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4578M-VB SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管

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简介：
4578M-VB是一款采用SOP8封装的N沟道与P沟道场效应MOS管组合，适用于各种电源管理和开关应用。 ### 一、产品概述 4578M-VB是由VBsemi公司制造的一种双通道（N-Channel与P-Channel）60V MOSFET。它使用了先进的TrenchFET技术，具备低导通电阻(RDS(on))和高效率的特点，并符合IEC 61249-2-21标准的无卤素要求，在环保应用中表现出色。这款MOSFET主要用于CCFL逆变器等电子设备。 ### 二、技术规格 #### 静态参数 - **VDS (Drain-Source Voltage)**：N通道为60V，P通道同样为60V。 - **VGS(th) (Gate Threshold Voltage)**：在N通道中，当ID=250µA时，阈值电压范围是1.3至3伏；对于P通道，在ID=-250µA条件下，该数值变化区间为-3至-1.3伏。 - **RDS(on) (On-State Drain-Source Resistance)**： - N通道在VGS=10V时的导通电阻是28毫欧姆；而在4.5V下则升至51毫欧姆。 - P通道于VGS=-10V下的导通阻抗为51毫欧姆，当电压降至-4.5伏特时提升到60毫欧姆。 - **Qg (Total Gate Charge)**： - N通道在VGS=10V和4.5V条件下分别拥有5.36纳库仑与4.7纳库仑的总栅极电荷量； - P通道对应数值则为4.98nC（-10V）及4.5nC(-4.5V)。 #### 动态参数 - **ID (Continuous Drain Current)**：在25°C环境下，N通道的最大连续漏电流为5.3安培；P通道的对应值则是负四安培。 - **IS (Continuous Source Current)**：同样条件下，N通道最大源极电流限制于2.6A；而P通道则为负二点八安培。 - **PD (Maximum Power Dissipation)**：在环境温度为25°C时，N通道的最大耗散功率为3.1瓦特；P通道则是3.4瓦。 #### 绝对最大值 - **VDSS (Drain-Source Voltage)**：对于两个通道来说都是正负60伏。 - **VGS (Gate-Source Voltage)**：同样适用于两个方向，限制在±20V之间。 - **ID (Continuous Drain Current)** 和**IS (Continuous Source Current)** 的最大值分别如上述动态参数所示。 ### 三、应用领域 4578M-VB凭借其卓越性能和紧凑的封装形式，在多种电子产品中得到广泛应用，尤其是在CCFL逆变器方面。此外，由于该产品的低导通电阻与高效特性，它还适用于以下场景： - **电源管理**：如开关电源及电压调节模块(VRM)等。 - **电机控制**：用于驱动直流或交流电动机。 - **信号处理**：充当放大器或者切换元件。 ### 四、封装与热特性 4578M-VB采用SOP8封装，具备良好的散热性能。根据数据表提供的信息，在环境温度25°C时的工作范围为-55至150摄氏度之间。关于热阻抗，结到外壳的典型值是55℃/W，最大值62.5℃/W；而从结点到底座（漏极）的标准数值则是33℃/W，上限40℃/W。 ### 五、结论 综上所述，4578M-VB是一款性能卓越的N+P-Channel MOSFET管，在多种电子设备中表现出色。其小巧的SOP8封装和高效的散热能力使其成为许多设计的理想选择。无论是在电源管理、电机控制还是信号处理等领域，这款产品都能提供稳定且可靠的表现支持。

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  • 4578M-VB SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
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    4578M-VB是一款采用SOP8封装的N沟道与P沟道场效应MOS管组合，适用于各种电源管理和开关应用。 ### 一、产品概述 4578M-VB是由VBsemi公司制造的一种双通道（N-Channel与P-Channel）60V MOSFET。它使用了先进的TrenchFET技术，具备低导通电阻(RDS(on))和高效率的特点，并符合IEC 61249-2-21标准的无卤素要求，在环保应用中表现出色。这款MOSFET主要用于CCFL逆变器等电子设备。 ### 二、技术规格 #### 静态参数 - **VDS (Drain-Source Voltage)**：N通道为60V，P通道同样为60V。 - **VGS(th) (Gate Threshold Voltage)**：在N通道中，当ID=250µA时，阈值电压范围是1.3至3伏；对于P通道，在ID=-250µA条件下，该数值变化区间为-3至-1.3伏。 - **RDS(on) (On-State Drain-Source Resistance)**： - N通道在VGS=10V时的导通电阻是28毫欧姆；而在4.5V下则升至51毫欧姆。 - P通道于VGS=-10V下的导通阻抗为51毫欧姆，当电压降至-4.5伏特时提升到60毫欧姆。 - **Qg (Total Gate Charge)**： - N通道在VGS=10V和4.5V条件下分别拥有5.36纳库仑与4.7纳库仑的总栅极电荷量； - P通道对应数值则为4.98nC（-10V）及4.5nC(-4.5V)。 #### 动态参数 - **ID (Continuous Drain Current)**：在25°C环境下，N通道的最大连续漏电流为5.3安培；P通道的对应值则是负四安培。 - **IS (Continuous Source Current)**：同样条件下，N通道最大源极电流限制于2.6A；而P通道则为负二点八安培。 - **PD (Maximum Power Dissipation)**：在环境温度为25°C时，N通道的最大耗散功率为3.1瓦特；P通道则是3.4瓦。 #### 绝对最大值 - **VDSS (Drain-Source Voltage)**：对于两个通道来说都是正负60伏。 - **VGS (Gate-Source Voltage)**：同样适用于两个方向，限制在±20V之间。 - **ID (Continuous Drain Current)** 和**IS (Continuous Source Current)** 的最大值分别如上述动态参数所示。 ### 三、应用领域 4578M-VB凭借其卓越性能和紧凑的封装形式，在多种电子产品中得到广泛应用，尤其是在CCFL逆变器方面。此外，由于该产品的低导通电阻与高效特性，它还适用于以下场景： - **电源管理**：如开关电源及电压调节模块(VRM)等。 - **电机控制**：用于驱动直流或交流电动机。 - **信号处理**：充当放大器或者切换元件。 ### 四、封装与热特性 4578M-VB采用SOP8封装，具备良好的散热性能。根据数据表提供的信息，在环境温度25°C时的工作范围为-55至150摄氏度之间。关于热阻抗，结到外壳的典型值是55℃/W，最大值62.5℃/W；而从结点到底座（漏极）的标准数值则是33℃/W，上限40℃/W。 ### 五、结论 综上所述，4578M-VB是一款性能卓越的N+P-Channel MOSFET管，在多种电子设备中表现出色。其小巧的SOP8封装和高效的散热能力使其成为许多设计的理想选择。无论是在电源管理、电机控制还是信号处理等领域，这款产品都能提供稳定且可靠的表现支持。
     
  • 4599W-VB SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
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    本产品为4599W-VB型SOP8封装N/P沟道场效应MOS管，适用于多种电子设备中的电源管理与信号切换。 ### 4599W-VB — SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管 #### 概述 4599W-VB是一款采用SOP8（Small Outline Package）封装的N+P-Channel沟道场效应晶体管(MOSFET)，由VBsemi公司生产。该产品具备以下特点： - **无卤素**：根据IEC 61249-2-21标准，这款MOSFET不含卤素。 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**：提供高效率和低损耗性能。 - **RoHS合规性**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求。 #### 主要特点 - **Rg和UIS测试**：所有产品均经过100%的栅极电阻（Rg）及未钳位电感开关（UIS）测试，确保产品质量与可靠性。 - **温度范围**：工作温度范围为-55°C至150°C，适应各种环境条件。 - **热阻**：散热性能良好，结温到环境的最大热阻为32.5°C/W（典型值），结温到脚的热阻为19°C/W（典型值）。 - **电压和电流能力**： - ±40V最大漏源电压(VDS)。 - N-Channel最大连续漏极电流7.6A (TA = 25°C)，5.6A (TA = 70°C)；P-Channel为-6.8A (TA = 25°C), -5.6A (TA = 70°C)。 - 脉冲漏极电流30A（10µs脉宽）。 - **导通电阻(RDS(on))**：在VGS=10V时，N-Channel为15mΩ；P-Channel为19mΩ。 在VGS=20V时分别为13.3mΩ和13mΩ。 - **阈值电压(Vth)**：N-Channel和P-Channel的阈值电压均为±1.8V。 - **单脉冲雪崩电流(IL)**：最高支持0.1mA 单脉冲雪崩电流。 - **单脉冲雪崩能量(AS)**：最高支持20mJ 单脉冲雪崩能量。 - **最大功耗(PD)**：N-Channel的最大功耗为6.1W (TA = 25°C) 和3W (TA = 70°C)，P-Channel则分别为5.2W (TA = 25°C) 和2.28W (TA = 70°C)。 #### 应用领域 4599W-VB适用于多种应用场合，包括但不限于： - **电机驱动**：由于其高电流能力和快速开关特性，适合各种类型的电机驱动应用如伺服电机、步进电机等。 - **电源转换器**：用于DC-DC和AC-DC等多种电源转换应用，可提高效率并减少损耗。 - **负载开关**：可用于控制大电流负载的通断。 - **其他电力电子设备**：例如逆变器、UPS不间断电源系统等。 #### 技术规格 以下列出了4599W-VB的部分关键技术参数： - **静态参数** - 漏源击穿电压(VDS)：在VGS=0V，ID =250µA时，N-Channel为40V；P-Channel为-40V。 - 阈值电压(VGS(th))：在VDS = VGS, ID = 250µA时，N-Channel为1.8V；P-Channel为-1.8V。 - 阈值电压温度系数(ΔVGS(th)T)：在VDS= VGS, ID = 250µA时，N-Channel为-4.1mV/°C；P-Channel为+5mV/°C。 - **动态参数** - 导通电阻温度系数(ΔRDS(on)T): N-Channel为0.015Ω / °C, P-channel 为0.017 Ω / °C (在 VGS=10V时) #### 封装与引脚配置 - **封装类型**：SOP8。 - **引脚配置** - S1D1: N-Channel漏极 - G1：N-Channel栅极 - S1S2：N-channel源极，P-channel漏极 - G2：P-Channel栅极 - D2：P-Channel源极 ####
     
  • WNM2027-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管
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    WNM2027-VB是一款采用SOT23封装的N沟道增强型场效应晶体管，适用于低电压应用环境，具有低导通电阻和高开关速度的特点。 ### WNM2027-VB SOT23封装N-Channel场效应MOS管关键技术知识点解析 #### 一、产品概述与特点 **WNM2027-VB**是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道场效应晶体管（MOSFET），具备以下显著特性： - **无卤素设计**：符合IEC 61249-2-21标准，使用环保材料。 - **TrenchFET® Power MOSFET技术**：利用先进的TrenchFET工艺降低导通电阻（RDS(on)），提高效率。 - **100% Rg测试**：所有产品均经过栅极电阻（Rg）测试，确保性能一致性。 - **RoHS合规性**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求。 #### 二、电气参数详解 ##### 1. 静态参数 - **最大工作电压**（VDS）：20V，在正常操作条件下，漏源间可承受的最大电压。 - **最大栅源电压**（VGS）：±12V，表示栅极与源极之间能承受的最大小正向或反向电压。 - **连续漏极电流**（ID）： - TJ=150°C时为6A， - TA=25°C时为5.15A， - TA=70°C时为4A。 - **脉冲漏极电流**（IDM）：在短时间内允许通过的最大小脉冲电流，值为20A。 - **最大功率耗散**（PD）： - TA=70°C时为2.1W， - TA=25°C时为1.3W。 - **结温范围**（TJ, Tstg）：工作温度区间从-55°C到150°C。 - **热阻**（RthJA）：典型值80°C/W，最大值100°C/W，反映了器件的散热能力。 ##### 2. 动态参数 - **导通电阻**（RDS(on)）： - VGS=4.5V时为24mΩ， - VGS=8V时也为24mΩ。 这些参数直接影响MOSFET的工作效率和发热情况，对设计者来说非常重要。 #### 三、应用领域 - **DC/DC转换器**：适用于各种开关电源及DC/DC转换电路中的开关元件。 - **负载开关**：特别适合便携式设备的负载控制，如智能手机和平板电脑等。 #### 四、封装形式 WNM2027-VB采用SOT23封装，这是一种小型表面贴装型封装，具有体积小和散热好等特点。其具体的封装结构示意图包括： - **Top View**：展示顶部视图。 - **型号标识**：具体为“2SO3T-231”。 #### 五、注意事项 - **绝对最大额定值**：超过这些规定数值可能导致器件永久损坏。 - **脉冲测试条件**：允许的脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%，超出此范围可能影响器件可靠性。 ### 总结 WNM2027-VB作为一款高性能N-Channel沟道场效应晶体管，具备优良的电气特性和广泛的适用性。其无卤素设计、高效率及紧凑的SOT23封装使其成为电源管理应用的理想选择。在使用该MOSFET时需充分考虑静态和动态参数，并遵守绝对最大额定值的规定以确保产品的稳定性和可靠性。
     
  • 2SK1847-VB SOT23封装N沟道场效应MOS管
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    这款2SK1847-VB MOSFET采用SOT23封装，为N沟道型设计，适用于多种电子设备中的开关和放大功能，具有低导通电阻的特点。 ### 产品概述 2SK1847-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件的最大特点在于其低导通电阻（RDS(ON)）和高工作电压，适用于多种电源管理应用。 ### 特性与优势 1. **无卤素**：符合IEC 61249-2-21定义，适用于对环保有较高要求的应用场景。 2. **TrenchFET®功率MOSFET**：通过先进的制造工艺提高性能，降低功耗。 3. **全Rg测试**：确保每个产品的栅极电阻均经过严格的测试，提高了产品的可靠性和一致性。 4. **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令2002/95/EC的要求，不含有有害物质。 ### 应用领域 - **DCDC转换器**：由于2SK1847-VB具有低导通电阻和高耐压特性，非常适合用于直流到直流转换器中，能够有效提高效率并减少热量产生。 - **电源管理系统**：在电池充电、电源调节等电源管理系统中发挥重要作用。 - **电机控制**：适用于小型电机的驱动和控制，如风扇、泵等。 - **负载开关**：作为高效负载开关应用于各种电子产品中。 ### 技术规格 #### 静态参数 - **最大排水源电压(VDS)**：30V，在栅源电压VGS为0V时，漏电流ID不超过250μA条件下测量得到。 - **导通电阻(RDS(ON))**：在VGS=10V时最小值为0.030Ω；当VGS=4.5V时最小值为0.033Ω。 - **最大连续排水电流(ID)**：环境温度TA=25°C下，最大连续排水电流可达6.5A；在TA=70°C条件下，该数值降至5.0A。 - **栅电荷(Qg)**：典型值4.5nC。 #### 动态参数 - **栅源阈值电压(VGS(th))**：介于1.2V到2.2V之间，开启MOSFET所需的最小栅源电压范围在此区间内确定。 #### 绝对最大额定值 - **排水源电压(VDS)**：30V。 - **栅源电压(VGS)**：±20V。 - **最大连续排水电流(ID)**：TA=25°C时为6.5A；TA=70°C时为5.0A。 - **最大功率损耗(PD)**：在TA=25°C条件下，1.7W是其极限值；而在TA=70°C下，则降至0.7W。 - **工作结温和存储温度范围(TJ, Tstg)**：从-55到150℃。 #### 热阻参数 - **结至环境热阻(RthJA)**：典型值为60°C/W，最大值则不超过75°C/W。 - **结至脚热阻(RthJF)**：典型值90°C/W；其极限值设定在115°C/W。 ### 总结 2SK1847-VB是一款高性能的N-Channel场效应MOS管，采用了SOT23封装。它具备低导通电阻、高耐压等显著特点，在DCDC转换器、电源管理、电机控制和负载开关等多种应用领域中发挥关键作用，并以其卓越的电气性能及可靠性赢得了市场认可。
     
  • RU30L30M-VB P沟道 DFN8 (3x3) 封装 MOS管
    优质
    RU30L30M-VB是一款P沟道DFN8 (3x3)封装的MOS管，适用于各种低压应用环境。它具备低导通电阻和高开关频率的特点，确保了高效可靠的电路控制性能。 RU30L30M-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用DFN8（3x3）封装，适用于电源管理、负载开关及适配器开关等应用领域。该款产品具备以下特性： 1. **无卤素设计**：符合IEC 61249-2-21标准定义的无卤化要求，在生产过程中避免使用某些有害物质，有助于环境保护和设备长期稳定运行。 2. **TrenchFET技术**：采用先进的制造工艺——在硅片上蚀刻深沟槽来提升MOSFET性能，降低导通电阻，并提高效率、减少发热现象。 3. **低热阻PowerPAK封装**：此小型化设计具有1.07毫米轮廓和低热阻特性，有助于快速散热，在高温工作环境下保持稳定运行。 4. **严格测试标准**：产品经过了包括栅极电荷（Rg）及雪崩耐受电流（UIS）在内的全面测试，确保其可靠性和耐用性，并符合RoHS指令2002/95/EC的规定。 5. **电气参数** - 额定漏源电压VDS：最大值为30V。 - 额定栅源电压VGS：±20V。 - 连续漏极电流ID：在不同温度下，如25°C时为-45A，70°C时为-11.5A。 - 脉冲漏极电流IDM：最大脉冲值可达60A，确保其具备处理短时间大电流的能力。 - 连续源漏二极管电流IS：在25°C条件下为-3.2A，提供整流功能支持。 - 雪崩电流IAS：特定条件下安全雪崩电流为-25A，允许器件在这种模式下工作而不受损。 - 单脉冲雪崩能量EAS：最大值为31.25mJ，表示其能承受的单个雪崩能量上限。 - 最大功率耗散PD：在不同温度下的最大功耗限制，例如25°C时为52W，70°C时为2.4W。 6. **热性能**：提供了各种条件下的典型和最大值热阻数据以及结温（TJ）及存储温度（Tstg），确保器件能在多种工作环境中保持良好的散热效果与稳定性。 7. **安装焊接建议**：对于无引脚元件，手动烙铁焊接不被推荐使用，应遵循规定的峰值温度焊接条件以获得最佳性能和寿命。
     
  • P-N MOS管H桥驱动原理.pdf
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    本PDF文档深入探讨了P-NMOS管在H桥电路中的应用与工作原理，详细解析其驱动方法及优化策略。适合电子工程爱好者和技术人员阅读学习。 H 桥电路用于控制电机的正反转。下面是一种简单的 H 桥电路示例，它由两个 P 型场效应管 Q1 和 Q2 以及两个 N 型场效应管 Q3 和 Q4 组成，因此被称为 P-NMOS 管 H 桥。
     
  • N-Channel SOT23 MOSFET晶体管SMG2336N-VB参数及应用详解
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    本文详细介绍N沟道SOT23封装MOSFET晶体管SMG2336N-VB的技术参数，并探讨其在各类电子设备中的具体应用。 ### SMG2336N-VB：N-Channel沟道SOT23 MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 SMG2336N-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有最大工作电压为30V、最大连续电流为6.5A以及在栅极至源极电压10V时导通电阻RDS(ON)仅为30mΩ的特点。此外，其阈值电压范围为1.2V到2.2V。 #### 主要特性 - **无卤素设计**：根据IEC 61249-2-21标准定义，SMG2336N-VB是一款环保型器件。 - **TrenchFET®技术**：采用先进的TrenchFET技术，有效降低了导通电阻RDS(ON)，提高了整体效率。 - **Rg测试**：所有产品均经过100%的栅极电阻（Rg）测试，确保了产品的可靠性和一致性。 - **RoHS合规**：符合欧盟RoHS指令200295EC的要求，适合各种环保要求的应用场合。 #### 应用领域 - **DC/DC转换器**：适用于各类电源转换系统，如笔记本电脑适配器、服务器电源模块等。 #### 产品概述 - **VDS（最大漏源电压）**：30V - **RDS(on)（漏源导通电阻）**： - 10V栅极至源极电压下为0.030Ω - 4.5V栅极至源极电压下为0.033Ω - **ID（最大连续漏级电流）**：6.5A - **Qg（总栅电荷）**：典型值为4.5nC #### 封装与外形尺寸 - **封装类型**：SOT23 - **外形尺寸**：TO-236（SOT-23） #### 绝对最大额定值 绝对最大额定值指定了器件可以承受的极端条件。超出这些额定值可能会导致永久性损坏或性能下降。 - **漏源电压VDS**：30V - **栅源电压VGS**：±20V - **连续漏级电流ID**（结温TJ = 150°C）： - 环境温度TC = 25°C时为6.5A - 温度TC = 70°C时为6.0A - 外部环境TA = 25°C时为5.3A - 外部环境TA = 70°C时为5.0A - **脉冲漏极电流IDM**：25A - **连续源至漏级电流IS**（TC = 25°C）：1.4A - **最大功耗PD**（TC = 25°C）：1.7W #### 热阻抗 - **结温到环境温度热阻RthJA**： - 最大值为115°C/W - 典型值为90°C/W - **结温到脚部（漏极）热阻RthJF**： - 最大值为75°C/W - 典型值为60°C/W #### 规格参数（TJ = 25℃，除非另有说明） - **静态参数** - **漏源击穿电压VDS**：测试条件 VGS = 0V, ID = 250µA时最小值为30V - **阈值电压温度系数ΔVG**：测试条件 VGS = 0V, ID = 250µA，未给出具体数值 #### 使用注意事项 - 超过“绝对最大额定值”的应力可能会导致器件永久损坏。这些额定值仅用于表示极限条件，并不意味着在超出操作规范部分所指定的任何其他条件下也能正常工作。 - 长时间暴露于绝对最大额定值下可能会影响器件可靠性。 SMG2336N-VB是一款高性能、环保型N沟道MOSFET，适用于各种DC/DC转换器等电源管理应用。通过其低导通电阻、宽电压范围以及高可靠性的设计，能够满足现代电子设备对于高效紧凑且环保的电源解决方案的需求。
     
  • N沟道型场效应管 IRF540
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    IRF540是一款高性能N沟道功率场效应晶体管，适用于开关电源、电机驱动等高电流应用场合。 IRF540是一款采用沟槽工艺封装的N通道增强型场效应功率晶体管。它广泛应用于DC到DC转换器、开关电源以及电视及电脑显示器的电源系统中。IRF540提供SOT78（TO220AB）常规铅封包装，而IRF540S则采用适合表面安装的SOT404（DPak）封装。