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SMIC 0.13um SMIC13mmRF 1233工艺参数及SMIC 0.13um工艺

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简介:
本资料深入探讨了SMIC 0.13微米制程技术,涵盖其在射频应用中的特点与优势,并详细列举了SMIC13mmRF 1233的多项关键参数,为工程师提供详实的技术参考。 SMIC 0.13微米工艺库文件为l013_v2p6。

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  • SMIC 0.13um SMIC13mmRF 1233SMIC 0.13um
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    本资料深入探讨了SMIC 0.13微米制程技术,涵盖其在射频应用中的特点与优势,并详细列举了SMIC13mmRF 1233的多项关键参数,为工程师提供详实的技术参考。 SMIC 0.13微米工艺库文件为l013_v2p6。
  • 0.13um SMIC技术
    优质
    0.13um SMIC技术是指中芯国际(SMIC)采用的一种半导体制造工艺,该技术节点标志着在芯片生产中线宽缩减至130纳米,显著提升了集成电路的性能和集成度。 SMIC 0.13微米工艺库文件版本为l013_v2p6。
  • SMIC 0.18
    优质
    简介:SMIC 0.18工艺库是中芯国际推出的半导体制造工艺资源集合,适用于多种芯片设计需求,提供稳定的性能和兼容性。 SMIC 0.18工艺库是一种半导体制造技术,适用于多种集成电路的设计与生产。该工艺提供了较高的集成度和较低的成本,适合用于开发高性能的数字、模拟及混合信号电路。
  • SMIC 18BCD
    优质
    简介:SMIC 18BCD工艺库是中芯国际推出的高性能BCD( Bipolar-CMOS-DMOS)工艺平台,适用于工业和汽车电子领域中的电源管理、驱动及传感器等应用。 SMIC 18BCD工艺库是指针对特定半导体制造流程的一种技术资源包,适用于采用SMIC(中芯国际)的18纳米 BCD ( Bipolar-CMOS-DMOS) 工艺进行设计开发的工作。
  • SMIC 035文档
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    本文档详细介绍了适用于SMIC 0.35微米制造技术的设计规则和流程,涵盖版图设计、器件特性和模拟工具等方面,旨在帮助工程师高效完成芯片开发。 正规SMIC 0.35微米工艺的文件是设计规则命令文件,可以用于运行DRC(设计规则检查)。
  • SMIC 18 Epi
    优质
    简介:SMIC 18 Epi工艺库是针对半导体制造中18纳米嵌入式EPROM技术开发的一套标准单元库,为芯片设计提供高效能与低功耗解决方案。 这款中芯国际工艺库在汽车芯片领域应用广泛,并且非常有价值,在网上也很难找到。分享给大家,希望对大家有所帮助。 安装方法示例: 要安装Epi_1P6M_TM2_HRP1k_MIM2_TYP3 PDK,请执行SMIC_PDK_install并选择金属选项: ``` .SMIC_PDK_install ``` ============================================================================= 注意:Virtuoso版本应为IC616ISR500或以上。 ============================================================================= 提示:此PDK仅包含以下金属选项的RC提取文件。
  • SMIC 18库文件
    优质
    简介:本资源提供中芯国际(SMIC)180纳米工艺技术的相关库文件,包括标准单元库、I/O单元库等设计支持文档,适用于芯片前端设计与验证。 SMIC 18工艺库文件提供了一系列的设计规则和技术参数,用于在SMIC的18纳米制造工艺下进行集成电路设计。这些文档对于确保设计符合特定的技术要求至关重要,并且是实现高效、可靠的芯片生产的基础。
  • SMIC 18nm RF-OA版(库)
    优质
    简介:SMIC 18nm RF-OA版工艺库是中芯国际推出的面向射频应用的高度优化物理设计自动化版本,专为实现高性能、低功耗无线通信芯片而打造。 SMIC 18mm RF-OA版(工艺库)可以直接添加导入,无需通过CDB转OA。博主是自学并多方研究整理而成的,请大家给予支持!共同交流进步。
  • SMIC 180nm操作指南
    优质
    《SMIC 180nm工艺操作指南》是一份详尽的手册,旨在为从事半导体制造的技术人员提供有关使用中芯国际(SMIC)180纳米生产工艺的操作指导和技术支持。该指南涵盖了从设计规则到具体工艺流程的各项内容,帮助读者全面理解和掌握这一重要技术节点的生产过程。 在使用SMIC 180nm PDK(.18pdk)时,如果你不清楚器件名称对应的工艺制作的器件,这份使用手册可以帮助你更好地理解和使用该PDK。
  • ADS采用台积电0.13um CMOS PDK
    优质
    本项目基于台积电0.13微米CMOS工艺设计流程(PDK),进行高性能、低功耗模拟与数字集成电路的设计,旨在优化集成芯片性能。 该工艺包包含ADS使用的PDK文件,采用的是台积电TSMC的0.13um CMOS工艺,旨在为射频集成电路设计人员提供EDA辅助设计支持。