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【STM32H743IIT6】利用外部SDRAM模拟内部SRAM及其面临的挑战

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本文章探讨了在STM32H743IIT6微控制器中使用外部SDRAM来扩展和增强内部SRAM存储能力的方法，同时分析了这种方法所面临的技术难题与优化策略。 主要代码文件包括fmc.c.h 和 main.c（并不是整个工程，整个工程不方便分享）。

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  • 【STM32H743IIT6】利用外部SDRAM模拟内部SRAM及其面临的挑战
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    本文章探讨了在STM32H743IIT6微控制器中使用外部SDRAM来扩展和增强内部SRAM存储能力的方法，同时分析了这种方法所面临的技术难题与优化策略。 主要代码文件包括fmc.c.h 和 main.c（并不是整个工程，整个工程不方便分享）。
     
  • 基于野火F429挑战者板的LVGL 8.2移植与DMA2D加速双图层应用及外部SDRAM使用
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    本项目基于野火F429挑战者开发板，实现LVGL 8.2图形库的高效移植，并结合DMA2D技术优化双图层显示性能。同时探索了外部SDRAM资源的有效利用方法。 基于野火F429挑战者的LVGL 8.2移植项目利用了DMA2D加速，并将缓冲区设置在外部SDRAM上。该项目启用了Layer1和Layer2，可以在一个图层中使用LVGL，在另一个图层中实现其他功能，例如添加摄像头支持或JPEG图片二维码等。需要注意的是，图层2的绘图需要自行实现。目前该程序仅达到可用状态。
     
  • STM32 FMC 扩展外部 SDRAM
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    本项目介绍如何通过STM32微控制器的FMC总线扩展并使用外部SDRAM内存模块，实现大容量数据缓存与处理。 STM32系列微控制器基于ARM Cortex-M内核设计，适用于各种嵌入式系统应用。在需要大量存储空间的应用场景下，如实时数据处理或图像显示中，内置闪存与SRAM可能无法满足需求。此时可以通过利用STM32的FMC（Flexible Memory Controller）接口来扩展外部存储器，比如SDRAM。 本段落主要探讨通过STM32 FMC驱动程序访问和管理外部SDRAM的方法。首先需要了解FMC接口的功能：它支持多种类型的外接设备如SDRAM、NOR Flash以及PSRAM，并提供高速的数据传输能力及多总线操作以提升系统性能。此外，FMC包含多个独立配置的bank，每个可以连接不同的外部存储器。 在使用STM32扩展SDRAM时，请参考以下关键步骤： 1. **硬件配置**：确保电路板上正确安装了适当的SDRAM芯片（例如MT48LC16M16A2），这是一款容量为128MB的16位宽、16M字节大小的SDRAM。必须保证地址线、数据线和控制信号如CS、RAS、CAS及WE被正确连接至STM32 FMC引脚。 2. **软件配置**：在STM32 HAL或LL库中，需要设置FMC控制器参数，包括选择适当的bank、指定SDRAM类型及其行列地址大小等。这项工作通常在初始化函数内完成（例如`stm32fxxx_hal_msp.c`文件）。 3. **初始化SDRAM**：软件配置完成后需执行一系列被称为“初始化序列”的操作步骤，如设置模式寄存器和进行预充电、自刷新以及加载模式寄存器等。这些任务通常由HAL或LL库提供的函数自动处理（例如`HAL_FMC_SDRAM_Init()` 和 `HAL_FMC_SDRAM_ConfigCommand()`）。 4. **内存映射**：为了像访问片内RAM一样操作SDRAM，需要在C语言环境中将SDRAM的起始地址映射至内存空间。这可以通过修改链接脚本或通过某些RTOS系统中的内存分配器来实现。 5. **数据存取**：当正确配置并初始化后，可以使用类似普通数组的方式来读写SDRAM的数据（例如`*(uint32_t*)0x60000000`用于访问SDRAM的第一个32位字）。 6. **刷新管理**：为了保持SDRAM中的数据完整性，需要定期执行刷新操作。STM32 FMC接口提供了自动刷新功能，但还需在程序中合理设定刷新计数器和间隔。 7. **异常处理**：实际应用时应考虑电源波动、时钟同步等问题可能导致的错误，并编写相应的异常处理代码以确保系统稳定性。 通过上述步骤及相关示例（如18-FMC—扩展外部SDRAM），可以深入了解如何使用STM32 FMC接口与SDRAM进行交互，从而为项目提供更大的存储空间。实践中请根据具体使用的STM32型号和SDRAM型号调整相关参数，保证兼容性和可靠性。
     
  • 人工智能的发展及面临的挑战PPT.pdf
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    本PPT探讨了人工智能技术的最新发展及其在各领域的应用，并分析了当前AI发展中遇到的主要挑战和未来发展方向。 人工智能的发展与挑战PPT涵盖了当前AI技术的最新进展以及面临的各种问题。从机器学习到深度学习，再到自然语言处理等领域，该演示文稿详细探讨了这些领域的突破性成果及其在实际应用中的影响。同时，也分析了数据隐私、就业市场变化等重要议题，并提出了未来可能的发展方向和解决方案建议。
     
  • STM32利用内部Flash模拟USB存储设备
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    本项目介绍如何使用STM32微控制器的内部FLASH资源来实现USB大容量存储设备功能，可应用于数据存储和传输场景。 使用STM32 USB将内部Flash模拟为U盘是一种常见的嵌入式技术应用，其主要目的是让微控制器（MCU）的内置存储空间能够像外部USB设备一样被计算机访问。本段落中使用的芯片是基于ARM Cortex-M3内核的高性能微控制器——STM32F103，并且采用了uCOSII实时操作系统。 STM32F103具备支持USB 2.0全速（12Mbps）通信能力，可以轻松实现USB设备功能。为了将内部闪存模拟为U盘，首先需要配置好USB控制器并设置相应的设备描述符来符合Mass Storage Class规范的要求。这通常包括设定设备类、子类和协议等参数。 接下来的步骤是实现Bulk-Only Transport (BOT) 协议，这是用于数据传输的基本通信标准，在该过程中主要涉及到IN端点（主机向设备读取）与OUT端点（主机向设备写入）。在STM32上配置DMA可以提高这些操作的数据吞吐量。 关键的固件开发功能包括： 1. **枚举过程**：当MCU连接到PC时，它需要响应各种请求并提供必要的信息。 2. **命令处理**：实现SCSI命令集来支持读写扇区、测试单元就绪和获取设备特性等操作。 3. **数据传输**：管理IN与OUT端点的数据交换，并确保正确地从内部闪存中读取或存储内容。 4. **中断处理**：响应USB事件，如挂起状态的恢复或者错误情况下的重试机制，以保持稳定的通信连接。 5. **文件系统支持**: 虽然U盘设备本身不需要内置文件系统, 但为了方便用户操作, 可能需要在MCU上实现简单的文件管理系统（例如FAT16或FAT32）。 开发过程中，在uCOSII操作系统环境下，需确保USB任务能够与RTOS的调度机制良好地配合。这可能包括创建特定的任务来处理USB事务，并使用信号量、消息队列等同步工具进行通信协调。 项目中的`uCOS-II-USBFlash`文件夹中包含了一些实现上述功能所需的源代码示例，涉及到了驱动程序开发、SCSI命令解析以及与操作系统集成的接口。这些资源有助于开发者快速理解和实施STM32F103作为U盘的功能模拟方案。 总的来说, 通过将内部存储器映射为USB设备形式，可以有效地扩展STM32F103的应用范围和数据交换能力。这涉及到多个技术领域的知识整合与应用实践，对于嵌入式开发者来说是一项有益的挑战性任务。
     
  • CASIA-SURF_CeFA：CVPR2020面部防欺诈攻击挑战赛
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    CASIA-SURF_CeFA是于CVPR 2020举办的面部防欺诈攻击挑战赛，旨在评估和推进面部识别技术在抵御各种欺骗性攻击方面的性能。该赛事吸引了众多研究者参与，推动了相关领域的技术创新和发展。 Chalearn CeFA面对反欺骗挑战是我们在CVPR 2020上针对Chalearn单模式人脸防欺骗攻击检测挑战的解决方案代码。如果您在实验中使用此代码，请参考我们的论文。 我们的方案基于两种类型的人工变换：秩合并和光流，并在端到端流水线中结合以进行欺诈检测和序列增强，从而丰富伪造轨迹集。 训练步骤： 步骤1. 安装at_learner_core cd /path/to/new/pip/environment
     
  • 基于STM32CubeMX和HAL库的外部SRAM与内存管理程序
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    本项目利用STM32CubeMX配置并结合HAL库开发，实现外部SRAM的有效管理和访问。通过优化内存使用策略，提升系统性能和可靠性。 该开发项目使用STM32F407芯片型号，并基于正点原子探索者开发板进行设计。整个项目的软件部分采用STM32CubeMX工具及HAL库来编写，具备液晶显示功能。用户可以通过按键操作实现内存的申请和释放。该项目的功能与正点原子提供的例程相同，且包含动态内存分配所需的malloc.c和malloc.h文件，并使用了特定版本的HAL库。
     
  • 5G通信技术的优劣势及面临的挑战.ppt
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    本PPT探讨了5G通信技术的优势与不足，并分析了其发展过程中遇到的主要挑战。通过深入剖析，旨在为相关领域的研究和实践提供参考和启示。 5G通信技术的优势与挑战这一PPT主要探讨了第五代移动通信技术带来的变革及其面临的难题。它涵盖了高速度、低延迟以及大规模连接等方面的技术优势，并深入分析了部署成本高、频谱资源有限等现实问题，同时展望了未来的发展趋势和应用场景。
     
  • RAM、SRAM和SDRAM
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    RAM包括多种类型，如随机存取存储器(SRAM)和动态/静态随机存取存储器(比如SDRAM)，它们在计算机中用于数据处理与缓存。 RAM（随机存取存储器）是一种可以在任何时间读写的计算机内存类型。这里我们将比较几种不同类型的RAM：SRAM、SDRAM。 1. SRAM (静态随机访问存储器)： - SRAM不需要刷新操作，因此它的运行速度比需要周期性刷新的DRAM快。 - 由于其内部结构和工作原理较为复杂，所以SRAM的成本通常高于DRAM。 2. SDRAM（同步动态随机存取存储器）: - 相对于传统的异步RAM来说,SDRAM通过与系统总线时钟保持同步来提升性能。 - 它需要定期刷新以保存数据。 简单而言，SRAM适用于速度要求较高但成本不是主要考虑因素的应用场景；而SDRAM则更适合于追求性价比的环境。
     
  • SRAM和SDRAM的区别
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    本文介绍了SRAM与SDRAM两种内存技术的主要区别，包括工作原理、访问速度、能耗及应用场景等方面的知识。 SDRAM（Synchronous Dynamic Random Access Memory）是一种同步动态随机存取存储器。SRAM是Static RAM的缩写，它具有静止存取功能，无需刷新电路即可保存内部数据。