该文档详细解释了与芯片测试相关的专业术语和概念，为读者提供了清晰的理解框架，适用于技术人员及初学者参考学习。
CP（晶圆测试）的主要作用是挑出坏的Die，并减少封装和测试的成本，同时可以更直接地了解Wafer（晶圆）的良率情况。FT（最终测试），则是在芯片进行封装之后对坏掉的chip进行筛选，以检验其封装后的性能。
在一般的wafer工艺流程中，许多公司选择省略CP步骤来降低成本。然而，在实际操作中，CP需要针对整片Wafer上的每个Die来进行基本器件参数的检测（如阈值电压、导通电阻等），而FT则是在芯片完成封装后对其应用方面进行测试。
WAT（晶圆接受测试）是专门用于对特定测试图形进行电性能监控的一种手段，以评估各步工艺是否正常和稳定。CP作为整个wafer工艺的一部分，在backgrinding和backmetal处理之后，会对一些基本器件参数如阈值电压、导通电阻等进行检测。
FT主要针对已经通过CP的IC或设备芯片的应用特性测试，并且有些甚至需要在待机状态下完成这些测试。仅仅通过FP（最终测试）还不够，还需要执行process qual 和product qual以确保产品质量和工艺稳定性。
对于Memory来说，CP还具有计算出Repair address的功能，进而实现对可修复Die的激光修补操作。这不仅提高了yield（良率），也提升了产品的可靠性。总的来说，CP主要针对fab厂制造过程中的问题进行检测；而FT则关注于封装过程中可能出现的问题，并确保最终产品符合要求。
5星
