三极管饱和与深度饱和状态的理解和判定！

简介：
本文深入探讨了三极管在电子电路中的两种重要工作模式——饱和状态及深度饱和状态。通过理论分析结合实例解析，清晰阐述如何准确识别与利用这两种状态，为读者提供全面理解三极管性能的指南。 三极管饱和问题总结如下： 1. 实际应用中常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据计算得到的Ib值只是使晶体管进入初始饱和状态，实际操作时应取该值数倍以上才能达到真正的饱和；倍数值越大，表明三极管越接近完全饱和。 2. 集电极电阻增大有助于实现更易发生的饱和现象。 3. 一旦处于饱和区，则两个PN结均呈现正向偏置特性，并且此时IC（集电极电流）不再受IB（基极电流）控制。 问题：当基极电流达到多少时三极管才会进入饱和状态？ 解答：这个值并非固定不变，它与负载电阻和β参数有关。估算方法如下：假设负载电阻为1KΩ,VCC电压是5V,在完全饱和状态下流经该电阻的电流大约为5mA；将此数值除以晶体管的β值得到基极所需的Ib约为0.05mA或50μA（假定β=100）。