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功率半导体研究报告:功率MOSFET

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简介:
本报告深入分析了功率MOSFET市场的发展趋势、技术进步和应用前景,旨在为行业投资者提供战略参考。 在11月21日发布的《功率半导体总览:致更高效、更精密、更清洁的世界》报告中,我们向读者介绍了功率半导体这一现代社会电气化运作的核心,并对其未来的发展趋势进行了预测。在这篇后续的报告里,我们将重点介绍功率MOSFET——目前全球市场占比最大的功率器件细分行业。 根据载流子种类与掺杂方式的不同,MOSFET可以分为四种类型:N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P沟道耗尽型。在《总览》报告中我们提到,功率半导体行业是一个需求驱动的行业,因此功率MOSFET行业的市场空间主要来自于对工作频率为10kHz以上及输出功率5kW以下的功率器件的需求。

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客服
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  • MOSFET
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    本报告深入分析了功率MOSFET市场的发展趋势、技术进步和应用前景,旨在为行业投资者提供战略参考。 在11月21日发布的《功率半导体总览:致更高效、更精密、更清洁的世界》报告中,我们向读者介绍了功率半导体这一现代社会电气化运作的核心,并对其未来的发展趋势进行了预测。在这篇后续的报告里,我们将重点介绍功率MOSFET——目前全球市场占比最大的功率器件细分行业。 根据载流子种类与掺杂方式的不同,MOSFET可以分为四种类型:N沟道增强型、N沟道耗尽型、P沟道增强型和P沟道耗尽型。在《总览》报告中我们提到,功率半导体行业是一个需求驱动的行业,因此功率MOSFET行业的市场空间主要来自于对工作频率为10kHz以上及输出功率5kW以下的功率器件的需求。
  • -大国重器
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    本报告聚焦于功率半导体产业的发展趋势与技术突破,旨在探讨其在国家重大基础设施建设中的关键作用及未来前景。 支持集成电路国家大基金肩负着推动半导体产业发展的重要使命。功率半导体作为产值高达200亿美元的行业板块,在高铁动力系统、汽车动力系统以及消费及通讯电子系统的自主可控性方面扮演关键角色,其战略地位不容忽视。因此,可以预见国家大基金会全力扶持这一领域。 回顾过去三年中,集中投资细分领域的龙头企业一直是国家大基金的投资策略之一。我们预计在资本的推动下,我国功率半导体行业的领军企业将加速整合海外优质资源,并加快向高端市场迈进的步伐。 目前全球范围内掌握技术优势的功率半导体供应商主要分布在北美、欧洲和日本等地区。而中国大陆及台湾地区的厂商则多集中在二极管、晶闸管以及低压MOSFET这类低端功率器件领域,相比之下,在IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和中高压MOSFET等领域的发展相对滞后。
  • 2023-2028年市场现状及前景.pdf
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    本报告深入分析了2023至2028年间全球功率半导体市场的当前状况与未来趋势,涵盖市场规模、增长驱动因素、竞争格局及主要参与者策略。 功率半导体市场现状与前景调研报告概述了该领域的重要趋势和发展方向,对于企业和从业者制定战略规划具有重要指导意义。本报告涵盖了功率半导体的定义、分类、行业监管情况、政策法规、行业发展特征、汽车电动化对功率半导体的影响、供应链安全与国产化进程以及碳化硅器件的应用等,并分析了行业内主要企业的现状。 功率半导体是一种关键电子元件,用于控制和转换电能,在能源管理、交通运输及工业自动化等多个领域广泛应用。其分类主要包括IGBT(绝缘栅双极晶体管)和MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。理解这些元件的特性及其应用性能指标对于选择设计高效可靠的电力系统至关重要。 行业监管情况与政策法规构成了企业运营的基础,报告详细介绍了功率半导体行业的归属、主管部门及相关法律法规,为企业合规经营及遵循相关政策提供了清晰指引。国家产业政策对行业发展影响重大,包括但不限于技术升级、市场准入和税收优惠等措施。 2022-2023年间中国功率半导体行业展现出了积极的发展态势,在汽车电动化趋势的推动下市场需求强劲。电动汽车普及促进了IGBT与MOSFET等元件的需求增长,并且国内企业加快产品开发验证以满足更加严格的车规级标准,逐步打破了国际巨头的市场垄断。 供应链安全成为全球关注焦点,芯片短缺问题促使国产厂商抓住机遇通过IDM(垂直整合制造)和Fabless(无晶圆厂半导体公司)模式加速国产替代进程。车企投资支持及国产芯片性能提升使得“国产替代”策略在功率半导体领域取得显著进展。 碳化硅作为新一代半导体材料因其高效率、高温稳定性等优点,在新能源汽车充电桩以及光伏等领域展现出巨大应用潜力,随着衬底和外延技术的成熟产业链布局逐步完善这将进一步推动功率半导体技术创新与市场扩张。 报告还分析了行业内如斯达半导、闻泰科技、时代电气、士兰微及新洁能等代表性企业在技术创新市场份额以及业务拓展方面各自特色展示了中国功率半导体产业活力与竞争力。 这份报告为投资者从业者和政策制定者提供了全面的功率半导体市场洞察有助于理解当前市场的挑战机遇并预测未来可能的发展路径。通过深入研究分析企业可以据此调整战略把握行业趋势实现可持续发展。
  • 关于器件中场限环的.pdf
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    本文档深入探讨了功率半导体器件中场限环现象的机理和特性,并分析其对器件性能的影响,为优化设计提供理论依据。 本段落主要探讨了功率半导体器件中的场限环(Field Limiting Ring, FLR)结构理论及其相关研究。FLR是一种用于增强功率半导体器件阻断能力的常见设计方式,研究人员通过深入分析其理论基础,总结出影响击穿电压的关键因素,并详细讨论在给定击穿电压条件下场限环电场分布及峰值电场表达式。 此外,本研究还提出了确定FLR数量的方法,包括圆柱坐标对称解和MEDICI半导体器件模拟工具的应用。研究表明表面电荷对于带FLR的功率半导体器件击穿电压以及优化环间距具有显著影响。因此,研究人员进行了大量分析与模拟工作,探讨了FLR结构在实际应用中的效果,并为设计更优的FLR提出了一系列建议。 鉴于功率半导体器件在电力电子领域的广泛应用及其重要性,对FLR结构进行理论研究和实践探索不仅具备重要的学术价值也具有广泛的实用意义。随着技术进步,高压功率半导体器件的应用范围日益扩大至汽车、消费电子产品、开关电源及工业控制等多个领域。然而,在现代半导体制造工艺中采用平面型终端设计导致结深较浅且边缘弯曲的问题使得耐压性能下降,并影响到安全工作区的大小和设备稳定性。 因此,增强功率半导体器件的阻断能力成为当前研究的重点之一。本段落通过对FLR结构理论的研究及应用探讨了这一问题的有效解决方案。希望本项研究成果能够推动该领域的发展并提升其可靠性和效能。 总体而言,本研究的主要贡献包括:(1)对FLR结构理论进行了详尽分析,并总结出影响击穿电压的关键因素;(2)提出了确定场限环数量的多种方法;(3)深入探讨了表面电荷对于带FLR器件性能的影响以及如何优化环间距;(4)讨论并提出了一些设计和应用FLR结构的具体建议。研究结果与现有文献中的数值模拟数据一致,为后续的设计工作提供了宝贵的指导信息。
  • 芯片国产化专题(20页).zip
    优质
    本报告深入探讨了功率半导体芯片的技术发展趋势及市场需求,并分析了国产化进程中的机遇与挑战。报告共20页,为读者提供了详尽的数据和见解。 芯片国产化专题报告:功率半导体(20页)
  • 产业系列国产化进程中的稳健前行.pdf
    优质
    本报告深入分析了中国功率半导体行业的现状与发展趋势,探讨了国产化进程中企业的挑战与机遇,展示了行业稳健前行的步伐。 半导体产业系列研究:长风破浪,功率半导体国产化之路稳中求进.pdf 该文档深入探讨了中国半导体产业发展现状及未来趋势,特别聚焦于功率半导体领域的国产化进程。报告分析了当前面临的机遇与挑战,并提出了推动行业稳步前进的策略建议。
  • 器件的TCAD仿真
    优质
    功率半导体器件的TCAD仿真是一门利用计算机软件模拟技术来预测和优化功率器件性能的技术。通过精确建模材料特性、工艺流程及电学行为,该方法支持设计创新且高效的电力电子装置,在新能源、电动汽车等众多领域发挥关键作用。 这段文字介绍了Sentaurus仿真中的器件结构和器件仿真的基础知识,适合初学者学习功率半导体仿真实用技巧。
  • MOSFET器件原理
    优质
    本课程深入浅出地讲解了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的工作原理及其在电力电子领域的应用,包括其结构、特性及驱动方法。 介绍功率MOSFET的经典文章由美国ON专家撰写。
  • 激光器驱动电路.pdf
    优质
    本论文探讨了设计和优化高功率半导体激光器驱动电路的方法和技术,旨在提高激光器的工作效率与稳定性。 为了实现30瓦连续掺镱光纤激光器的设计,需要开发一种能够驱动大功率(10安培)半导体激光器的电路。
  • 小型调幅发射机仿真
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    本报告深入分析了小型功率调幅发射机的工作原理与性能指标,并通过计算机仿真技术对其进行了全面评估。研究为同类设备的设计和优化提供了重要参考依据。 自行设计一个小功率调幅发射机,技术指标如下:载波频率为指定值;频率稳定度不低于10^-3;输出功率在负载电阻下确定;输出信号带宽(双边带)需满足要求;残波辐射是指除基波辐射以外的谐波、寄生和相互调制产生的任何残留辐射功率的最大容许值。单音调幅系数应符合标准,平均调幅系数为0.3,发射效率需要优化以确保性能达标。