制定DRC标准文件的工作流程

简介：
以前面所述的非门为例，在制定具体参数时遵循以下标准：1.a n阱(well) n阱的最低要求宽度为4.8u；1.b n阱与n阱之间的最小间距设定在1.8u；1.c ndiff层与nwell之间的最小间距控制在0.6u；1.d pdiff层到nwell的最小间距设置为1.8u；1.e p Mosfet器件必须完全嵌入于nwell结构内。2.a 在有源区（active region）中，各区域的最低宽度要求为1.2u；2.b 各有源区之间的最小间隔设定在1.2u间距；3.a 多晶硅层（poly layer）的最低宽度标准为0.6u；3.b 多晶硅层之间及与有源区间的最小距离均控制在0.6u；3.c 在场效应区域内，多晶硅栅极的最低露头尺寸设定为0.6u；3.d 源极、漏极与栅极之间的最小间距标准为0.6u。