一种新型高CMOS基栅型带隙基准源设计

简介：
在模拟电路中，电压基准（reference voltage）与电流基准（current reference）均为常见元素。这些基准参数直接影响数字-模转换器和模-数转换器等电路系统的整体性能水平，在大多数应用领域中，基准电压对温度的敏感度可以被精确控制，而对其电源供应和生产工艺的影响则相对较小。 具体来说，在一些应用中，基准电压特性与温度呈线性关系（PTAT），而在另一些情况下，则与其无关。当电路中的漏电流保持恒定时，在工作于弱反向导电区的晶体管中，其栅源电压会随着温度升高而呈现大致线性的下降趋势。 这种特性为基于晶体管结构的基准电压源设计提供了新的思路，即通过将原基极-发射极结电路中的晶体管替换为工作在弱反向导电区的晶体管，能够有效降低基准电压对温度变化的影响。具体而言，在一些研究文献中，已成功实现了基于此原理的基准电压源的设计与实现。