模式**:在系统不活跃期间保持数据完整性时提供自刷新功能。
- **低功耗自动自刷新(LPASR)**:能够在系统闲置时节省电力消耗的支持模式。
- **温度控制刷新(TCR)**:能够根据环境温度调整其刷新策略。
- **细粒度刷新**:支持更精细的刷新操作。
- **中断自刷新**:可以在需要时中止正在进行中的自动刷新过程。
- **最大功率节省**:采用多种技术最大限度地减少功耗。
- **输出驱动器校准**:具备对输出驱动器进行校准的功能。
- **片上终止(ODT)**:支持名义、停放和动态片上终止功能,以优化信号完整性。
- **数据总线反转(DBI)**:提供数据总线反转功能,有助于降低功耗。
- **命令地址(CA)奇偶校验**:具备命令地址奇偶校验能力增强传输可靠性。
- **写CRC保护**:支持数据总线的循环冗余检验以确保数据的一致性和完整性。
- **每个DRAM可寻址**:允许单独访问每一个DRAM设备。
- **连接性测试**:提供诊断和维护所需的连接性测试功能。
- **sPPR和hPPR能力**:支持标准及高级性能配置参数报告的能力。
- **JEDEC JESD-79-4合规性**:符合JEDEC JESD-79-4规范的要求。
#### 三、选项
- **标记方式**:不同的产品型号对应特定的标记,例如1Gx4表示1GB x 4bit配置。
- **封装类型**:采用FBGA无铅封装形式,尺寸和修订版本有所不同。
- **时序规格**:根据工作频率的不同,周期时间也不同。如0.625ns @ CL=22适用于DDR4-3200速率的内存条。
#### 四、总结
MT40A1G、MT40A512M8和MT40A256M16采用了高级设计和技术,满足高性能计算系统的内存需求。这些产品不仅具备出色的性能指标,如高速数据传输率及低功耗特性等,并且提供了多种功能选项以适应不同的应用场景需要。通过学习本手册内容,工程师们可以更好地了解产品的特性和规格,在构建高性能计算机平台时加以应用。