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镁光N25Q128A13EF840E FLASH数据手册

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简介：
《镁光N25Q128A13EF840E FLASH数据手册》提供了这款高性能闪存产品的详细技术规格，包括存储容量、接口类型和电气特性等关键信息。 镁光N25Q128A13EF840E FLASH数据手册提供了详细的规格和技术参数，适用于需要了解该型号闪存芯片特性的用户和开发者。这份文档包含了存储容量、接口类型、电压范围以及读写操作等重要信息，是进行相关硬件设计和应用开发的重要参考资料。

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  • 镁光N25Q128A13EF840E FLASH数据手册
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    《镁光N25Q128A13EF840E FLASH数据手册》提供了这款高性能闪存产品的详细技术规格，包括存储容量、接口类型和电气特性等关键信息。 镁光N25Q128A13EF840E FLASH数据手册提供了详细的规格和技术参数，适用于需要了解该型号闪存芯片特性的用户和开发者。这份文档包含了存储容量、接口类型、电压范围以及读写操作等重要信息，是进行相关硬件设计和应用开发的重要参考资料。
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    本资料汇编了镁光MT29F系列NAND Flash的数据手册，涵盖各型号技术规格、电气特性及应用指南，为开发人员提供详尽参考。 镁光的NAND Flash数据手册包包括以下类型：2D SLC（M61A、M62B、M71M、M73A、M84A、M84C）；2D MLC（L62A、L63B、L74A、L83A、L84A、L84C、L85A、L95B）；以及3D SLC/MLC（L06B）。
  • 镁光MT41J128M16 DDR3数据手册
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    镁光MT41J128M16 DDR3是一款高速内存模块的数据手册，提供了详细的技术参数和使用指南。 文档详细介绍了这款低功耗DDR3的数据资料，是硬件开发和软件驱动编写的良好参考工具。
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  • 镁光DDR3内存用户手册
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    《镁光DDR3内存用户手册》详细介绍了镁光DDR3内存的技术规格、安装指南及故障排查等内容，帮助用户轻松掌握内存使用与维护技巧。 DDR3 SDRAM用户手册，为需要使用存储的朋友们提供。
  • 镁光DDR Flash IBIS模型.zip
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    该文件包含镁光公司的DDR Flash器件IBIS（电路模拟）模型，适用于进行信号完整性分析和设计仿真。 包含镁光部分flash DDR的IBIS模型。可以根据自己使用的型号寻找相似的模型使用。该模型压缩包大小为35M。
  • 镁光Flash的命名规则
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  • 镁光MT29FxxG08CBAxx系列英文手册.rar
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    本资源为镁光MT29FxxG08CBAxx系列存储芯片的官方英文手册压缩文件，包含详细的引脚说明、电气特性及应用指南等内容。 压缩包内包含MT29FxxG08CBAxx全系列文档，包括以下型号：MT29F32G08CBABA、MT29F64G08CE/FABA、MT29F128G08CJK/MABA、MT29F256G08CUABA、MT29F32G08CBABB、MT29F32G08CBCBB、MT29F64G08CFABB、MT29F64G08CECBB、MT29F128G08CJABB、MT29F128G08CK/MCBB、MT29F256G08CUCBB、MT29F32G08CBACA、MT29F64G08CEACA、MT29F64G08CFACA、MT29F128G08CXACA、MT29F64G08CECCB、MT29F32G08CBADA、MT29F32G08CBADB和MT29F32G08CBCDB以及MT29F64G08CECDB。供自行查阅。
  • GD25Q16 Flash 数据手册
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    本数据手册详述了GD25Q16系列闪存芯片的技术规格、功能特性及应用指南，适用于存储和数据处理领域。 Flash_GD25Q16数据手册 本段落档总结了关于Flash_GD25Q16的数据手册中的知识点。GD25Q16是一种3.3V的Uniform Sector Dual and Quad Serial Flash，支持Dual和Quad两种接口方式。 特点： - 采用3.3V Uniform Sector - 支持Dual和Quad串行通信接口 - 最高读取速度可达104MHz，确保快速数据传输 - 数据保存期长达十年以上，可靠性强 - 功耗低，典型值为18mA 概述： GD25Q16是一款高性能的Serial Flash存储器。它支持Dual和Quad两种接口方式，并具备最高达104MHz的速度以满足高速读取的需求。此外，该器件具有卓越的数据保存能力，数据可长期保持十年以上。 内存结构： GD25Q16采用Uniform Sector架构，总容量为16MB。整个存储器被划分为若干个扇区（Sector），每个扇区的大小是64KB；并且每个扇区内进一步细分为多个页面(Page)，每页的尺寸为256字节。 设备操作： GD25Q16的操作包括但不限于读取、写入和擦除等。执行任何数据写入前，必须先使用Write Enable（WREN）命令激活该功能；通过Read Status Register (RDSR) 命令可以检查存储器的状态信息。 保护措施： 为了确保数据的安全性，GD25Q16配备了多种安全机制如写保护、块锁定和芯片封锁等。其中，写入屏蔽防止未经授权的数据修改；区块锁定阻止特定区域内的读/改操作；而整个设备的锁闭则禁止任何位置上的更改或清除。 状态寄存器： 存储器的状态通过一个专用的状态寄存器来记录，其中包括了启用写入、禁用写入等信息。使用RDSR命令可以查看该寄存器当前的内容。 指令集描述： GD25Q16支持一系列指令如Write Enable (WREN)、Write Disable (WRDI)和Read Status Register (RDSR)，用于控制器件的操作模式及获取状态更新信息。