BQ78350数据闪存读写的参考文档.pdf
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简介：
本PDF文件为BQ78350数据闪存读写的参考文档，详细介绍了如何对BQ78350芯片的数据闪存进行高效、安全的操作，包括读取和写入等基本功能。
为了编写新的电压分压器值，请按照以下步骤操作：
1. **确定子类标识与偏移量**：对于“电压分压器”，其SubclassID为104或0x68（十六进制），并且其偏移量是14。
2. **启用块数据闪存控制**：
- 使用`BlockDataControl()`命令(0x61)写入0x00以开启块数据闪存控制。(指令为：wr 0x61 0x00)
3. **访问子类寄存器**：
- 利用`DataFlashClass()`命令 (0x3E)，将电压分压器的SubclassID（即Calibration Subclass）写入，以获取相应的寄存器。(指令为：wr 0x3E 0x68)
4. **设置块偏移量**：
- 使用`DataFlashBlock()`命令 (0x3F) 写入所需的偏移值。例如，电压分压器的偏移是14，位于第一个数据块内，因此指令为：wr 0x3F 0x00。
5. **读取与写入特定位置的数据**：
- 若要从某个具体的偏移量处读取数据，请使用地址 `0x40 + mod(offset, 32)`。例如，电压分压器的旧值可以通过以下指令获取：rd 0x4E old_Voltage Divider_MSB 和 rd 0x4F old_Voltage Divider_LSB。
- 若要向特定偏移量写入数据，请使用相同的地址 `0x40 + mod(offset, 32)`。例如，新电压分压器的值可以通过以下指令设置：rd 0x4E new_Voltage Divider_MSB 和 rd 0x4F new_Voltage Divider_LSB。
6. **计算并写入校验和**：
- 数据只有在正确的整个块（地址从0x40到0x5F）的校验和通过`BlockDataChecksum()`命令 (0x60) 写入后才会被转移到数据闪存中。(指令为：wr 0x60 NEW_checksum)
校验和计算公式：
- 新校验和（NEW_checksum）= 255 – mod(temp + new_Voltage Divider_MSB + new_Voltage Divider_LSB, 256)，其中temp = mod(255 – OLD_checksum – old_Voltage Divider_MSB - old_Voltage Divider_LSB, 256)
**步骤3：更新特定的闪存位置，如序列号、批码和日期**
在与电压分压器类似的方式下，生产过程中可以改变例如序列号、批码及日期等包特有数据。
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