关于MOS管参数的解析

简介：
本文详细解析了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOS管）的关键参数，包括阈值电压、漏极电流和跨导等，并探讨其在电路设计中的重要性。 MOS管的基本参数包括： - Coss（输出电容）：Coss = CDS + CGD。 - Ciss（输入电容）：Ciss = CGD + CGS，其中CDS短路。 - Tf（下降时间）：当输出电压VDS从10%上升到90%时的时间点。 - Td(off)（关断延迟时间）：输入电压降低至其值的90%，直到VDS升至其关闭电压的10%所需的时间。 - Tr（上升时间）：当输出电压VDS由90%降至10%时所经历的时间段。 - Td(on)（导通延迟时间）：从有输入电压开始，直到栅源电压升高到一定值后使VDS降到其幅值的90%，所需的时间。 - Qgd（栅漏充电量）：考虑了Miller效应后的总电量。 - Qgs（栅源充电量）：MOS管在开启时所需的电荷量。 - Qg（总的栅极充电量）。 动态参数包括： - IGSS（栅源驱动电流或反向泄漏电流），因为MOSFET的输入阻抗很大，IGSS通常为纳安级别。 - IDSS（饱和漏源电流），在给定VDS值且VGS=0的情况下测量。此数值一般以微安计。 - VGS(th)（开启电压）：当外加栅极控制电压超过阀值时，在MOS管的漏区和源区之间形成导电沟道，从而使得IDSS达到毫安级别。这个参数通常会随着结温上升而降低。