基于GaN的微波半导体器件分析与比较

简介：
本研究聚焦于氮化镓（GaN）材料在微波半导体器件中的应用，通过详细对比不同结构和工艺下的性能参数，旨在为高性能微波器件的设计提供理论依据和技术参考。 氮化镓（GaN）作为一种宽禁带半导体材料，在物理化学及电学性能方面表现出色，并且继硅（Si）、砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后，迅速成为第三代半导体材料的代表。相较于大多数现有的半导体材料，氮化镓具备显著优势：禁带宽度更宽、饱和漂移速度更快、临界击穿电场和热导率更高，因此被视为新型半导体材料中的佼佼者。 当前，在GaN基发光器件领域已取得重大进展；在国外市场中，工作于绿光至紫光可见光区的GaN LED 已实现商业化。与此同时，国内多家机构也成功开发了蓝色发光二极管，并初步实现了产业化应用。此外，众多研究显示，氮化镓材料在制造过程中展现出巨大的潜力和价值。