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DSP操作FLASH 29F016(包含读、写、擦除等功能).rar

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简介:
本资源详细介绍如何使用数字信号处理器(DSP)对29F016闪存芯片进行读取、写入和擦除等基本操作,适用于嵌入式系统开发人员。 DSP操作Flash 29F016(包括读、写、擦除等功能).rar

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  • DSPFLASH 29F016).rar
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    本资源详细介绍如何使用数字信号处理器(DSP)对29F016闪存芯片进行读取、写入和擦除等基本操作,适用于嵌入式系统开发人员。 DSP操作Flash 29F016(包括读、写、擦除等功能).rar
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    本文详细介绍了如何对基于Msp430微控制器的Flash存储器进行擦除、写入及读取操作的方法与注意事项,为嵌入式系统开发人员提供了实用的技术指导。 Msp430 Flash的擦除、写入及读取操作是通过控制字中的特定位来实现的,只有正确的组合才能执行相应的功能。Msp430 Flash存储器的特点包括产生内部编程电压、支持位级、字节和单词寻址与编程、超低功耗运行以及段式或模块擦除。 Flash内存被分割成多个段,并允许单个字节或单词的写入,也可以进行连续多个字节或单词的批量写入操作。然而,最小的擦除单位是整个段。Flash存储器的操作模式包括擦除、写入和读取三种,默认状态下处于读取模式。 Msp430 Flash支持在系统编程(ISP),无需额外外部电压,并允许CPU直接进行编程操作。通过设置BLKWRT、WRT、MERAS以及ERASE位来实现对Flash的写入与擦除功能。 对于擦除过程,最小单位是段;启动时需要执行一次空写入以激活定时器发生器并开始擦除程序。BUSY状态会在整个过程中保持置位,并在操作完成后自动复原至初始值。 Msp430 Flash的写入模式由WRT和BLKWRT位控制,采用块写入方式的速度大约是逐字节或单词写入速度的两倍,因为电压发生器在整个过程期间都能维持稳定状态。读取模式为默认操作模式,在此状态下Flash存储器不可擦除与写入,并关闭时序发生器及电压生成机制。 Msp430 Flash编程过程中需要清除LOCK位、判断BUSY位的状态、设置ERASE和MERAS等步骤,以及执行一次空写入以开始实际的擦除过程。在此期间应保持稳定的时钟源和分频因子配置,并在操作完成后重新置位LOCK位。 需要注意的是,在进行Flash存储器的操作编程中,必须遵循特定的顺序规则:先选择适当的时钟源与分频因子;清除锁定状态(LOCK);确认BUSY标志为0以确保可以继续执行下一步;启用段操作并设置相应的擦除或合并擦除命令。在完成上述步骤后,对需要被擦除地址范围内的任意位置进行一次空写入操作即可启动实际的擦除过程。 整个过程中需注意时钟源的选择与分频因子设定、LOCK位清除以及BUSY标志判断等细节,并且要遵守Flash存储器的操作限制条件。例如,最小单位为段的擦除规则和特定顺序要求下的数据写入行为等等。
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  • 基于FPGA的Verilog代码N25Q128A QSPI Flash
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    本项目采用FPGA平台,通过Verilog硬件描述语言编写程序,实现对N25Q128A QSPI Flash芯片的数据读取与存储操作。 本段落介绍了使用纯Verilog代码在FPGA上读写N25Q128A QSPI Flash的方法。
  • TMS570LS系列Flash
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    简介:TMS570LS系列提供高效可靠的闪存存储解决方案,涵盖多种Flash读写操作功能。此系列微控制器支持灵活的数据处理与安全特性,适用于汽车电子和其他嵌入式系统。 ### TMS570LS系列FLASH读写操作 #### 知识点概述 本段落档针对在调试TMS570LS系列微控制器读写片内FLASH BANK0时遇到的问题进行了详细的分析与解决。TMS570LS是德州仪器(TI)推出的一款高性能安全微控制器,广泛应用于汽车电子、工业自动化等领域。该系列微控制器集成了多种安全特性,并提供了丰富的外设资源,包括片上闪存。在进行固件开发的过程中,正确地管理和操作片内闪存对于确保系统的稳定性和安全性至关重要。 #### 问题现象及原因分析 在对TMS570LS系列中的不同型号进行测试时,发现了一个共同的问题:当尝试读写BANK0时,首次执行erase操作就会触发“undefEntry”异常,导致程序异常终止。进一步分析后确定了以下几点: - **测试3137**:该型号具有BANK0和BANK1两个闪存区,其中BANK1的操作一切正常,但BANK0在初次执行erase操作时出现问题。 - **测试1224**:这款型号仅包含BANK0,在进行BANK0的第一次erase操作时出现同样的错误。 - **原因**:根据TI提供的文档(SPNU501.pdf)第2.3.4节所述,使用F021 Flash API无法直接操作自身所在的位置,即BANK0。 #### 解决方案详解 为了解决上述问题,需要对编译链接器脚本进行调整,以便将Flash API相关的代码移动到RAM中执行。具体的解决方案分为以下几个步骤: 1. **增加FLASH API内容空间分配**:在编译链接器脚本(cmd文件)中添加了新的段`FLASH_API`,用于存储Flash API相关的代码。此段定义如下: ```plaintext MEMORY { VECTORS(X): origin=0x00000000 length=0x00000020 FLASH_API(RX): origin=0x00000020 length= 6KB FLASH1(RX): origin=... // 具体大小根据微控制器型号而定 SRAM(RW): origin=... STACK(RW): origin=... } SECTIONS { .intvecs:{} >VECTORS flashAPI: { ..DebugupdatesrcFapi_UserDefinedFunctions.obj(.text) ..Debugupdatesrcbl_flash.obj(.text) --library=..updatelibF021_API_CortexR4_BE.lib< FlashStateMachine.IssueFsmCommand.obj FlashStateMachine.SetActiveBank.obj FlashStateMachine.InitializeFlashBanks.obj FlashStateMachine.EnableMainSectors.obj Init.obj Utilities.CalculateEcc.obj Utilities.WaitDelay.obj Utilities.CalculateFletcher.obj Read.MarginByByte.obj Read.Common.obj Read.FlushPipeline.obj Async.WithAddress.obj Program(obj>(.text) } load=FLASH_API, run=SRAM, LOAD_START(api_load), RUN_START(api_run), SIZE(api_size) .text>FLASH1 .const>FLASH1 .cinit>FLASH1 .pinit>FLASH1 .data>SARM .bss>SARM } ``` 这里定义了`FLASH_API`段的起始地址为0x00000020,长度不超过6KB,并将所有Flash API相关的对象文件和库文件链接到这个段。 2. **实现从FLASH复制API到RAM的汇编函数**:为了确保Flash API能够顺利执行,在`sys_core.asm`文件中添加一个用于将Flash API从闪存复制到RAM中的汇编函数`_copyAPI2RAM_`。具体实现如下: ```assembly ;------------------------------------------------------------------------------- ; Copy the Flash API from flash to SRAM. ; .def _copyAPI2RAM_ .asmfunc _copyAPI2RAM_ .ref api_load flash_load.word api_load .ref api_run flash_run.word api_run .ref api_size flash_size.word api_size ldr r0, =flash_load ldr r1, =flash_run ldr r2, =flash_size add r2, r1, r2 copy_loop1: ldr r3, [r0], #4 str r3, [r1], #4 cmp r1, r2 blt copy_loop1 bx lr .endasmfunc ;------------------------------------------------------------------------------- ``` 此函数通过循环从闪存中的`api_load`地址复制数据到RAM中的`api_run`地址,直到复制完`api_size`指定的大小为止。 3. **在启动代码中调用复制函数**:最后一步是在系统启动代码(`sys_startup.c`)中调用上述定义的`_copyAPI
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    本程序针对Linux环境下MTD接口设计,实现对QSPI Flash芯片的数据读取、写入及擦除功能,适用于嵌入式系统开发与维护。 1. Linux APP小程序 2. 基于MTD实现对Flash指定位置的存储单元进行任意读、写、擦除操作。