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W25Q16BV中文数据书

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简介：
《W25Q16BV中文数据书》是一份详尽的技术文档，为使用者提供了有关W25Q16BV闪存芯片的所有必要信息和操作指南。该手册采用易于理解的中文编写，旨在帮助工程师、开发人员及电子爱好者快速掌握此款高性能存储芯片的特性和应用方法。 W25Q16BV 是一款 16Mbit 的串行闪存芯片，其存储阵列由每页 256 字节的 8,192 个页面组成，最多支持一次性写入或擦除 256 字节的数据。该器件的工作电压范围为 2.7V 至 3.6V。

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  • W25Q16BV中文数据书
    优质
    《W25Q16BV中文数据书》是一份详尽的技术文档，为使用者提供了有关W25Q16BV闪存芯片的所有必要信息和操作指南。该手册采用易于理解的中文编写，旨在帮助工程师、开发人员及电子爱好者快速掌握此款高性能存储芯片的特性和应用方法。 W25Q16BV 是一款 16Mbit 的串行闪存芯片，其存储阵列由每页 256 字节的 8,192 个页面组成，最多支持一次性写入或擦除 256 字节的数据。该器件的工作电压范围为 2.7V 至 3.6V。
     
  • C8051F340中文数据书
    优质
    《C8051F340中文数据书》是一份详尽的技术文档，提供了C8051F340单片机的所有技术参数、引脚功能及使用说明，帮助开发者深入了解和应用该芯片。 C8051F340中文数据手册包含目录及部分笔记。
     
  • SST25VF016B中文数据书
    优质
    SST25VF016B是一款存储容量为1MB（128K x 8）的串行闪存芯片，广泛应用于电子设备的数据存储和程序存储。 SST25VF016B是一款FLASH芯片的数据手册提供了该产品的详细技术规格、引脚定义以及使用指南等内容，帮助工程师更好地理解和应用这款存储器产品。
     
  • KSZ8081RNBCA TR中文数据书
    优质
    《KSZ8081RNBCA TR中文数据书》为工程师和开发者提供了KSZ8081RNB芯片组的全面技术规格与应用指导，助力于网络设备的设计与开发。 希望可以免费获取KSZ8081RNBCA TR中文数据手册，感谢您的帮助。合作愉快。
     
  • STM32F103RET6TR中文数据书.pdf
    优质
    该文档是针对STM32F103RET6TR微控制器的详细技术手册，提供了包括引脚功能、电气特性、编程接口等在内的全面信息。适合开发人员参考使用。 STM32F103RET6TR中文数据手册同样适用于STM32F103RE、STM32F103ZE、STM32F103VE、STM32F103RD、STM32F103VD、STM32F103ZD、STM32F103RC、STM32F103VC和STM32F103ZC。
     
  • KSZ9131RNX中文数据书.pdf
    优质
    《KSZ9131RNX中文数据手册》提供了全面的技术参数和使用指南，旨在帮助工程师理解和应用这款高性能网络开关芯片。文档涵盖了电气特性、引脚功能及应用实例等关键信息。 支持RGMII的千兆位以太网收发器特性： - 单芯片10/100/1000 Mbps 以太网收发器，适用于IEEE 802.3应用。 - RGMII时序支持符合RGMII版本2.0规范的片上延时，并且具有外部延时编程选项以及用于调整和校正TX和RX路径时序的编程选项。 - 具有3.3V/2.5V/1.8V耐压I/O的RGMII接口。 - 自动选择最高链路连接速度（10/100/1000Mbps）及双工模式（半双工或全双工）的功能，支持自动协商。 - 片上端接电阻用于差分对。 - 支持单电源操作的片内LDO控制器，仅需一个外部FET即可生成1.2V核心电压。 - 最大支持16KB巨型帧传输。 - 提供125MHz参考时钟输出功能。 - 在未连接线缆的情况下降低功耗的电能检测掉电模式。 - 支持节能以太网（EEE），实现低功耗空闲和时钟停止功能，并提供发送幅值减小选项，适用于10BASE-TX/1000BASE-T应用。 - 具备LAN唤醒(Wake-On-LAN)及自定义数据包检测的稳健支持。 - 可编程LED输出用于指示链路、活动状态以及速度信息。 - 基线漂移校正技术，Quiet-WIRE EMI降低技术和LinkMD TDR电缆诊断功能可用于识别故障铜缆布线情况。 - 提供信号质量指标及参数化NAND树以检测芯片I/O和电路板间的故障。 - 环回模式用于诊断目的。 - 自动MDI/MDI-X交叉，在所有工作速度下进行对交换、偏移和极性校正，确保自动检测与纠正连接问题。 - MDC/MDIO管理接口支持PHY寄存器配置功能，并带有中断引脚选项以实现更灵活的系统集成能力。 - 支持掉电模式及节能操作。 该器件的工作电压范围如下： - 内核（DVDDL、AVDDL 和 AVDDL_PLL）：1.2V，可通过外部FET或稳压器提供； - VDD I/O（DVDDH）：3.3V, 2.5V 或者 1.8V； - 收发器（AVDDH）: 3.3V 或者 2.5V。 此外，该设备通过AEC-Q100标准的第三级和第二级认证适用于汽车应用，并且封装为48引脚QFN (7mm x 7mm) 型号。其主要目标市场包括激光器/网络打印机、联网存储系统（NAS）、服务器以及各种嵌入式通信设备，如板载千兆局域网(GLOM)，宽带网关，SOHO/SMB路由器等；同时在IPTV, IP机顶盒, 游戏主机及三重播放媒体中心领域也广受欢迎。此外，该器件还适用于工业控制和车载网络系统中。
     
  • MCP4725中文数据书.pdf
    优质
    《MCP4725中文数据书》为Microchip公司的MCP4725数字可调电阻提供了详细的中文技术文档，包括器件概述、引脚说明、电气特性及应用指南等。 MCP4725是一款通用性很强的DAC转换芯片，工作电压范围为2.7V至5.5V。
     
  • STM32F103C8T6中文数据说明书
    优质
    《STM32F103C8T6中文数据说明书》是一份详尽的技术文档，提供了有关STM32F103C8T6微控制器的所有必要信息，包括引脚功能、电气特性及编程指南等。 Cortex-M3架构进行了多项改进，包括提升性能的同时提高代码密度的Thumb-2指令集、大幅度增强的中断响应能力，并且所有新功能都具有业界最优的功耗水平。目前ST是第一个推出基于这个内核的主要微控制器厂商。 STM32F100C8T6B旨在为MCU用户提供新的自由度，提供了一个完整的32位产品系列，在结合高性能、低功耗和低电压特性的同时保持了高度集成性能和简易开发特点。STM32F103系列微处理器是首款基于ARM7-M架构的32位标准RISC（精简指令集）处理器，提供了很高的代码效率，并在通常8位和16位系统的存储空间上发挥了ARM内核的高性能特性。 该系列微处理器的工作频率为72MHz，内置高达128K字节的Flash存储器和20K字节的SRAM。此外，它还具有丰富的通用I/O端口、一个12位模数转换器（ADC），多达16个外部输入通道，转换速率可达1MHz，测量范围为0至36V；具备双采样和保持功能，并内置温度传感器以方便地监测处理器的温度。 此外，STM32F103系列配备灵活的7路通用DMA控制器，能够管理存储器到存储器、设备到存储器以及存储器到设备的数据传输操作，无需CPU干预。
     
  • W25Q64中文数据说明书
    优质
    《W25Q64中文数据说明书》提供详尽的技术参数和操作指南，旨在帮助工程师和技术人员深入了解并有效使用W25Q64这一高性能串行闪存芯片。 W25Q80（8M-bit）、W25Q16（16M-bit）和W25Q32（32M-bit）是串行Flash存储器，为系统提供最小的空间、引脚数和功耗的解决方案。与普通的串行Flash相比，25Q系列更加灵活且性能更优。这些芯片基于双倍/四倍SPI协议，在数据传输到RAM时可以立即完成，并支持存储声音、文本和数据等多种类型的信息。 工作电压范围为2.7V至3.6V之间，正常运行电流小于5mA，而在待机模式下电流消耗低于1uA。所有这些芯片都提供标准封装选项。
     
  • STM32F030xx中文数据说明书
    优质
    《STM32F030xx中文数据说明书》提供了针对STM32F030系列微控制器详尽的技术参数和使用指南，便于开发者快速掌握其功能特性。 STM32F030英文数据手册的译版可以作为开发过程中的参考资料使用。