分享一种改进的基于H桥的电机驱动电路设计方案，该方案采用MOS管。

简介：
在飞思卡尔竞赛中，电机驱动是必不可少的组成部分。经过对众多采用集成MOS驱动半桥设计的对比，无论是通过仿真还是实际测试，基于芯片手册和芯片内部结构进行的驱动方案都未能达到理想效果，主要原因是高侧MOS器件在高负载下的问题没有得到充分的解决。所谓的“重载”现象指的是，当高侧MOS导通时，其压降相对较小，源极电压接近于VDD，而MOS器件导通所需的栅极电压Vgs大于其开启电压，从而导致高侧MOS器件未完全导通，仍然处于高阻状态，大部分电压降落在了MOS器件上。 普遍采用的方法是利用自举电路来提升电压；这种自举电路通常通过直流电和方波信号与二极管和电容进行耦合。 然而，个人认为这种方法效果不佳。经过多次改进后，使用三极管将隔离升压芯片的电压提升至更高的水平以导通MOS器件。由于导通MOS器件的栅极几乎不需要电流输入，升压芯片因此没有承担过大的负担。通过NPN与PNP两种三极管的配合使用，有效地解决了逻辑上的问题：当输入控制信号同时为1或0时，4个MOS器件都不会导通，从而避免了同侧MOS器件将电源短路。该电路已经通过了理论分析、实践验证以及模电老师的审阅（本人是大二学生），但最终还是决定采用7971芯片的原因较为复杂…… 将原理图和PCB设计共享给有需要的同学或朋友们, 鼓励大家可以尝试使用、改进或者学习借鉴；如果能提供任何建议或指点方向也请不吝赐教。 相信经验丰富的工程师和专家们会对其缺乏高度评价。出自北方民族大学